迈思希姆半导体（Maximum semi）行业地位如何 ？

迈思希姆半导体（Maximum semi）是原美信半导体功率器件FAB事业部，2007年拆分独立，公司通过突破性技术和创新性设计实现最优极限化器件性能及最小化系统成本，

Maximum Semiconductor Inc.是一家系统集成功率半导体设计公司，致力于提供创新型及成本节约型技术以实现最优化功率管理方案。相比于其他半导体供应商，Maximum 凭借其规模和专业水平，在客户服务方面具有绝对竞争力，可实现全方位合作伙伴关系。

主要研发团队由原任职MaximIntegrated技术执行官，高级工程总监Vito Silicolin，Power Integrations Inc.系统集成器件技术总监，AT&T贝尔实验室杰出技术骨干；Dr.Silicolin,其专注于功率沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管、高压集成电路、BCDMOS及亚微米互补式金属氧化物半导体。

此外，Dr. Silicolin还拥有超过100项的发布及待发布专利，他的发明包括横向绝缘栅双极晶体管（LIGBT）、WFET以及目前的领先技术——Turbo-FET trench MOSFET，2011年，Dr.Silicolin为功率半导体器件国际研讨会及系统电路 (SPSD)副主席。同时，Dr.Silicolin也是IEEE Tran Electron Device 功率半导体器件的编辑。其于英国威尔士大学获得电子工程博士学位。

Maximum不仅具备专有的器件结构和工艺技术，同时还拥有大量和持续增加的知识产权，其用在系统执行电路中的碳化硅肖特基器件，以及外围毕环芯片，可广泛用于系统集成转换效率提高，功率器件与分立器件的低成本高效提升，使得其客户和战略合作伙伴保持最强竞争力，为市场不断提供尖端产品。无论是产品还是服务，Maximum凭借丰富的研发、设计及在应用领域等方面的经验，均可实现超越对方期望的高性能。

目前产品主要有：新能源构件器件设计Chip（高效能充电放电转换碳化硅器件），系统运放解决方案，智能照明系统解决方案，工业过程控制方案（SPC) ，电源管理芯片（AC-DC/DC-DC),PFC，IGBT,Super MOSFETs, 外围闭环芯片chip器件（高压MOS，中压MOS，低压MOS，整流二极管，快恢复整流器，高效整流器，超快回复整流器，FRD，肖特基二极管，稳压二极管，瞬态电压抑制，桥式整流器，ESD保护，通用三极管，开关三极管，晶体管，单向可控硅，双向可控硅，三象限可控硅），功率模块系列chip（IGBT 整流 快恢复 晶闸管）。

望采纳，谢谢。

SEMI是Semiconduct or　Equipment　and　Materials　International即国际半导体设备和材料协会的简称，创建于1970年，是一个有诸如IBM、TI、FSC、NSC、日立、东芝、松下、西门子、应用材料、东京电子、NIKON、LAM研发、佳能、ASM　International、VARIAV、日本真空电子株式会社等半导体器件、计算机与通信设备等生产企业参加的跨国组织，也是为其全球的成员公司提供多种服务的国际贸易协会，在世界上享有盛誉。贴有“semi”标志则表示符合了半导体行业的相关标准

苏州国芯科技有限公司、上海交大创奇信息安全芯片科技有限公司、上海明证软件技术有限公司、无锡国家集成电路设计基地有限公司等。

SEMI最新版的全球集成电路制造厂预测报告揭示，半导体厂2010年的支出预计将上升至300多亿美元，较2009年同比增长88%。不少代工厂和存储器公司在过去的几个月内宣布了增加资本开支的计划。

此外，一部分之前“冻结”的项目也将陆续解冻，例如，TI的RFAB、TSMC12厂5期和UMC12A厂3/4期(前12B厂)以及三星的第16生产线和IM在新加坡的闪存工厂。SEMI的全球集成电路制造厂观测报告也揭示了一批即将破土动工的新建芯片制造厂的计划，如TSMC14厂的第4期、可能动工的FlashAlliance的5厂及其他。

当然即使2010年的支出已呈大幅度增长态势，前道fab厂的支出仍需在2011年增长至少49%，才能使得设备支出回到2007年的水平。此外，设备的支出计划也取决于全球经济的持续复苏情况。SEMI全球集成电路制造厂观测报告(SEMIWorldFabForecast)预测，2011年前道fab的支出额将略逊于2007年，达到423亿美元。

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