为什么p型半导体导电率随着温度降低，电导率上升

p型半导体的电导率随温度升高而升高。温度升高，受主电子跃迁，电导率升高，当受主电子耗尽时，此时温度不够高，不足以产生明显数量的本征电子和空穴，此时电导率近乎不变，温度达到一定时，本征电子和空穴数量明显增多，导电率进一步升高

相同杂质浓度下，P型半导体电阻率是小于N型半导体电阻率的，因为P型半导体主要依靠空穴导电，N型半导体主要依靠电子导电。而在半导体内，空穴的迁移率远远小于电子的迁移率，常温下，硅中空穴迁移率为450cm/V/S，电子迁移率为1450cm/V/S，所以P型半导体表现出的电阻率比N半导体大得多。举例来说，硅体内掺相同剂量的磷和硼，比如1E15cm-3，则掺磷的N型半导体的电阻率为3~5欧姆厘米，而掺硼的P型半导体电阻率则为10~15欧姆厘米。

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