S70N08 和 FQP70N08 查资料没有差异,主要参数是70A/80V, 直插TO220封装形式,是N沟道 MOS场效应管,可以互代。这两个型号主要用在电动车控制器。
FQP70N08,RFP70N08,S70N08R参数都相同。
最终质量控制。FQS是最终质量控制,EOQ出货质量控制,FQS是在产品完成所有制程或工序后,入库之前,对于产品的品质状况。
EOQ出货品质稽核出货品质检验出货品质管制入库后出货前,供应厂商在产品出货时,必须按照供求双方合约或订单议定的标准,实施出货检验。
这是飞兆半导体在2008年10月发布的高压MOSFET,FQB系列属于TO-263(D2PAK)封装SMD安装工艺,另有属于I2PAK直插安装工艺的FQI型号。该MOSFET源-栅工作电压Vdss=600V
最大载流能力7.5A(结温25°C时)或者4.6A(结温100°C)
耗散功率3.13W(环境温度25°C时)
静态特性方面,典型通态电阻1Ω(Vgs=10V,载流Id=3.75A时),最大通态电阻1.2Ω
动态特性方面,典型反向传输电容Crss=12pF
门级电荷Qg=28nC
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switched mode power supplies, active power factor correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology.
简单翻译一下:该增强型场效应功率管采用平面型制造工艺,DMOS技术。
该技术为降低MOSFET的通态电阻而优化,提供了更好的开关特性,适用于半桥拓扑结构中的高效率开关电源供电器、主动式PFC和电子镇流器。
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