现在科技发展越来越迅速了，在我们生活中出现了很多新型的产品，其中感温探测器就是最先进产品之一。感温探测器主要的作用是用来检测周围环境的温度变化的，从而达到可以预防火灾的功能。感温探测器具有非常好的稳定性，灵敏性能，低功率，美观耐用，而且在是要的时候也是非常方便的，因此感温探测器越来越受大家所认可了，那么我就给大家详细说说有关于感温探测器。
感温探测器是什么
火灾时物质的燃烧产生大量的热量，使周围温度发生变化。感温探测器是对警戒范围中某一点或某一线路周围温度变化时响应的火灾探测器。它是将温度的变化转换为电信号以达到报警目的。
感温探测器种类
定温式探测器
定温式探测器是在规定时间内，火灾引起的温度上升超过某个定值时启动报警的火灾探测器。它有线型和点型两种结构。其中线型是当局部环境温度上升达到 规定值时，可熔绝缘物熔化使两导线短路，从而产生火灾报警信号。点型定温式探测器利用双金属片、易熔金属、热电偶热敏半导体电阻等元件，在规定的温度值上产生火灾报警信号。
差温式探测器
差温式探测器是在规定时间内，火灾引起的温度上升速率超过某个规定值时启动报警的火灾探测器。它也有线型和点型两种结构。线型差温式探测器是根据广 泛的热效应而动作的，点型差温式探测器是根据局部的热效应而动作的，主要感温器件是空气膜盒、热敏半导体电阻元件等。
差定温式探测器
差定温式探测器结合了定温和差温两种作用原理并将两种探测器结构组合在一起。差定温式探测器一般多是膜盒式或热敏半导体电阻式等点型组合式探测器。
感温探测器安装方法
1、感温探测器至墙壁、梁边的水平距离，不应小于0.5m
2、感温探测器周围水平距离0.5m内，不应有遮挡物
3、感温探测器至广播的水平距离，不应小于0.1m
4、在宽度小于3m的内走道顶棚上安装器时，宜居中安装。点型感温火灾器的安装间距，不应超过10m点型感烟火灾器的安装间距，不应超过15m。器至端墙的距离，不应大于安装间距的一半
5、感温探测器至空调送风口边的水平距离不应小于1.5m，并宜接近回风口安装，器至多孔送风顶棚孔口的水平距离不应小于0.5m。
6、感温探测器至灯具的水平距离，不应小于0.2m
7、感温探测器至喷头的水平距离，不应小于0.3m
8、房间被书架、设备或隔断等分隔，其顶部至顶棚或梁的距离小于房间净高的5%时，每个被隔开的部分至少应安装一只器。
9、烟感距开水器的距离不应小于1.5m。
10.喷淋头：之间的间距一般不超过、3.6米，与墙边的距离在0.8-1.8米之间。
11.烟感：A.烟感至墙壁不应小于0.5米、B.至边墙的距离不大于7.5米C.在内走道小于3米的天花顶设置时，宜居中布置，之间的距离不应超过15米。D.每个烟感的保护面积60平方米，保护距离5.8米。
12.消防广播：其位置应保证从一个防火分区的任何部位到最近一个广播的距离不大于25米，走道内最后一个广播至走道末端的距离不应大于12.5米。
感温探测器在我们生活中越来越重要了，尤其是对火灾的预防更是具有非常好的性能。感温探测器不但使用方便，而且使用的时候功耗也是非常低的你，稳定性能也是非常强的，并且感温探测器在很多的领域被广泛使用，其中最常见的领域就是厨房，锅炉，烘干车间，吸烟室，以及其他的公共场所。以上我们对感温探测器的知识说的也是很详细的，希望大家可以多关注。
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方法提要
试样经氢氟酸-硝酸-硫酸-高氯酸分解后，转化成(25+75)HNO3溶液，采用负压反相萃取色层或自然反相CL-TBP萃淋树脂萃取色层分离铀，以水解吸铀后，用电沉积法镀片制备铀α源，用α能谱分析仪测定234U/238U。
试样在刚玉坩埚中加入过氧化钠，于700℃熔融后，用10g/LEGTA-(5+95)三乙醇胺提取，制备成(25+75)HNO3溶液，采用负压反相萃取色层或自然反相CL-TBP萃淋树脂萃取色层分离钍，以3mol/LHCl洗脱钍后，用电沉积法镀片制备钍α源，用α能谱分析仪测定230Th/232Th。
仪器和装置
金硅面垒半导体探测器，α探测真空室，真空泵(真空度小于10Pa)，电荷灵敏放大器，线性放大器，偏压电源(输出电压0～300V，稳定度好于0.2%)，多道能谱仪(不少于1024道)。直流稳定电源(电流0～2A)。铂电极电沉积阳极。用直径0.5～1mm电铂丝，一端绕成"8mm左右的平面螺状环(盘香状)，电镀时，螺状环面对不锈钢圆片。沉积槽聚四氟乙烯制成，内径"20mm，高80mm，不锈钢底座，阳极与阴极间距1cm。恒温水浴箱。
试剂
过氧化钠。
氯化铵。
草酸铵。
氢氟酸。
硝酸。
高氯酸。
硫酸。
三乙醇胺-EGTA混合液100mL溶液中含5mL三乙醇胺和1gEGTA。
