中国企业为什么会对日本半导体原材料有如此强的依赖性？

日本在半导体设备和材料市场表现优秀，只是几棵树木的优秀，不是整片森林的出色。

汤之上隆认为，日本企业太容易墨守成规，不知变通，为了所谓的技术常常把工艺工序搞得很复杂，推高产品成本，很容易在技术更新换代时被淘汰。这就是日本工匠精神的局限。

富士通和NEC等日本芯片制造商虽然最先掌握铜布线量产工艺，但并未笑到最后，现在富士通、NEC等芯片业务的坟头草都有一丈高了，台积电却成长为业界的加州巨杉。

日本人当然不会这么傻，在向韩国扔出王炸时，他们早已看准了中国庞大的市场需求。

继近期三星太子李在镕飞往日本紧急解决关键半导体材料断供问题后，有媒体报道，韩国另一大半导体存储芯片制造商海力士也坐不住了，其CEO李锡熙在上周日(7月21日)也飞赴日本，和日本合作伙伴商讨如何解决断供问题。

韩国两大半导体厂老板先后被逼得出面救火，强大的韩国半导体产业在日本的锁喉功面前，似乎都成了纸老虎，有媒体更是因此直呼日本惹不起。

然而，如果追根朔源，就会发现，被认为是行业优等生的日本半导体材料(包括设备)企业，实际都是日本心中永远的痛。它们的优秀，远不如我们想象中的炫目。

1，芯片战遗产

1955年，索尼公司创始人盛田昭夫和井深大花2500美元，从AT&T下属的贝尔实验室购买到晶体三极管的专利许可，开始制造半导体收音机。日本的半导体产业由此起步。

从1970年代到1980年代，日本半导体产业迎来了兴盛期，半导体存储特别是DRAM(电脑内存)成为了日本第一产业，曾经的霸主美国被拉下马。1986年，日本半导体芯片占全球份额的40%，在DRAM领域最高则占据了80%的份额。

当时英特尔的主业正从DRAM切换到CPU，CPU还未成为引领行业的产品，因此全球半导体芯片生产的重心逐渐偏向日本硅岛(九州岛)。

相对于CPU来说，DRAM的结构简单得多，进入门槛不高，变成一种拼制造的产业，日本几乎有点实力的公司都争相挤入DRAM。在日本半导体产业发展高峰时期，既有NEC这种老牌的半导体厂商，也有做家电的松下和炼钢铁的新日铁这样的奇葩新人。

比较惹眼的是新日铁，主业是傻大黑粗的钢铁，和半导体没半毛钱关系，也要来分一杯羹，不仅要抢DRAM蛋糕，连半导体材料也不放过，毫不犹豫地进入了硅晶圆业务，2003失败退出后，2009年又进入碳化硅晶圆领域，期望在功率半导体底板材料领域有所作为，并且还颇有雄心壮志，其董事长石山照明在媒体上放话，要成为仅次于美国可瑞(Cree)公司的企业。美国可瑞(Cree)公司是谁?碳化硅晶圆市场的领投羊企业，石山照明的意思自然是，做不了行业老大，做行业老二可以吧。

总之，随着日本半导体芯片奠定在全球的江湖地位后，配套的日本半导体材料和设备也崛起为一支强势力量。

沾半导体芯片光的还有日本传统制造业，电子计算器、家电、照相机、汽车、手机(功能机)、显示器等产业相继崛起，几乎每一个都把美国相应的产业摁在地上摩擦。可以说，在半导体芯片的引领下，整个日本制造业实现了腾飞。

尽管目前中国半导体行业已经有所进步，华为海思芯片也已经成为处于全球领先水平，中芯国际集成电路的IC制造工艺也已经稳居国内榜首，但是相比国际水平来说还是有很大差距。Gartner发布的2018年全球半导体营收25强榜单显示，中国大陆仅华为海思半导体入榜，排名第21位。虽然日本半导体行业有所落寞，但目前包括东芝、索尼在内的半导体企业仍然处于全球领先水平。

Yuanta Research发布的报告显示，2018年全球CMOS图像传感器的市场规模为137亿美元，其中索尼市占率为49.9%，排名第一，远超第二名三星19.6%的市占率。而不得不说的是，在全球CMOS生产上，无论三星还是我国其他企业，在原材料和机器设备上都离不开日本企业的支持。

氟化聚酰亚胺和光刻胶用于OLED面板生产，其中，光刻胶是显示面板生产工程中曝光工程上的必需材料；氟化聚酰亚胺是透明CPI膜的原材料；光刻胶主要是用于半导体光刻和蚀刻工艺，这三大材料日本基本垄断了全球主要产能。

