电学计量室主要校准哪些仪器

标准电容器

RLC数字电桥

电容器容量损耗分选仪

电容分选仪

静电腕带／脚盘测试仪

表面电阻测试仪

绝缘电阻表(兆欧表)

高绝缘电阻测量仪(高阻计)

高阻箱

直流电阻箱

低阻表

接地电阻表

接地导通电阻测试仪

电池内阻测试仪

耐压测量仪

高频耐压机

电机测试台(仪)

漏电流测量仪

线圈圈数测试仪

直流稳压电源

电子负载

数字功率表

数字多用表

多功能校准源

数字式三用表校验仪

直流高压发生器、试验变压器、交流高压发生器

高压静电电压表

钳形电流表

半导体管特性图示仪

分流器

变频电源

绕组温升带电测量仪

充电平板测试仪

火花试验机

直流电桥

标准电感器

直流电阻器

指针式电流表、电压表、功率表及电阻表

电池测试系统

电子式绝缘电阻表

钳形接地电阻仪

回路电阻测试仪、直阻仪

直流电流源

防雷元件测量仪

高压介质损耗测试仪

高压开关动作特性测试仪、断路器模拟装置

电压互感器

电流互感器

互感器负荷箱

继电保护测试仪

局部放电测量仪

漏电起痕试验仪

数字高压表

变压比电桥

电能表

工频磁场发生器

电量变送器

相位表、功率因数表

钢筋锈蚀测量仪

电阻应变仪

特斯拉计

磁通表

功率指示器量程校准器

晶体管特性图示仪校准仪

线缆测试仪

高压谐振试验装置

交流阻抗参数测试仪

变压器绕组变形测试仪

三倍频试验变压器装置

输电线路工频参数测试仪

变压器有载分接开关测试仪

大电流试验器

互感器综合特性测试仪

霍尔电流(电压)传感器

直流高压分压器

工频高压分压器

电能质量分析仪

绝缘油介电强度测试仪

雷击计数器校验仪

绝缘油介质损耗及体积电阻率测试仪

绕组匝间冲击电压测试仪、脉冲线圈测试仪、层间绝缘试验仪

调压器、变压器

交流电阻箱

安规点检工装(电阻盒)

安规综合测试仪

基准镇流器

电子镇流器性能分析仪

氧化锌避雷器测试仪

仅列部分仪器，要计量，找广电计量。

比如韩国的思达特，美国的STI，泰克，ITC，IST，吉时利，安捷伦，福禄克，日本的岩崎，TESEC，CATE，JUNO友能，国产的西安易恩电气ENJ2005-C。这是我查的一些关于ENJ2005-C的具体资料：

西安易恩电气 EN-2005C是一款很具有代表性的新型半导体晶体管图示系统，本系统可自动生成功率器件的I-V曲线，也可根据客户的实际需求设置功能测试，直接读取数显结果。系统在失效分析，IQC来料检验及高校实验室等部门有广泛的应用。系统生成的曲线都使用ATE系统逐点建立，保证了数据的准确可靠。系统典型的测试时间是6 to 20ms,通常上百个数据点曲线只需要几秒钟时间便可以展现出来，数据捕获的曲线可导入EXCEL等格式进一步分析研究，是一款高效多功能的高端半导体测试设备。

测试范围 / 测试参数

01

二极管

DIODE

IR；BVR ；VF

02

晶体管

（NPN型/PNP型）

ICBO；ICEO；ICER； ICES； ICEV；IEBO；BVCEO ；BVCBO；

BVEBO；HFE；VCESAT；VBESAT；VBE(VBEON)；RE；VF

03

J型场效应管

J-FET

IGSS；IDOFF；IDGO；BVDGO；BVGSS；VDSON，VGSON；

IDSS；GFS；VGSOFF

04

MOS场效应管

MOS-FET

IDSS；IDSV；IGSSF； IGSSR；VGSF；VGSR；BVDSS；

VGSTH；VDSON、VF(VSD) IDON；VGSON；RDSON；GFS

05

双向可控硅

TRIAC

VD+；VD-；VT+ ； VT-；IGT；VGT ；IL+；IL-；IH+；IH-

06

可控硅

SCR

IDRM；IRRM；IGKO；VDRM；VRRM；BVGKO；VTM；

IGT；VGT；IL；IH

07

绝缘栅双极大功率晶体管

IGBT

ICES；IGESF；IGESR；BVCES；VGETH；VCESAT；ICON；

VGEON；VF；GFS

08

硅触发可控硅

STS

IH+； IH-；VSW+ ； VSW-；VPK+ ；

VPK-；VGSW+；VGSW-

09

达林顿阵列

DARLINTON

ICBO； ICEO；ICER；ICES；ICEX；IEBO；BVCEO；

BVCER；BVCEE；BVCES ；BVCBO；BVEBO；hFE ；

VCESAT； VBESAT；VBEON

10

光电耦合

OPTO-COUPLER

ICOFF、ICBO；IR；BVCEO；BVECO；BVCBO；BVEBO；

CTR；HFE；VCESAT； VSAT；VF(Opto-Diode)

