俄罗斯的这张底牌，足以卡住美国半导体产业的脖子

在中、美、俄三方的半导体贸易当中，有一个很有意思的关联。

中国是世界上最大的半导体市场。美国基本垄断了世界上的半导体技术，但俄罗斯却掌握了美国半导体制造的部分核心材料。

2021年，我国半导体产业的进口额就超过了3500亿美元，同比增长约7％。

根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）的数据，2021年全球半导体市场总增长只有3％左右。这意味着，中国不仅是世界上最大的半导体市场，而且它的市场增速是全球的约2倍。

我们虽然经过被美国断供芯片的教训之后，已经在大力发展自己的半导体产业。但根据国内的数据显示，在在闪存、内存、微处理器、现场可编程门阵列、微控制器、图像处理器等技术含量更高的半导体领域，我国半导体公司生产的份额合计仍然不到全球市场的1％。

在全球半导体份额当中，美国占了全球一半以上，依然处于全球领先地位。

2021年，美国半导体的销售额达到了 2575亿美元，而且以每年约7%的速度在增长。

日本在全球半导体市场当中约占了10%的份额，韩国大概是21%，台积电大概占了8%。

但我们不能忽略一个事实，就是美、日、韩联盟。

日本、韩国虽然也占据了一定的半导体市场，但在出口政策上深受美国的约束和影响。

简单地说，就是日本跟韩国的半导体出口到哪个国家，最终的自主权还是掌握在美国人手里。

在半导体制造过程当中，氖气和钯金属是两种主要核心材料。

而美国半导体行业所需的氖气有约90%是要从乌克兰进口，有40%以上的钯金属要从俄罗斯采购。

如果缺乏氖气跟钯金属，那么美国的芯片、 汽车 、电脑、通讯终端、人工智能等多个行业的生产都将会受到严重影响，有的厂商甚至会因此破产。

所以美国的半导体产业的咽喉是掌握在俄乌两国手中的。

但遗憾的是，美国与俄罗斯目前的关系是水火不容，美国带领西方国家在经济上对俄罗斯进行了无孔不入的围剿，甚至不惜冻结了俄罗斯的外汇储备。

乌克兰目前的局势也不容乐观，俄罗斯基本上控制了乌克兰所有的贸易出海口。

如果俄罗斯切断氖气和钯金属对美国的供应，那美国能否能够迅速找到替代者？

答案是很难。

钯金是世界上最稀有的贵金属之一，它的储量是非常少的。

钯金在地壳中的储量大概只有2000万吨，而且世界上只有北美、俄罗斯和南非等少数国家才能产出。

位于加拿大多伦多的钯金公司在2018年一共也只生产了230000盎司的钯金。

美国半导体行业分析师曾发出警告，俄罗斯一旦对美国进行报复，那么这两种材料将可能对美国形成卡脖子，到时候美国的半导体行业只成为受害者，芯片生产将会受到重大打击。

显然，对于美国发起的贸易制裁，俄罗斯还没有选择真正反击，手里还握有多张王牌。

1.美国英特尔（Intel）公司，以生产CPU芯片闻名于世！

2.三星(Samsung)电子公司成立于1969年，初期主要生产家用电子产品，如

电视机和录像机等。七十年代始进入国际市场，逐渐发展成为全球五大电

子公司之一，产品也由家电扩展到计算机、通讯等诸多方面。九十年代由

于经济方面的原因，三星公司进行了大规模的战略重组。1978年，三星半

导体从三星电子公司分立出来而成为独立的实体，1983年起随着成功发展

了64K DRAM超大规模集成电路，从此在单一家电类半导体产品基础上发展

了许多新的半导体产品，逐渐成为全球领先的半导体厂商。它的半导体产

品主要有DRAM、SRAM、闪速存储器、ASIC、CPU和TFF-LCD板等等。

3.德州仪器(TI)公司总部位于美国德克萨斯州达拉斯城，是一家全球性的

半导体公司，是世界领先的数字信号处理和模拟技术的设计商、供应商，

是推动电子数字化进程的引擎。主要IC产品有：数字信号处理器、模拟和

