不同用途的diode制造工艺有区别。有很多种工艺。
备料→检查支架→清理模条→模条预热→发放支架→点胶→扩晶→固晶→固检→焊线→焊检→进入封胶站→封胶→短烤→离模→长考→前切→测试→外观→品检→后切→包装→品检→入库
主要是对硅晶片(Siwafer)的一系列处理
1、清洗
->
2、在晶片上铺一层所需要的半导体
->
3、加上掩膜
->
4、把不要的部分腐蚀掉
->
5、清洗
重复2到5就可以得到所需要的芯片了
Cleaning
->
Deposition
->
Mask
Deposition
->
Etching
->
Cleaning
1、中的清洗过程中会用到硝酸,氢氟酸等酸,用于清洗有机物和无机物的污染
其中Deposition过程可能会用到多种器材,比如HELIOS等~
Mask
Deposition过程中需要很多器材,包括Spinner,Hot
plate,EVG等等~
根据材料不同或者需要的工艺精度不同,Etching也分很多器材,可以使用专门的液体做Wet
etch,或者用离子做Plasma
Etching等
最后一部的Cleaning一般是用Develpoer洗掉之前覆盖的掩模~
多数器材都是Oxford
Instruments出的
具体建议你去多看看相关的英文书,这里说不清楚。。
IC的制备工艺相对复杂一点,但跟基本的晶体管、MOS工艺等差不多的。NPN管为例硅外延平面管的结构主要工艺流程:(1) 切,磨,抛衬底(2)外延(3)一次氧化(4)基区光刻(5)硼扩散/硼注入,退火(6)发射区光刻(7)磷扩散(磷再扩)(8)低氧(9)刻引线孔 (10)蒸铝(11)铝反刻(12)合金化 (13)CVD(14)压点光刻(15)烘焙(16)机减(17)抛光(18)蒸金(19)金合金(20)中测.欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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