公司成立至今,本着对电子行业的促进与发展,不断的致力于技术创新和设计改良。经中华人民共和国国家知识产权局及台湾经济部智慧财产局审批,先后获得以下发明专利:
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1999年,获得贴片式半导体元件SMD先打扁新型结构专利权。此新型结构设计能大大减少晶粒在封装过程中所受的应力。
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2007年,获得TO-220新型结构专利权。此新型结构设计使TO-220本体更小,从而节约安装空间;圆柱型引脚设计可360°弯折,满足客户无限空间设计。
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2008年,获得用于二极管加工焊接的碳精石墨焊接板专利权。此石墨焊接板在二极管制作过程中能实现孔径定位引线焊接,使得晶粒定位更精准。
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2008年,获得TO-220新型结构制备方法及结构专利权。新结构制备方法提高了产品品质,缩短生产制程,资源得到有效节约。
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2008年,获得内控真空焊接炉专利权。使用此创新内控真空炉焊接,无需添加助焊剂,避免晶粒受污染,且氮气用量仅为普通隧道炉用量的1/1000。
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2008年,获得贴片式半导体元件SMD先打扁新型结构专利权。此新型结构设计能大大减少晶粒在封装过程中所受的应力。
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2008年,获得贴片式半导体元件SMD先打扁新型结构制备方法专利权。新结构制备方法提高了产品品质,缩短生产制程,资源得到有效节约。
这些创新发明主要通过对石墨焊接板的结构改良、晶体管组合结构的改进及焊接炉的新型设计,使得二极管的品质提高,空间设计柔韧度增强,耗材减少,从而给您提供更优化的产品性价比!
社会在不断进步,我们将不懈努力,开创更多的新技术,与您共同发展!
简介:注册号:****所在地:上海市注册资本:7605万美元法定代表:尹志尧(GERALDZHEYAOYIN)企业类型:有限责任公司(中外合作)登记状态:存续登记机关:浦东新区市场监管局注册地址:上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号法定代表人:尹志尧(GERALD ZHEYAO YIN)
成立时间:2004-05-31
注册资本:36935.3273万美元
工商注册号:310115400151472
企业类型:有限责任公司(中外合资)
公司地址:上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
好。是宝山高新园南区重点企业,经过多年发展,产品技术市场占有率和竞争力不断扩大。2021年8月,企业打算在半导体设备制造业务领域扩产增容,得知这一信息后,园区主动上门对接,按照光驰拓展功能性质,推荐北区土地来承接企业发展需求。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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