因此，如果日本对我国限制出口，那么，我国不能说与韩国受到如此大的震动，但是影响肯定有的。但是日本基本不太可能对我国实行贸易限制，因为中国为日本的最大进口国之一，与中国打贸易战基本是自断后路，一损俱损的状态。随着我国半导体技术的不断发展，相信不久后中国就能突破技术壁垒，不再依赖外国进口。

姓 名：李欢迎            学 号：20181214053              学 院：广研院

原文链接：https://xueqiu.com/7332265621/133496263

【 嵌牛导读 】 ： 半导体的应用领域很广，在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，可以说是现代科技的骨架。半导体应用的关键领域便是集成电路。集成电路发明起源于美国，后来在日本加速发展壮大，到目前在韩国台湾分化发展。本文旨在介绍日本半导体的发家史，体会上世纪美日之间在半导体产业争霸上的血雨腥风，同时从中寻找一些我国科技产业的发展经验。

【 嵌牛鼻子 】 ： 日本半导体产业

【 嵌牛提问 】 ： 日本半导体产业是如何在美国技术封锁的牢笼中走向世界？

【 嵌牛内容 】

       在集成电路行业，全球范围内的每一次技术升级都伴随模式创新，谁认清了技术、投资和模式间的关系，谁才能掌握新一轮发展主导权，在全球竞争中占据更为有利的地位，超大规模集成电路（VLSI）计划便是例证。日本的集成电路产业发展较早，在20世纪60年代便已经有了研究基础，发展至今经历了从小到大、从弱到强、转型演变的历史，其中从1976年3月开始实施的超大规模集成电路计划是一个里程碑。

日本集成电路的起点

       在超大规模集成电路计划实施前，日本的集成电路行业已经有了一定的基础。作为冷战时期美国抵御苏联影响的桥头堡，日本的集成电路发展得到了美国的支持。1963年，日本电气公司便获得了仙童半导体公司的平面技术授权，而日本政府则要求日本电气将其技术与日本其他厂商分享。以此为起点，日本电气、三菱、夏普、京都电气都进入了集成电路行业。在日本早期的集成电路发展中，与美国同期以军用市场为主不同的是，日本在引进技术后侧重于民用市场。究其原因，第二次世界大战后，日本的军事建设受限，在美苏航天争霸的过程中日本的半导体技术只能用于民间市场。正是如此，日本走出了一条以民用市场需求为导向的集成电路发展之路，并在20世纪70年代和80年代一度赶超美国。

        日本政府为集成电路的发展制定了一系列的政策措施，例如1957年制定的《电子工业振兴临时措施法》、1971年制定的《特定电子工业及特定机械工业振兴临时措施法》和1978年制定的《特定机械情报产业振兴临时措施法》，加上民用市场的保护使日本的集成电路具备了一定的基础。

20世纪70年代，在美国施压下，日本被迫开放其半导体和集成电路市场，而同期IBM正在研发高性能、微型化的计算机系统。在这样的背景下，1974年6月日本电子工业振兴协会向日本通产省提出了由政府、产业及研究机构共同开发“超大规模集成电路”的设想。此后，日本政府下定了自主研发芯片、缩小与美国差距的决心，并于1976—1979年组织了联合攻关计划，即超大规模集成电路计划，计划设国立研发机构——超大规模集成电路技术研究所。此计划由日本通产省牵头，以日立、三菱、富士通、东芝、日本电气五家公司为主体，以日本通产省的电气技术实验室、日本工业技术研究院电子综合研究所和计算机综合研究所为支持，其目标是集中优势人才，促进企业间相互交流和协作攻关，推动半导体和集成电路技术水平的提升，以赶超美国的集成电路技术水平。

        项目实施的4年间共取得上千件专利，大幅提升了日本的集成电路技术水平，为日本企业在20世纪80年代的集成电路竞争铺平了道路，取得了预期的效果。把握世界竞争大势、研判未来发展方向，需要凝聚力量、统筹协调的专业认知作为支撑。尽管事后看，日本的超大规模集成电路计划实施效果非常理想，但是实施过程却并不顺利。根据前期测算，计划需投入3000亿日元，业界希望能够得到1500亿日元的政府资助，后来实施4年间共投入737亿日元，其中政府投入291亿日元。其间，自民党信息产业议员联盟会长桥木登美三郎多次努力，希望政府追加投入，但是未能如愿。政府投入未及预期，参与企业的士气受到了一定程度的打击。当时，参与计划的富士通公司福安一美说：“当时，大家都有一种被公司遗弃的感觉，而且并未料到竟然研制出向IBM挑战的产品。”