混合信号器件、数字逻辑、ASIC、微控制器、语音和图形处理器、可编程

逻辑、军用器件等。

4.东芝(Toshiba)在国际市场上盛名远扬，家喻户晓。在日本之外，东芝拥

有100多家子公司和协作公司的庞大全球网络，仅海外子公司便拥有40,000

多名雇员，他们遍及全球各地，从事着从科研到采购、生产、销售以及市

场调研等工作。分布在世界各地的39个厂家构成东芝的生产网络，制造品

种繁多的产品，包括最先进的半导体元件、显象管、彩色电视机、移动式

计算个人电脑、光?磁存储、消耗品及工业用发电机和变电装置。这些技术

和设备均处世界领先地位的东芝生产厂家,强有力地保障着公司技术和整体

能力的发展，推动着电子工业的进步；同时也提供了更多的就业机会，进

一步促进了当地经济的蓬勃发展。

5.台积电(TSMC)成立于1987年，是全球最大的专业集成电路制造服务公司

。身为专业集成电路制造服务业的创始者与领导者，TSMC在提供先进晶圆

制程技术与最佳的制造效率上已建立声誉。自创立开始，TSMC即持续提供

客户最先进的技术；2006年的总产能超过七百万片约当八吋晶圆，全年营

收约占专业集成电路制造服务领域的百分之五十。

6.意法半导体会(ST)是全球性的独立半导体制造商。公司设计、生产、销

售一系列半导体IC和分立器件，用于远程通讯系统、计算机系统、消费电

子产品、汽车和工业自动化控制系统。ST是全球MPEG-2解码IC、数字机顶

盒IC、Smartcard MCU、特殊汽车IC和EEPROM非易失存储器最大供应商，也

是第二大模拟/混合信号ASSP和ASIC、磁盘驱动IC及EEPROM存储器供应商。

公司的产品采用一系列专有制作工艺和设计方法设计生产，可提供3000多

种主要型号产品。

ST公司是1987年由法国Thomson Semiconductors和意大利SGS

Microelectronics合并而成。自从成立以来，ST公司不断扩大生产能力，

目前公司拥有雇员约34,000人，共有9个研发机构，35个设计和应用中心，

17个生产据点，并在24个国家建立了62个销售部门。公司总部一部分在法

国St Genis,另一部分在瑞士日内瓦，在美国、新加坡、日本设立了地区总

部。ST公司十分重视技术发展，1999年投入26.6%销售收入用于产品研发，

共完成了751项新专利应用。公司设计销售几乎每种型号半导体器件，从简

单的晶体管到世界上最复杂的IC产品，覆盖了所有主要的半导体器件。其

中包括：专用IC、微处理器、半定制IC、存储器、标准IC、分立元件等。

7.瑞萨科技(Renesas)在2003 年4 月1 日正式成立，以领先的科技实现人

类的梦想。结合了日立与三菱电机在半导体领域上的丰富经验和专业知识

，配合全球二万七千名员工的无限创意，我们将无处不在，超乎你的想像

。科技的价值在于让一切变得可能，身为一家具有领导性和值得信赖的智

能晶片解决方案供应商，我们对于拓展明日无处不在的网络世界，担当重

要的角色。我们的创造力具前瞻性，为人类创造出更舒适美好的生活。

瑞萨精密的AFE ，运用10/12/14-bit 高信号解析度，可达到极佳讯号/噪

音比率，并融合影像处理器的原创IP 技术，以提供高品质的数位摄影。同

时，瑞萨亦是DVD 录影科技先驱，晶片设计整合不同要求，产品包括了

MPEG LSIs 、AFE 类比、DVD DSPs 、ODD 信号处理器及嵌入式的MCU 。瑞

萨同时更掌握LCD 液晶体电视的新科技，除了生产LCD-TV 的核心系统，也

有各重要部份：影像数据晶片、LCD 时间控制器、LCD 驱动器、M16C 及

H8S 微控制器、驱动器解决方案、订制平台、ASSPs...等。

8.海力士(Hynix)1983年开始运作，目前已经发展成为世界级电子公司，拥

