如何改变半导体激光器的波长

你好，根据半导体激光器的发光机理，半导体激光器的输出波长与注入电流有密切关系，以DBR半导体激光器为例，注入电流的改变能实现对激光器内部布拉格光栅有效折射率的改变，从而改变输出波长，还有热调谐，通过温度控制改变内部介质折射率，进而改变波长。希望帮到你，感谢采纳，继续为你解答！

对于近红外波段的VCSEL，使用的基本都是全半导体DBR反射镜，如表所示。基于AlGaAs材料的DBR应用的最为广泛，在波段650～690 nm，近红外的850～980 nm段，长波1.33～1.55 ptm段都有应用。在650～690 nm段，采用的是A1As／A1xGa-xAs基DBR，为了避免光吸收，需x＞0．4。对于780 nm的VCSEL，铝的组分要减少为x＝0.25；同理，对应于850 nm的x＝0.15，980 nm的VCSEL选用的是GaAs／A1As或GaAs／A1。q6Ga0.04As基DBR。

理想的VCSEL需要拥有最大的反射率和良好的散热性。与绝缘材料的DBR相比，全半导体DBR的折射率差要小许多，因此要达到99％的反射率，需要更多的DBR周期结构，并且还会在反射过程的相位变换中导致较高的色散。理想的全半导体DBR在垂直方向应该有着非常小的串联电阻，顶部发射VCSEL的环形电极还应有非常高的横向电导率。但是因为构成DBR的两种材料的价带不连续，造成了P型DBR的高串联电阻，发热十分严重。

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