国产芯片多少纳米

16纳米。

国产芯片多数_用16纳米，主要是成本合适，而且技术成熟，对于生产厂商来讲良品率高，另外更先进的芯片制程掌握在美国半导体厂商，三星，台积电手里，它们对大陆进行技术封锁，大陆技术芯片一般落后这些先进厂商二三代以上，因为现在中国大陆技术厂商有强大学习模仿研发能力，中国攻克外国的技术堡垒，其产品往往变成白菜价。

众所周知，全球制造芯片最厉害的当属台积电，目前已经是5nm，使用台积电5nm工艺术的苹果A14就已经发布了。但是对于我国来说，5nm显然是很遥远的存在。

报道指出，目前我国在相关技术上的掌握其实还远远不够，芯片制造本身需要脚踏实地的试验和研究，虽然理论上不存在问题，但技术和经验往往是决定成功与否的最重要标准。此前中科院发布的相关技术完全可以说是5nm芯片的相关技术，但距离掌握芯片制造的全工业流程还远远不足。必须清楚的是，由于起步较晚，我国在芯片领域虽然紧赶慢赶，但目前还只有180nm工艺的水平。

从全球半导体的工艺制程来看，28nm以上算是成熟工艺，而14nm及以下都算是先进工艺，而7nm或以下工艺的芯片产能占了全球总产能的90%以上，目前基本上也就只有几款手机芯片才使用5nm工艺。而我们知道芯片制造需要几十上百种设备，几百道工序，非常复杂，同时芯片制造遵循短板理论，那就是最高工艺，取决于最落后的那一款，也就是最短的那一块“板子”。

虽然理由很多，但其实说白了还是时间的问题，Intel从起家都干了多少年了？当时1968年我们在干啥；三星（1978年）和台积电（1987年）入行也相对较早，而当时我们才刚刚从传统产业中挣脱出来，还在艰难地摸索适合中国发展的模式。

从目前的垄断情况看，没有个数年甚至十年以上可能都是做不到的，但中国的科研团队向来耐得住寂寞。在当前国家越发重视科研的大背景下，资金和人员的投入不断加大，对普通人来说可能无法忍受，但对年轻或者年长的科学家们而言，距离研究出结果不过是又一个“十年”而已。

我们在追赶，ASML的EUV 4nm制程曝光机设备据说已被允许卖给中国，标志着设备方面我们不再成为关键的研发瓶颈。但长远来看，如果国内现在最先进都是14nm，买了曝光机直接进入4nm制程，随着摩尔定律的突破，可能跳级的结果是带来严重的不适症状，也就是项目难产。所以第一条提到的技术时间积累储备、有长期的学习曲线方面，这将是一条很坚硬很坚难的山路，可能我们要好长时间才能实现真正赶超。

等到我国不依赖国外的设备、材料，尤其是光刻机，能制造出10nm以内的芯片出来，才是算是真正的崛起，这时候再进行赶超就没那困难了。

国产芯片水平只能实现90纳米。

从芯片制造环节看，光刻机、蚀刻机、晶圆、光刻胶等设备和材料占比很大。其中光刻机设备，目前上海微电子是90纳米。高端的KrF和ArF光刻胶更是几乎依赖进口，其中ArF光刻胶几乎为零国产。因此，我国要生产高度国产化的芯片，目前90纳米是一个分界点。

这其中还不包含芯片设计使用的EDA设计软件和其它的电子化学气体材料。EDA软件被誉为“芯片设计上的明珠”，国产率不到2%。

90纳米芯片！相当于2004年的半导体工艺。2007年，苹果上市的第一代手机就是使用了90纳米的处理器。可以说，90纳米芯片瞬间让大家回到了15年前的科技生活。

当然，这样的结果只是一种极端的假设。我国半导体产业链，并不是这么差。有些环节、技术、设备已经达到国际水平。譬如芯片设计、人工智能、大数据、5G、蚀刻机。换言之，半导体基础把我国半导体的综合能力拉低了。

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