在N型半导体中,自由电子多,空穴少,多子是自由电子,少子是空穴。
在P型半导体中,空穴多,自由电子少,多子是空穴,少子是自由电子。
不论是N型半导体中的自由电子,还是P型半导体中的空穴,它们都参与导电,统称为“载流子”,“载流子”导电是半导体所特有的。
扩展资料
载流子所处的能量状态
从晶体能带的角度来看,半导体的能量最高的几个能带分别是导带和价带,导带与价带之间隔着一个禁带。禁带中不具有公有化运动的状态——能级,但可存在杂质、缺陷等束缚能级。
自由电子就处于导带中,一般是在导带底附近(导带底就相当于电子的势能);自由空穴就处于价带中,一般是在价带顶附近(价带顶就相当于空穴的势能)。价带中有大量的价电子,由于这些价电子是被价键束缚住的,不能自由运动,所以不把它们看成为载流子。
空穴就是由价带中的价电子跃迁到了导带之后所形成的(即留下的价键空位);这种跃迁就称为本征激发,其特点是电子与空穴成对地产生。
参考资料来源:百度百科--载流子
N型半导体中多数载流子是自由电子,少数载流子是空穴。
N型半导体也称电子型半导体,指自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体,参杂磷等Ⅴ族元素。
特点:
半导体中有两种载流子,即价带中的空穴和导带中的电子,以电子导电为主的半导体称之为N型半导体,与之相对的,以空穴导电为主的半导体称为 P型半导体。 “N”表示负电的意思,取自英文Negative的第一个字母。
在这类半导体中, N型半导体参与导电的 (即导电载体) 主要是带负电的电子,这些电子来自半导体中的施主。凡掺有施主杂质或施主数量多于受主的半导体都是N型半导体。例如,含有适量五价元素砷、磷、锑等的锗或硅等半导体。
由于N型半导体中正 电荷量与 负电荷量相等,故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质 原子提供,空穴由热激发形成。掺入的杂质越多,多子( 自由电子)的 浓度就越高,导电性能就越强。
在N型半导体中,电子是多数载流子,空穴是少数载流子,虽然有多余的电子在半导体中可以自由运动,但N型半导体是不带电的。之所以N型半导体中有电子是作为载流子,但电子的产生是因为硅晶圆中的硅原子,被掺杂了磷原子。磷原子因为比硅多一个电子,取代硅原子的位置后,多出来的一个电子形成自由流动的载流子。但因为磷原子带一个单位的正电荷,所有N型半导体总体上是不带电的。
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