       投入不及预期，再加上研究人员从各企业和机构间临时抽调、各行其道，一时间日本的超大规模集成电路计划开发很不顺利，不同研究室人员间互相提防、互不往来、互不沟通的现象十分普遍。 此时，垂井康夫站了出来。垂井康夫1929年出生于东京，1951年毕业于早稻田大学第一理工学院电气工学专业，1958年申请了晶体管相关的专利，是日本半导体研究的开山鼻祖，1976年超大规模集成电路技术研究会成立时被任命为联合研究所的所长。

       垂井康夫在当时的日本业界颇具声望，他的领导使各成员都能信服。 垂井康夫对参与方进行积极的引导，指出参与方只有同心协力才能改变基础技术落后的局面，在基础技术开发完成后各企业再各自进行产品开发，这样才能改变在国际竞争氛围中孤军作战的困局。垂井康夫的努力，很快为研发人员所接受，各家力量得到了有效的融合，而历时4年的风雨同舟、协同努力成了日本集成电路产业发展的最好推力。除垂井康夫外，当时已从日本通产省退休的根岸正人功不可没。当时，超大规模集成电路技术研究会设理事会，日立公司社长吉ft博吉担任理事长，但是在真正的执行过程中，根岸正人发挥了很好的协调作用。

       根岸正人有多年推动大型国家研究计划的经验，他对计划各参与方的能力、利益诉求都颇为了解，在计划中通过其有效的沟通化解了冲 突，为垂井康夫成功地凝聚团队做了背后的铺垫。 可以看出，在集成电路的研发攻关中，除了资金和资源投入外，团队协调和技术融合更是成功的关键。

       从超大规模集成电路计划的组织架构来看，除垂井康夫领导的联合研究所外，先前成立的两个联合研究机构也参与了超大规模集成电路计划，分别是日立、三菱、富士通联合建立的计算机综合研究所，以及由日本电气和东芝联合成立的日电东芝信息系统。三个研究所分别从事超大规模集成电路、计算机和信息系统的研发，其中联合研究所负责基础及通用技术的研发，另两个研究所则负责实用化技术开发（重点为64KB及256KB内存芯片的设计及开发）。在各方的协同努力下，参与方都派遣了其最优秀的工程师。来自各地的工程师们肩并肩地在同一研究所内共同工作、共同生活、集中研 究，在微细加工技术及相关设备、硅晶圆的结晶技术、集成电路设计技术、工艺技术和测试技术上取得了突破。其中，联合研究所主要负责微细加工技术及相关设备、硅晶圆的结晶技术的攻关，其他技术的通用部分也由其负责，实用化的开发则由另两个研究所负责。

       具体来看，六个研究室中，分别由不同企业负责协调：第一、第二、第三研究室主要攻关微细加工技术，分别由日立、富士通和东芝负责协调；第四研究室攻关结晶技术，由工业技术研究院电子综合研究所负责协调；第五研究室负责工艺技术，由三菱负责协调；第六研究室攻关测试、评价及产品技 术，由日本电气负责协调。微细加工技术是计划的重心，从联合研究所的研究成果来看，日本当时开发了三种电子束描绘装置、电子束描绘软件、高解析度掩膜及检查装置、硅晶圆含氧量及碳量的分析技术等。垂井康夫评估说，计划实施完毕后日本的半导体技术已和IBM并驾齐驱。在计划中，日本企业对于动态随机存储器有了深入的理解，其更高质量、更高性能的动态随机存储器芯片为日本赶超美国提供了机遇。

       从1980年至1986年，日本企业的半导体市场份额由26％上升至45％，而美国企业的半导体市场份额则从61％下滑至43％。 1980年，联合研究所的研究工作已全部结束，而另两个研究所则追加资金（共约1300亿日元）作进一步的技术开发， 以1980年至1982年为第一期，1983至1986年为第二期。 这些系统化的布局为日本的半导体行业腾飞发挥了至关重要的作用。

       从人员来看，计划开展期间的联合研究所研发人员数量为100人左右，计算机综合研究所的研发人员数量为400人左右，日电东芝信息系统则为370人左右。在后续投入阶段，研究人员数量减少，1985年计算机综合研究所研发人员已减至90人左右，而日电东芝信息系统则减至30人左右。尽管联合研究所研发人员相对较少，但事关各企业的未来发展基础，因此各企业都派遣一流人才参与。在此过程中，垂井康夫对各企业都十分了解，点名要求各企业派遣其看中的人才。

       在实施超大规模集成电路计划及后续的资助计划后，1986年日本半导体产品已占世界市场的45％，超越美国成为全球第一半导体生产大 国。 1989年，在存储芯片领域，日本企业的市场份额已达53％，与美国该领域37％的市场份额形成了鲜明对比。 在日本企业的巅峰时期，日本电气、东芝和日立三家企业排名动态存储器领域的全球前三，其市场份额甚至超90％，与之相比，美国德州仪器和镁光科技则苦苦支撑。

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