PEVDF板和PVDF棒有什么性能特点？

PVDF板 （聚偏氟乙烯）：是一种相当纯净的聚合物，它不含紫外稳定剂、热稳定剂、软化剂、润滑剂或阻燃剂等添加剂。特别适合用于纯水系统和半导体行业中纯净化学试剂的传输。由于 PVDF 的化学惰性，它几乎不与任何介质发生反应。

PVDF板 耐温度高（可在 150 度下持续工作），优良的抗化学腐蚀及抗水解性能，突出的抗紫外线和耐气候性能。机械强度高、刚性好、耐蠕变性能好、良好的滑动性和耐磨性能、固有的低可燃性，电绝缘性能好。

具体可参考：http://www.anheda.com.cn/cn/products.asp?bid=96

稳压二极管，英文名：Zener diode，又叫齐纳二极管，是一种用特殊工艺制造而成的面结型硅半导体二极管，它的外形、内部结构与普通二极管相似。稳压二极管伏安特性曲线的正向特性和普通二极管差不多，反向特性是在反向电压低于反向击穿电压时，反向电阻很大，反向漏电流极小。但是，当反向电压临近反向电压的临界值时，反向电流骤然增大，称为击穿，在这一临界击穿点上，反向电阻骤然降至很小值。尽管电流在很大的范围内变化，而二极管两端的电压却基本上稳定在击穿电压附近，从而实现了二极管的稳压功能。

稳压二极管伏安特性

稳压二极管根据额定功耗分，有：

1）1W：1N4728A-Z1330A（DO-41封装）、SMA4728A-SZ1330A（SMA/DO-214AC封装）、SML4728A-SMZ1330A（SOD-123）；

2）1.5W：1N5919B-1N5956B（DO-41封装）、SMA5919B-SMA5956B（SMA/DO-214AC封装）；

3）2W：2EZ5.6D5-2EZ330D5（DO-15封装）、SMB2EZ5.6D5-SMB2EZ330D5（SMB/DO-214AA封装）；

4）3W：3EZ5.6D5-3EZ200D5（DO-15封装）、SMB3EZ5.6D5- SMB3EZ200D5（SMB/DO-214AA封装）；

5）5W：1N5338B-1N5388B（DO-201封装）、SMC5338B-SMC5388B（SMC/DO-214AB封装）；

面对如此多的系列，该如何选择？接下来分享：稳压二极管选型。

1）稳压二极管的稳压值离散性很大，即使同一厂家同一型号产品，其稳定电压值也不完全一样，这一点在选用时应加以注意。对要求较高的电路，选用前应对稳压值进行检测。

2）对于过电压保护的稳压二极管，其稳定电压的选定要依据保护电压的大小选用，其稳定电压值不能选得过大或过小，否则起不到电压保护的作用。

3）在选用稳压二极管时，除了要注意稳定电压、最大工作电流等参数外，还要注意选用动态电阻较小的稳压二极管，因为动态电阻越小，稳压性能越好。

4）使用稳压管时应注意，二极管的反向电流不能无限增大，否则会导致二极管的过热损坏。因此，稳压管在电路中一般需要串联限流电阻。

5）选用稳压二极管时，要根据具体电子电路来考虑，简单的并联稳压电源，输出电压就是稳压二极管的稳定电压。

稳压二极管

中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心纳米物理与器件重点实验室高鸿钧院士带领的研究团队多年来一直致力于新型二维原子晶体材料的制备、物性调控及原型器件构筑等方面的研究，并取得了一系列重要研究成果。例如他们成功实现了黑磷的电子掺杂，并构筑了黑磷栅控二极管、逻辑反相器、双向整流器等一系列平面器件（Nano Lett. 16, 6870 (2016)），进一步利用交联PMMA作为顶栅，SiO2作为背栅，通过双栅调控成功实现了黑磷的单极性（N型或P型）场效应晶体管（2D Mater. 4, 025056 (2017)）。

