任何关注半导体行业的人都知道芯片性能提升的速度开始放缓。与此同时，工艺公司已经讨论了他们减少制造芯片尺寸时面临的一些挑战。虽然通常与摩尔定律的继续发展有关，但更多是伴随着半导体工艺节点尺寸的减小，影响性能的因素会持续增加。
就在几个月前，三星半导体的代工业务宣布了晶体管设计方面的一项重大新进展，称为Gate-All-Around（GAA），它有望在未来几年保持晶体管级半导体的发展。从根本上说，GAA提供了对基本晶体管设计的重新思考和重新架构，其中晶体管内部的硅通道完全被栅极材料包围，而不是像三极一样被栅极材料覆盖，就像FinFET设计一样，这种设计可以增加晶体管密度，同时增加沟道的缩放潜力。
整个 科技 行业都在期待着半导体工艺的改进，这些进步将继续降低半导体尺寸和功率，并提高半导体性能。GAA与极紫外光（EUV）光刻技术一起被认为是半导体制造领域下一个主要技术进步，这为芯片行业提供了从7nm到5nm到3nm工艺节点的清晰路径。
从技术上讲，由于GAA FET技术降低了电压，这也为半导体代工业务提供了一种超越FinFET设计的方法。随着晶体管不断缩小，电压调节已被证明是最难克服的挑战之一，但GAA采用的新设计方法减少了这个问题。 GAA晶体管的一个关键优势是能够降低电压缩放造成的功耗，同时还能提高性能。这些改进的具体时间表可能不会像行业过去那么快，但至少关于它们是否会到来的不确定性现在可能会逐渐改观。对于芯片和器件制造商而言，这些技术进步为半导体制造业的未来提供了更清晰的视角，并且应该让他们有信心推进积极的长期产品计划。
GAA的时机也是 科技 行业的偶然因素。直到最近，半导体行业的大多数进步都集中在单个芯片或单片SOC（片上系统）设计上，这些设计都基于单个工艺节点尺寸构建的硅芯片。当然，GAA将为这些类型的半导体提供重要的好处。此外，随着新的“小芯片”SOC设计的势头增加，这些设计结合了几个可以在不同工艺节点上构建的较小芯片组件，很容易被误解为晶体管级增强不会带来太多的价值。实际上，有些人可能会争辩说，随着单片SOC被分解成更小的部分，对较小的制造工艺节点的需求就会减少。然而，事实是更复杂，更细微。为了使基于芯片组的设计真正成功，业界需要改进某些芯片组件的工艺技术，并改进封装和互连，以将这些元件和所有其他芯片组件连接在一起。
重要的是要记住，最先进的小芯片组件正变得越来越复杂。这些新设计要求3mm GAA制造所能提供的晶体管密度。例如，特定的AI加速，以及日益复杂的CPU，GPU，FPGA架构需要他们能够集中处理的所有处理能力。因此，虽然我们会继续看到某些半导体元件停止在工艺节点的路线图中，并以更大的工艺尺寸稳定下来，但对关键部件的持续工艺缩减的需求仍然有增无减。
科技 行业对半导体性能改进的依赖已经变得如此重要，以至于工艺技术的潜在放缓引起了相当多的关注，甚至对可能对整个 科技 世界产生的影响产生负面影响。虽然GAA所带来的进步甚至没有使该行业完全解决了挑战，但它们足以提供行业所需的发展空间以保持其继续前进。
据businesskorea报道，代工咨询公司IBS 5月15日宣布，三星电子在 GAA技术方面领先台积电(TSMC)一年，领先英特尔(Intel)两到三年。GAA技术是下一代非存储半导体制造技术，被视为代工行业的突破者。
三星已被评估在FinFET工艺方面领先于全球最大的代工企业台积电。FinFET工艺目前是主流的非存储半导体制造工艺。
这意味着三星在当前和下一代代工技术上都领先于竞争对手。
三星于当地时间5月14日在美国Santa Clara举行的2019年三星代工论坛上宣布，将于明年完成GAA工艺开发，并于2021年开始批量生产。
曝三星首批3nm GAA芯片将于下周一公布
曝三星首批3nm GAA芯片将于下周一公布，三星计划在2022年7月25日在华城工厂举行3nm GAA芯片的首次发货仪式，曝三星首批3nm GAA芯片将于下周一公布。
曝三星首批3nm GAA芯片将于下周一公布1周二，行业和政府消息人士表示，三星计划于7月25日在京畿道华城的制造中心举行3nm GAA芯片的首次出货仪式。贸易，工业和能源部长Lee Chang-yang和三星设备解决方案部门总裁兼首席执行官Kyung Kye-hyun将出席仪式。收到第一批的买家是中国虚拟货币矿工，鉴于当前的虚拟货币市场状况，从长远来看，这是一次高风险交易。
此外，3纳米芯片不是在平泽市生产的，而是在华城市生产的，这意味着生产规模相对较小，因为三星电子最好的设备在平泽，而华城是开发制造技术的地方。
至于智能手机芯片组，三星可能会使用其3nm GAA技术大规模生产即将推出的Exynos 2300。芯片可能用于即将推出的Galaxy S23系列，并且可能是Google用于Pixel 8系列的第三代Tensor芯片的版本。除此之外，高通可能会加入进来，但前提是台积电遇到良品率问题采用自己的3nm技术。
据报道，高通可以要求三星提供3nm GAA芯片样品，并根据这家韩国巨头在良率、功率效率和其他指标方面的进步，下达订单。根据不靠谱的谣言说法，即将推出的骁龙 8 Gen 2据说是11月15日揭幕，将完全采用台积电的4nm工艺批量生产，除非奇迹发生。
回顾一下，与5nm技术相比，三星的3nm GAA工艺据说可降低高达45%的功耗，将性能提高23%，面积减小16%。该制造商还将推出第二代版本，该版本将降低高达50%的功耗，将性能提高30%，并将面积减少35%。
