中科纳米张家港化合物半导体研究所工艺什么样的

科纳米张家港化合物半导体研究所的工艺主要是涉及到半导体材料的制备、分析、测试和应用等方面。首先，在材料制备方面，采用原子层沉积（ALD）、溅射外延（PEALD）、化学气相沉积（CVD）、化学气相沉积（MOCVD）等技术，制备出高质量的半导体材料；其次，在材料分析方面，采用X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）等技术，对半导体材料进行分析；再次，在材料测试方面，采用电子镜（EM）、能谱仪（SP）、高频测试仪（HPT）、光谱仪（SP）等技术对半导体材料进行测试；最后，在材料应用方面，采用热处理、激光处理等技术，将半导体材料应用于各种电子器件中。

1、半导体：常温下导电性能介于导体（conductor）与绝缘体（insulator）之间的材料。

2、元素半导体：锗和硅是最常用的元素半导体。

3、化合物半导体：包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化镓、磷化镓等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化镉、硫化锌等）、氧化物（锰、铬、铁、铜的氧化物）,以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。

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