近期，该研究组博士生吴良妹（已毕业）和鲍丽宏副研究员等针对InSe和传统栅介质（如SiO2、Al2O3、HfO2等）的界面特性不兼容所诱导的额外载流子散射过程从而造成InSe的场效应晶体管的迁移率、开关比严重下降的关键科学问题，利用二维原子晶体异质结堆叠技术，将InSe作为沟道材料、六方氮化硼（h-BN）作为背栅、石墨 （graphite）作为栅电极，成功构筑了InSe/h-BN/graphite异质结。对该异质结进行高分辨扫描透射显微镜表征发现InSe与h-BN之间具有原子级锐利的界面特性（与中国科学院大学周武教授合作）。这一原子级锐利的界面特性极大的降低了载流子在沟道与栅介质界面处的散射，使得以该异质结作为核心单元构筑的场效应晶体管表现出高达1146 cm 2 /Vs的电子迁移率，~10 10 的电流开关比。进一步利用该异质结构筑的逻辑反相电路的电压增益高达93.4。利用二维原子晶体材料的良好的力学柔韧性，将该异质结放置于柔性衬底，在柔性衬底施加高达~2 %的应变时，相应的场效应晶体管的器件性能并没有发生明显退化，显示了该异质结在柔性电子学领域的潜在应用。以上结果以“InSe/h-BN/graphiete heterostructures for high-performance 2D electronics and flexible electronics”为题发表于 Nano Res. 13, 1127-1132 (2020)上。

基于InSe与h-BN间的原子级锐利界面特性，该研究组联合培养博士生刘丽和鲍丽宏副研究员等进一步利用有机透明铁电薄膜作为栅介质成功构筑了高性能InSe光电探测器。与传统栅介质相比，铁电栅介质具有极高的相对介电常数（~10 3 ），利用其自发极化特性，有望深度耗尽半导体沟道中的剩余载流子，从而极大的抑制光电探测器的暗电流，提高光电探测器的光开关比、光响应率等性能。他们使用透明铁电P（VDF-TrFE）共聚物薄膜作为顶栅介质、半透明铝膜作为顶栅电极、InSe作为沟道、h-BN作为衬底，制作了InSe光电探测器（图1）。

多层InSe沟道在铁电P（VDF-TrFE）调制下的转移曲线中存在一个~ 40 V的逆时针存储窗口，这是由铁电极化转换过程引起的。沟道电流（IDS）随着顶栅电压（Vtg）增加而增加，表明InSe沟道为典型的n型导电，电流的开/关比高达~10 8 （图2 a-b）。InSe 晶体管在铁电P（VDF-TrFE）薄膜三种极化状态调制下的输出特性表明载流子在极化向上状态下完全耗尽，其沟道电流IDS最小，使其暗电流低至~ 10 -14 A，而且沟道电流主要来自于光生载流子的贡献（图2c）。

而对于自然状态和极化向下状态，沟道电流不仅来源于光激发载流子，热离子/隧穿载流子也有很大的贡献（图3）。

图3. 零栅极电压下，多层InSe光电晶体管在铁电P（VDF-TrFE）层的三种极化状态下的光响应特性。（a-c）在VDS = 0 V下具有三种不同铁电极化状态的InSe光电晶体管的截面图。（d-f）在三种状态下，黑暗和光照时光电晶体管的IDS-VDS特性。（g-i）铁电栅控的InSe光电探测器在三种状态下的光开关特性。

铁电顶栅处于极化向上状态时，光电流Iph与激光功率之间呈幂律关系：Iph P0.44，表明光生载流子的效率与吸收的光子通量非线性相关，也反映了复合过程（陷阱态）所产生的光生载流子的损耗。在激光功率0.04 mW/cm -2 下，光响应率高达14250 AW -1 ，探测率高达1.63 1013 Jones，比之前的文献报道提高了两个数量级。InSe光电探测器的光电流开关的上升时间（tr）和下降时间（tf）分别为600 μs和1.2 ms，均优于之前报道的基于其他二维原子晶体的铁电栅控光电探测器（图4）。

该工作提出了一种利用铁电栅介质来调控二维原子晶体光晶体管的载流子电子输运的新方法，有效抑制了其暗电流，成功解决了当前二维原子晶体光探测器的光开关比和光响应率小的瓶颈问题，为未来基于二维原子晶体光电探测器的开发提供了一条新途径。

相关结果以“Ferroelectric-Gated InSe Photodetectors with High On/Off Ratios and Photoresponsivity”为题发表在Nano Lett. 20, 6666-6673 (2020)上。刘丽（湖南大学联合培养博士生）为第一作者，鲍丽宏副研究员和湖南大学秦志辉教授为共同联系作者。该工作的合作者包括美国Vanderbilt University的Sokrates T. Pantelides教授等。该工作得到了 科技 部、基金委以及中国科学院的资助。

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