曝三星首批3nm GAA芯片将于下周一公布2三星官方在上个月末宣布，其位于韩国的华城工厂开始生产3nm芯片。这是目前半导体制造工艺中最先进的技术，三星也成为了全球唯一一家提供采用下一代全新GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术，提供3nm工艺代工服务的代工企业。
据Business Korea报道，三星计划在2022年7月25日在华城工厂举行3nm GAA芯片的首次发货仪式，三星设备解决方案部分负责人庆桂显和韩国工业贸易资源部长李昌阳都会出席。据了解，首个客户是上海磐矽半导体，这批芯片将用于虚拟货币业务。
有消息指出，三星可能会使用3nm工艺制造Exynos 2300，或用于明年的Galaxy S23系列，不过前一段有报道称，其表现不达预期，Galaxy S23系列可能全部采用高通的解决方案。此外，谷歌第三代Tensor芯片也可能采用三星3nm工艺，将用于Pixel 8系列。高通在即将发布的Snapdragon 8 Gen2上选择了台积电的.4nm工艺，如无意外并不会出现三星制造的版本。
三星表示，与原来采用FinFET的5nm工艺相比，初代3nm GAA制程节点在功耗、性能和面积（PPA）方面有不同程度的改进，其面积减少了16%、性能提高23%、功耗降低45%。
到了第二代3nm芯片，面积减少了35%、性能提高30%、功耗降低50%。这也是三星首次实现GAA“多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）”应用，打破了FinFET原有的性能限制，通过降低工作电压水平来提高能耗比，同时还通过增加驱动电流增强芯片性能。
曝三星首批3nm GAA芯片将于下周一公布3据韩国媒体报导，三星计划于下周一（25日）正式对外公布其首款代工的3nm芯片，以及将供应大陆开发虚拟货币挖矿芯片的客户，并提到“首批产品功耗与性能明显提升”，希望以此来打消外界的疑虑。
7月22日消息，据韩国媒体报导，三星计划于下周一（25日）正式对外公布其首款代工的3nm芯片，以及将供应大陆开发虚拟货币挖矿芯片的客户，并提到“首批产品功耗与性能明显提升”，希望以此来打消外界的疑虑。
三星此前赶在上半年的最后一天（6月30日）宣布3nm量产，虽然兑现了其上半年量产的承诺，却引来各界质疑其良率、客户来源等问题。
业界认为，三星计划下周一公布更多信息，是希望借此宣示自家3nm量产的实力，并通过公布实际客户，来回应外界的疑虑，以便更好的与台积电竞争。
按照三星的规划，其将于2023年将启动第二代3nm制程，2025年进一步量产2nm，目标是尽快追上台积电，在技术实力上保持领先。
台积电向来不评论竞争对手。谈到先进制程进展，台积电总裁魏哲家日前在法说会提到，3nm如计划进度执行中，预计今年下半年量产，还且有良好的良率表现，明年上半开始带进营收贡献，并逐渐提高，主要动能来自于手机与高性能计算（HPC）。
至于更新版的N3E制程，台积电预计于第一代3nm制程量产后约一年左右量产。2nm制程方面，台积电规划2024年可进行风险性试产，并于2025年量产。相较之下，三星已于6月30日宣布3nm量产，领先台积电，脚步是晶圆代工界最快，但也引来外界各种质疑。
韩国媒体BusinessKorea为三星抱不平，认为日本与台湾媒体都在贬低三星的成就，例如提到韩国半导体业仍高度仰赖日本的材料与设备，还有看衰三星3nm首家客户是大陆虚拟货币挖矿芯片商，以当前虚拟货币市况来看，并不是可以长期信赖的客户。同时，也认为3nm制程芯片不是在三星设备最好的平泽厂生产，而是在华城，代表生产规模相对较小。
BusinessKorea点出，各界质疑三星无法威胁台积电，因为5nm制程的良率还没拉起来。专家表示，韩国必须提高生产3nm制程的良率，但“想让良率达到80％至90％的可获利水准，似乎要很长的时间才办得到”。
台积电目前仍是全球晶圆代工霸主，根据研调机构集邦科技统计，今年首季台积电全球晶圆代工营收市占率为53.6％，三星以16.3％居次，联电排第三，格芯第四，大陆中芯国际排第五，其余业者的市占率都不到5％。
近日，三星电子宣布将于2022年上半年开始生产3纳米芯片。此前三星电子宣布将在明年上半年开始使用环栅 (GAA) 技术为客户生产3纳米 (nm) 芯片设计，并将在2023年量产第二代3纳米芯片，在2025年量产2纳米芯片。
三星电子将使用 GAA 技术进行3纳米芯片生产，以提高充当半导体电流控制开关的晶体管的性能和效率。新的晶体管结构对于持续的工艺迁移至关重要，因为它提高了电源效率、性能和设计灵活性。
与基于鳍式场效应晶体管 (FinFET) 的5纳米工艺相比，三星首个3纳米GAA工艺节点可将性能提升30%，将功耗降低50%，并将芯片面积减少35%。该公司计划将第三代 GAA 技术应用于将于2025年推出的2纳米工艺。
台积电计划继续将 FinFET 技术应用到3纳米工艺中，并从2纳米工艺开始引入 GAA 技术。如果按照三星电子的计划，它将成为全球第一家量产3纳米半导体的代工厂。最初，台积电计划在2022年7月将3纳米工艺应用于英特尔的CPU 和 GPU的量产。
欢迎分享，转载请注明来源：内存溢出
微信扫一扫
支付宝扫一扫
评论列表（0条）