有员工约22,000人，1999年总资产达20万亿。在DRAM存储器领域，Hynix

Semiconductor产量居世界前列。目前，公司经改组之后，核心业务主要集

中于三个部分：半导体、通信和LCD。

9.索尼(Sony)半导体分部是索尼电子公司1995年3月在美国加州圣约瑟市建

立的一个分部，该分部使索尼公司能够对变幻莫测、竞争激烈的美国半导

体市场迅速做出反应，为索尼电子公司发展高附加值的通讯、音频/视频、

计算机应用产品提供后备支持。

10.高通(Qualcomm）公司开发、销售一系列高性能FPGA半导体产品和软件

开发工具。公司原名Peer Research

Inc.，1988年4月由John Birkner,

Andy Chan 和 H.T. Chua创建， 1991年2月改名为QuickLogic公司，同时

发布了它的第一个FPGA产品--

pASIC1系列，并随后开发了基于PC计的开发

工具-- QuickWorks，以其容易使用和有效实用被广泛接受。1995年和1997

年又分别发布了pASIC 2和 pASIC 3两个系列的产品。1998年，QuickLogic

公司发布了一种新的器件，被称为ESP（Embedded Standard Products），

该器件基于QuickLogic公司的核心FPGA技术，结合了标准产品的优点和可

编程器件的灵活机动的特点。目前已发布三个系列的ESP产品，即QuickRAM

系列、QuickPCI系列和 QuickDSP 系列。

QuickLogic公司总部在美国加州，它的半导体产品主要由代工服务商生产

，Cypress Semiconductor主要代为生产采用0.65微米CMOS工艺的pASIC器

件，台湾的TSMC1996年起成为QuickLogic公司的代工服务商。

实验室从20世纪90年代开始宽禁带半导体科学研究和人才培养，已成为国内外宽禁带半导体材料和器件的科学研究、人才培养、学术交流、成果转化方面的重要基地，2008年实验室成为中国国防科技创新团队。

实验室重视研究成果与应用的结合，多项研究成果已经用于国家和国防重点工程。高质量的GaN和SiC材料外延片可批量提供企业和研究所使用；微波功率器件已经开始用于国家重点工程；GaN的LED成果已经成为陕西省半导体照明的核心技术，产生着辐射和带动作用；自主的MOCVD设备和核心技术开始实现产业化；微纳米器件可靠性技术对推动我国高可靠集成电路发展发挥了重要作用。 以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）和氧化锌（ZnO）为代表的宽禁带半导体是继硅和砷化镓（GaAs）之后的第三代半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点，可实现高压、高温、高频、大功率、抗辐射微波毫米波器件和短波长光电半导体器件。宽禁带半导体是新一代雷达、通信、电子对抗系统最关键的半导体器件，也是新一代半导体照明关键的器件。

实验室主要研究方向包括：GaN和SiC宽禁带半导体微波毫米波器件；GaN半导体光电子器件与半导体照明技术；宽禁带半导体材料生长核心设备研究；宽禁带半导体材料和器件新机理、新结构与新技术；微纳米半导体器件可靠性与SoC设计。 “极大规模集成电路制造装备与成套工艺”重大科技专项

国家（国防）重大基础研究（973）项目

国家自然科学基金重点和面上项目

国家863计划高技术项目

国防科技预先研究项目

军用电子元器件型谱项目

中俄航天领域科技合作项目

国家电子发展基金和陕西省电子发展基金

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