11

继电器

RELAY

RCOIL；VOPER；VREL；RCONT；OPTIME； RELTIME

12

稳压、齐纳二极管

ZENER

IR；BVZ；VF；ZZ

13

三端稳压器

REGULATOR

Vout；Iin；

14

光电开关

OPTO-SWITCH

ICOFF；VD；IGT；VON；ION ；IOFF

15

光电逻辑

OPTO-LOGIC

IR；VF；VOH；VOL；IFON； IFOFF

16

金属氧化物压变电阻

MOV

ID+ ID-；VN+； VN-；VC+ ；VCLMP-；VVLMP+ ；

17

固态过压保护器

SSOVP

ID+ ID-；VCLAMP+, VCLAMP-；VT+、VT-；IH+、

IH-；；IBO+ IBO-；VBO+ VBO-；VZ+ VZ-

18

压变电阻

VARISTOR

ID+； ID-；VC+ ；VC-

19

双向触发二极管

DIAC

VF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR-,

下面以使用本仪器测试“晶体二极管伏安特性”和“晶体三极管输出特性”为例，介绍仪器的工作原理。

1．二极管伏安特性的测试原理

流过二极管的电流I和二极管两端电压U的函数关系称为“二极管伏安特性”。本仪器通过显示“伏安特性曲线”来定量显示被测二极管的“伏安特性”。由二极管伏安特性曲线（正向区）可知，当我们将二极管两端的电压U由0逐渐增大时，二极管中的电流I会按照“二极管方程”的规律逐渐增大。

二极管方程式中：在环境温度为300K时，UT≈26mV 。

将这一过程重复进行称为“电压扫描”。根据特性曲线所在的象限，用本仪器“X轴作用”和“Y轴作用”的“移位”旋钮调整扫描的原点在示波器屏幕的左下角或右上角。当测量二极管正向特性曲线时，由于曲线位于第一象限，所以应将原点调整至屏幕左下角。（而反向特性曲线位于第三象限，应将原点调整至右上角，并将扫描电压极性选择为“－”。）二极管两端的电压U的值经“X轴放大器”放大后，控制示波器光点在X轴方向的运动。当电压由0逐渐增大时，光点从最左边的原点处向右水平移动，光迹的长度和电压值成正比。同时，用流过二极管的电流I的值（需变换成电压）经“Y轴放大器”放大后，来控制示波器光点在Y轴方向的运动。当电流由0 逐渐增大时，光点由最下边的原点处向上垂直运动，光迹的长度和电流成正比。两者的共同作用就会使示波器的光点在在屏面上显示出二极管的伏安特性曲线，并可根据示波管上的刻度定量读出电压、电流的数据。

测试二极管伏安特性曲线时，仪器工作原理如图1所示。

（1）将“测试选择”开关扳向中间（“关”），被测二极管插入测试台左侧“E”和“C”插孔中，这时二极管没有加电；当其它选项调节好后，再将“测试选择”扳向“晶体管A”侧，进行加电测量。

（2）测试二极管时，基极“阶梯信号”不起作用。加在被测二极管上的电压由“集电极扫描信号”单元提供。

“集电极扫描信号”单元输出的是频率为100Hz的脉动直流电压，波形如 的正电压或 的负电压，由“极性”旋钮控制，可选“+”或“－”；电压的峰值由“峰值电压范围”选择，可选“0～20伏”或“0～200伏”，再由“峰值电压”旋钮细调，可产生上述范围之间的任意值。注意：测量半导体器件一般选择“0～20”，而“0～200”用来测试器件的反向击穿电压。“功耗限制电阻”串连在电路中起保护作用，避免过大电流流过被测管。

测量二极管时，调节JT-1的“集电极扫描单元”的控制旋钮，使“极性”为“+”，“峰值电压范围”为“0～20V”，“峰值电压”先旋为“0”，正式测量时加大到所需值。 “功耗限制电阻”在测量大电流二极管时可选几Ω或几十Ω，小电流管可选几十Ω至几KΩ。

（3）“X轴作用”用来选择X轴放大器的测量对象和X轴放大器放大倍数，当扳至“集电极电压”0.1“伏

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