[化学--物质的结构与性质]砷化镓属于第三代半导体，它能直接将电能转变为光能，砷化镓灯泡寿命是普通灯泡

（1）A．GaAs晶体中As分布于晶胞体心，Ga分布于顶点和面心，而NaCl中阴阳离子分别位于晶胞的顶点、面心以及棱和体心，二者结构不同，故A错误；

B．同周期元素从左到右第一电离能逐渐增大，则第一电离能：As＞Ga，故B正确；

C．同周期元素从左到右电负性逐渐增大，则电负性：As＞Ga，故C正确；

D．砷和镓的价层电子都为sp电子，位于周期表p区，故D正确；

E．GaP的价层电子为3+5=8，SiC的价层电子为4+4=8，GaAs价层电子数为3+5=8，则为等电子体，故E正确；

故答案为：BCDE；

（2）反应为（CH3）3Ga和AsH3，生成为GaAs，根据质量守恒可知还应有和CH4，反应的化学方程式为：（CH3）3Ga+AsH3

700℃

GaAs+3CH4，AsH3中含有3个δ键和1个孤电子对，为三角锥形，（CH3）3Ga中Ga形成3个δ键，没有孤电子对，为sp2杂化，

故答案为：（CH3）3Ga+AsH3

700℃

GaAs+3CH4；三角锥；sp2；

（3）Ga的原子序数为31，核外电子排布式为1s22s22p63s23p63d104s24p1，

故答案为：1s22s22p63s23p63d104s24p1；

（4）N原子半径较小，电负性较大，对应的NH3分子间能形成氢键，沸点较高，而As电负性小，半径大，分子间不能形成氢键，沸点较低，

故答案为：NH3分子间能形成氢键，而As电负性小，半径大，分子间不能形成氢键．

（1）A．砷和镓的价层电子都为ns2np3电子，最后填充电子均为p电子，位于周期表p区，故A正确；

B．同周期元素从左到右第一电离能逐渐增大，则第一电离能：As＞Ga，故B错误；

C．同周期元素从左到右电负性逐渐增大，则电负性：As＞Ga，故C正确；

D．GaP的价层电子为3+5=8，SiC的价层电子为4+4=8，GaAs价层电子数为3+5=8，则为等电子体，故D正确；

故答案为：ACD；

（2）A．CH4中碳原子含有4个σ键且不含孤电子对，所以采用sp3杂化，故不选；

B．CH2=CH2中碳原子含有3个σ键且不含孤电子对，所以采用sp2杂化，故选；

C．CH≡CH中碳原子含有2个σ键且不含孤电子对，所以采用sp杂化，故不选；      

D．HCHO 中碳原子含有3个σ键且不含孤电子对，所以采用sp2杂化，故选；     

E．中碳原子含有3个σ键且不含孤电子对，所以采用sp2杂化，故选；

故答案为：BDE；

（3）Ga的原子序数为31，核外电子排布式为1s22s22p63s23p63d104s24p1，

故答案为：1s22s22p63s23p63d104s24p1；

（4）反应为（CH3）3Ga和AsH3，生成为GaAs，根据质量守恒可知还应有和CH4，反应的化学方程式为（CH3）3Ga+AsH3

700℃

GaAs+3CH4，

故答案为：（CH3）3Ga+AsH3

700℃

GaAs+3CH4；

（5）由图可知，As与Ga以正四面体为结构单元形成空间网状结构，与金刚石相似，则为原子晶体，

故答案为：原子晶体；As与Ga以正四面体为结构单元形成空间网状结构．

大多数类金属都可以。比较常见的有硅(Si)、锗(Ge)、镓(Ga)等。其中硅和锗一般使用其单质，而镓则使用其砷化物砷化镓(GaAs)作为半导体材料。砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构，禁带宽度是1.4电子伏。不过砷化镓也有不足之处，即其热稳定性不好，高温分解，限制了其普及运用。

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