单电子晶体管主要是利用库伦阻断(Coulomb Blockade)及穿隧(Tunneling)等量子效应来 *** 作,与现有传统的CMOS组件相较之下具有许多优秀的特性,被欧洲的信息协会科技(Information Society Technologies;IST)选为新兴的奈米组件之一而可见其重要性。另外,State University of New York的K. K. Likharev自1988年建立理论基础以来投入单电子晶体管研究的人力日渐增多,所以其应用潜力也日渐增加。
虽然单电子组件其技术成长缓慢,生命周期尚属于萌芽期阶段,但其未来应用潜力高,先进厂商、研究机构及学术界纷纷投入研发工作。单电子组件未来的应用,可能用于内存、量子逻辑及传感器等。
1. 内存
最具实用性的应用是将库伦阻断及穿隧效应运用于内存方面,利用库伦阻断的低漏电及穿隧的低电压(Low Voltage)与高可靠度(High Reliability)可以改良现有DRAM与Flash的性能,例如Hitachi、IBM、Toshiba及Micron等都在从事这方面的研究。Hitachi是集中在DRAM的研究,而IBM则朝向Flash方面;其中Hitachi甚至已做出128MB DRAM的原型(Prototype),此DRAM的持续记忆力为一般DRAM的100倍,虽然仍有些问题待解决,但是这已经可以看出单电子晶体管有很大的应用层面。
2. 量子逻辑
相较于传统逻辑电路与内存的应用,量子逻辑算是比较新的研究,它是直接利用库伦阻断及穿隧效应,因此在概念与电路设计上和一般CMOS的电路有很大的不同。
目前较受瞩目的有Notre Dame大学发展的量子胞自动开关(Quantum Cellular Automata;QCA)与Delft大学正在研究的细胞神经网络(Cellular Neural Network;CNN),这两个电路最主要的特色就是设计时不用内连接(Inter-Connection),一个单位细胞(Unit Cell)只和相邻的单位细胞连接,免除了CMOS因内连接所产生的延迟。
3. 传感器
除了上面的应用之外,由于单电子晶体管可以计算单位时间内所通过的电子数,所以也可以用来制定电流与电容标准,美国国家标准局(NIST)也有从事这方面的研究。另外,单电子晶体管的高灵敏度也很适合做传感器使用,例如低电流量测仪器。
(转自 中国半导体行业网)
单电子组件发展趋势-技术文章单电子组件发展趋势
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都是家用低端路由器,详细如下图,欢迎追问~~@!
FW450R带机量多一些,主处理器为802.11n标准的QCA9558处理器,储芯片采用的是飞索半导体(Spansion)的FL032PIF芯片,4MB容量;
TL-WR885N性能比不上前者,2M闪存,16M内存,主芯片是TP9343。
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