迟滞特性表明检测系统在正向(输入量增大)和反向(输入量减小)行程期间,输入-输出特性曲线不一致的程度。也就是说,对同样大小的输入量,检测系统在下、反行程中,往往对应两个大小不同的输出量。通过实验,找出输出量的这种最大差值,并以满量程输出YFS的百分数表示,就得到了迟滞的大小式中,为输出值在正、反行程期间的最大差值。
重复性是指传感器在检测同一物理量时每次测量的不一致程度,也叫稳定性。重复性的高低与许多随机因素有关,也与产生迟滞的原因相似,它可用实验的方法来测定。
在直接耦合的放大电路中,即使将输入端短路,用灵敏的直流表测量输出端,也会有变化缓慢的输出电压。这种输入电压为零而输出电压不为零且缓慢变化的现象,称为零点漂移现象。在放大电路中,任何参数的变化,如电源电压的波动、元件的老化、半导体元件参数随温度变化而产生的变化。都将产生输出电压的漂移。在阻容耦合放大电路中,这种缓慢变化的漂移电压都将降落在耦合电容之上,而不会传递到下一级电路进一步放大。但是,在直接耦合放大电路中,由于前后级直接相连,前一级的漂移电压会和有用信号一起被送到下一级,而且逐级放大,以至于有时在输出端很难区分什么是有用信号、什么是漂移电压、放大电路不能正常工作。采用高质量的稳压电源和使用经过老化实验的元件就可以大大减小由此而差生的漂移。所以由温度变化所引起的半导体器件参数的变化是产生零点漂移现象的主要原因,因此也称零点漂移为温度漂移,简称温漂。
Drift-diffusion model漂移扩散模型
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1.
Quasineutral Limit of a Nonlinear Drift Diffusion Model forSemiconductors: The Fast Diffusion Case
半导体中非线性漂流扩散模型的拟中性极限:快扩散情形
2.
Quasineutral Limit of Drift-Diffusion Model for p-n JunctionSemiconductor Devices
带p-n结半导体器件飘流扩散模型的拟中性极限
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