欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
一.万用表检测普通二极管的极性与好坏。检测原理:根据二极管的单向导电性这一特点性能良好的二极管,其正向电阻小,反向电阻大;这两个数值相差越大越好。若相差不多说明二极管的性能不好或已经损坏。测量时,选用万用表的“欧姆”挡。一般用R x100或R xlk挡,而不用Rx1或R x10k挡。因为Rxl挡的电流太大,容易烧坏二极管,R xlok挡的内电源电压太大,易击穿二极管.测量方法:将两表棒分别接在二极管的两个电极上,读出测量的阻值;然后将表棒对换再测量一次,记下第二次阻值。若两次阻值相差很大,说明该二极管性能良好;并根据测量电阻小的那次的表棒接法(称之为正向连接),判断出与黑表棒连接的是二极管的正极,与红表棒连接的是二极管的负极。因为万用表的内电源的正极与万用表的“—”插孔连通,内电源的负极与万用表的“+”插孔连通。如果两次测量的阻值都很小,说明二极管已经击穿;如果两次测量的阻值都很大,说明二极管内部已经断路:两次测量的阻值相差不大,说明二极管性能欠佳。在这些情况下,二极管就不能使用了。必须指出:由于二极管的伏安特性是非线性的,用万用表的不同电阻挡测量二极管的电阻时,会得出不同的电阻值;实际使用时,流过二极管的电流会较大,因而二极管呈现的电阻值会更小些。二.特殊类型二极管的检测。①稳压二极管。稳压二极管是一种工作在反向击穿区、具有稳定电压作用的二极管。其极性与性能好坏的测量与普通二极管的测量方法相似,不同之处在于:当使用万用表的Rxlk挡测量二极管时,测得其反向电阻是很大的,此时,将万用表转换到Rx10k档,如果出现万用表指针向右偏转较大角度,即反向电阻值减小很多的情况,则该二极管为稳压二极管;如果反向电阻基本不变,说明该二极管是普通二极管,而不是稳压二极管。 稳压二极管的测量原理是:万用表Rxlk挡的内电池电压较小,通常不会使普通二极管和稳压二极管击穿,所以测出的反向电阻都很大。当万用表转换到Rx10k挡时,万用表内电池电压变得很大,使稳压二极管出现反向击穿现象,所以其反向电阻下降很多,由于普通二极管的反向击穿电压比稳压二极管高得多,因而普通二极管不击穿,其反向电阻仍然很大。②发光二极管LED(Light EMitting Diode)。发光二极管是一种将电能转换成光能的特殊二极管,是一种新型的冷光源,常用于电子设备的电平指示、模拟显示等场合。它常采用砷化嫁、磷化嫁等化合物半导体制成。发光二极管的发光颜色主要取决于所用半导体的材料,可以发出红、橙、黄、绿等四种可见光。发光二极管的外壳是透明的,外壳的颜色表示了它的发光颜色。 发光二极管工作在正向区域,其正向导通(开启)工作电压高于普通二极管。外加正向电压越大,LED发光越亮,但使用中应注意,外加正向电压不能使发光二极管超过其最大工作电流,以免烧坏管子。 对发光二极管的检测方法主要采用万用表的Rx10k挡,其测量方法及对其性能的好坏判断与普通二极管相同。但发光二极管的正向、反向电阻均比普通二极管大得多。在测量发光二极管的正向电阻时,可以看到该二极管有微微的发光现象。③光电二极管。光电二极管又称为光敏二极管,它是一种将光能转换为电能的特殊二极管,其管壳上有一个嵌着玻璃的窗口,以便于接受光线。光电二极管工作在反向工作区。无光照时,光电二极管与普通二极管一样,反向电流很小(一般小于o.1uA),光电管的反向电阻很大(几十兆欧以上);有光照时,反向电流明显增加,反向电阻明显下降(几千欧到几十千欧),即反向电流(称为光电流)与光照成正比。 光电二极管可用于光的测量,可当做一种能源(光电池)。它作为传感器件广泛应用于光电控制系统中。 光电二极管的检测方法与普通二极管基本相同。不同之处是:有光照和无光照两种情况下,反向电阻相差很大:若测量结果相差不大,说明该光电二极管已损坏或该二极管不是发光二极管。半导体二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)。它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子,这种电子器件按照外加电压的方向,具备单向电流的传导性。工作原理:半导体二极管是一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成了空间电荷层,并且建有自建电场,当不存在外加电压时,因为p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当产生正向电压偏置时,外界电场与自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流(也就是导电的原因)。 当产生反向电压偏置时,外界电场与自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围中与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0(这也就是不导电的原因)。当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。
赞
(0)
打赏
微信扫一扫
支付宝扫一扫
佳能将于2023年上半年发售3D半导体光刻机
上一篇
2023-04-17
中国芯片发展现状
下一篇
2023-04-17
评论列表(0条)