请问二氧化硅、氮化硅和磷原子在半导体制造中的作用分别是什么？

如果想了解这些知识首先要知道半导体制造中最重要的最基础的是PN结，晶体管、MOS管都是以此为基础制造出来的。而p作为掺杂剂，用于形成n型半导体。二氧化硅主要是做掩蔽膜。氮化硅本身就是半导体，既可以做掩蔽膜又可以做异质结，作为第三代半导体，它有很大的发展潜力

1、氮化硅的物理性能：①热学性质：属高温难熔物质，无熔点，常压下1900℃左右分解，抗高压蠕变能力强，不含粘结剂的反应烧结氮化硅负荷软化点可高达1800℃；②导热性能好；③热膨胀系数小；④电绝缘性能好，介电系数小，抗击穿电压高。2、氮化硅的化学性能：①抗氧化性：800℃以下干燥气氛中不与氧反应；②抗熔融金属腐蚀性：氮化硅对单质金属融液（除铜外）不浸润，不受腐蚀；③抗酸碱盐腐蚀性：易溶于氢氟酸，与稀酸不起作用。3、氮化硅的机械性能：①高温强度好，1200℃高温强度与室温强度相比衰减不大，另外，它的高温蠕变率很低。这些都是由强共价键本质所决定的；②硬度高，仅次于金刚石、立方BN、B4C等少数几种超硬材料；③摩擦系数小，有自润滑性，与加油的金属表面相似。

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