(1) (2)N B (3)GaCl 3 +NH 3 =GaN+3HCl (4)共价键 原子 (5)①sp 3 4 ② |
试题分析:(1)镓为元素周期表第31号元素,在元素周期表中的位置是位于第四周期第ⅢA。镓原子价层电子排布图为 。(2)氮在第ⅤA.在第ⅤA的元素中,由于N原子半径最小,原子核外的最外层电子处于半充满的稳定状态。所以其第一电离能最大。镓在元素周期表第ⅢA。该主族中元素中电负性最大的元素是原子半径最小的B元素。(3)用CaCl 3 与NH 3 在一定条件下反应制备氮化镓,根据质量守恒定律可得该反应的化学方程式为GaCl 3 +NH 3 =GaN+3HCl。 (4)氮化镓与金刚石具有相似的晶体结构,金刚石的C原子之间以共价键结合,是原子晶体。所以氮化镓中氮原子与镓原子之间以共价键相结合,氮化镓属于原子晶体。(5) ①每个镓与4个N形成共价键,这四个N构成正四面体结构。每个N与4个Ga形成共价键,这四个Ga构成正四面体结构。所以氮化镓中镓原子的杂化方式为sp 3 。氮原子的配位数为4. ②在每个晶胞中含有Ga:8×1/8+1=2,含有N:4×1/4+1=2.即每个晶胞中含有2个GaN。氮化镓晶胞边长a。则 ,所以整理得: 。 |
2、半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。
3、半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用,如二极管就是采用半导体制作的器件。
半导体材料有:元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态与液态半导体,具体如下。
一、元素半导体
在元素周期表的ⅢA族至IVA族分布着11种具有半导性的元素,其中C表示金刚石。C、P、Se具有绝缘体与半导体两种形态;B、Si、Ge、Te具有半导性;Sn、As、Sb具有半导体与金属两种形态。P的熔点与沸点太低,Ⅰ的蒸汽压太高、容易分解,所以它们的实用价值不大。
As、Sb、Sn的稳定态是金属,半导体是不稳定的形态。B、C、Te也因制备工艺上的困难和性能方面的局限性而尚未被利用。
因此这11种元素半导体中只有Ge、Si、Se 3种元素已得到利用。Ge、Si仍是所有半导体材料中应用最广的两种材料。
二、无机化合物半导体
分二元系、三元系、四元系等。二元系包括:Ⅳ-Ⅳ族:SiC和Ge-Si合金都具有闪锌矿的结构。
Ⅲ-Ⅴ族:由周期表中Ⅲ族元素Al、Ga、In和V族元素P、As、Sb组成,典型的代表为GaAs。它们都具有闪锌矿结构,它们在应用方面仅次于Ge、Si,有很大的发展前途。
Ⅱ-Ⅵ族:Ⅱ族元素Zn、Cd、Hg和Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物,是一些重要的光电材料。ZnS、CdTe、HgTe具有闪锌矿结构。
Ⅰ-Ⅶ族:Ⅰ族元素Cu、Ag、Au和Ⅶ族元素Cl、Br、I形成的化合物,其中CuBr、CuI具有闪锌矿结构。
Ⅴ-Ⅵ族:Ⅴ族元素As、Sb、Bi和Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物具有的形式,如Bi2Te3、Bi2Se3、Bi2S3、As2Te3等是重要的温差电材料。
第四周期中的B族和过渡族元素Cu、Zn、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni的氧化物,为主要的热敏电阻材料。
某些稀土族元素Sc、Y、Sm、Eu、Yb、Tm与Ⅴ族元素N、As或Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物。
三、有机化合物半导体
已知的有机半导体有几十种,熟知的有萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等,它们作为半导体尚未得到应用。
四、非晶态与液态半导体
这类半导体与晶态半导体的最大区别是不具有严格周期性排列的晶体结构。
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