氯化镁溶液(20g/L)。
氢氧化钠溶液(10g/L)。
铀电沉积液称取2gNH4Cl和5g(NH4)2C2O4溶于100mL水中(30℃)，用盐酸调pH为6。
钍电沉积液称取2gNH4Cl和5g(NH4)2C2O4溶于100mL水中(30℃)，用盐酸调pH为2。
CL-TBP萃淋树脂0.193～0.250mm。
色层柱内径7.6mm，高150mm。
天然铀α标准源一个。
天然钍和230Th(或210Po)工作源各一个。
分析步骤
(1)测定铀的试样分解
称取0.1～4.0g(精确至0.0001g)铀总量不大于150μg试样置于100mL聚四氟乙烯烧杯中，加5mLHF、5mLHNO3、5mL(1+1)H2SO4和2mLHClO4，盖上聚四氟乙烯盖，在低温电炉上煮沸30min以上。打开盖，继续蒸发至小体积，取下，冷却，转入铂皿中，在电炉上蒸至白烟冒尽。取下，冷却，加15mL(2+1)HNO3，于电炉上提取至溶液透明，转入100mL烧杯中，用(1+3)HNO3冲洗铂皿，洗液转入100mL烧杯中，加入1～2gNa2O2，待剧烈反应完毕，用(1+3)HNO3冲洗杯壁，使溶液体积保持在50mL左右，继续在电炉上提取至溶液清澈透明。取下，冷却。
(2)铀富集分离
将溶液过滤于已用(1+3)HNO3平衡过的色层柱中，视需要采用负压反相萃取色层分离或自然反相萃取色层分离。
a.负压反相萃取色层分离。利用负压反相萃取色层分离杂质装置(图66.1)控制流速在2～5mL/min，待上柱液流尽，用20mL(1+3)HNO3淋洗柱3次用14mL3mol/LHCl淋洗柱3次，4mL水淋洗柱1次，流出液弃去。利用负压反相萃取色层分离钍(铀)装置(图66.2)，用10mL蒸馏水控制流速在2～5mL/min之间分2次洗脱铀，流出液承接于大气吸收瓶中，然后再转入50mL烧杯中，用水洗尽大气吸收瓶，洗液转入50mL烧杯中，加入1mLHNO3和0.5mLHClO4，置于电炉上冒烟蒸干后，稍冷却，再加入1mLHCl，低温蒸干，供电沉积使用。色层柱用20mL水淋洗后，用带玻璃珠的乳胶管堵住色层柱嘴。于色层柱贮液杯中加入20mL水，盖上盖，供下次使用。
图66.1 色层柱和接液瓶
图66.2 负压反相萃取色层分离杂质装置
图66.3 负压反相萃取色层分离钍(铀)装置
b. 自然反相萃取色层分离。控制自然流速在 1mL/min 以下，待上柱液流尽，用 20mL ( 1 +3) HNO3淋 洗 柱 3 次，用14mL 3mol / L HCl 淋洗柱 3 次，4mL 水淋洗柱1 次，流出液弃去。用 10mL 水分 2次洗脱铀，流出液承接于 50mL 烧杯中，加入1mL HNO3和 0. 5mL HClO4，置于电炉上冒烟蒸干后，稍冷却，再加入 1mLHCl，低温蒸干，供电沉积使用。色层柱用20mL 水淋洗后，用带玻璃珠的乳胶管堵住色层柱嘴。于色层柱贮液杯中加入20mL 水，盖上盖，供下次使用。
(3)测定钍的试样分解
称取0.1～4.0g(精确至0.0001g)钍总量不大于150μg试样置于刚玉坩埚中，视试样量，加入4～8gNa2O2，用玻棒搅匀，上面再覆盖一层过氧化钠，置于700℃的高温中熔融10min，取出，冷却。将坩埚放入250mL烧杯中，视试样量，用50～200mL三乙醇胺-EGTA混合液提取，洗出坩埚若溶液沉淀很少，则加入2mL氯化镁溶液。将烧杯置于电炉上煮沸2min，取下，冷却。用快速定量滤纸过滤，沉淀和烧杯用氢氧化钠溶液各洗2次，再用水各洗2次。用(3+7)热硝酸将沉淀溶解于原烧杯中。
(4)钍富集分离
将溶液过滤于已用(25+75)HNO3平衡过的色层柱中，视需要采用负压反相萃取色层分离或自然反相萃取色层分离。
a.负压反相萃取色层分离。利用负压反相萃取色层分离杂质装置(图66.2)控制流速在2～5mL/min，待上柱液流尽，用20mL(25+75)HNO3淋洗柱3次，4mL3mol/LHCl淋洗柱1次，流出液弃去。利用负压反相萃取色层分离钍(铀)装置(图66.3)，用10mL3mol/LHCl控制流速在2～5mL/min，分2次洗脱钍，流出液承接于大气吸收瓶中，然后再转入50mL烧杯中，用水洗尽大气吸收瓶，洗液转入50mL烧杯中，加入1mLHNO3和0.5mLHClO4，置于电炉上冒烟蒸干后，稍冷却，再加入1mLHCl，低温蒸干，供电沉积使用。色层柱用30mL水淋洗后，用带玻璃珠的乳胶管堵住色层柱嘴。于色层柱贮液杯中加入20mL水，盖上盖，供下次使用。
b.自然反相萃取色层分离。控制自然流速在1mL/min以下，待上柱液流尽，用20mL(25+75)HNO3淋洗柱3次，4mL3mol/LHCl淋洗柱1次，流出液弃去。用10mL3mol/LHCl分2次洗脱钍，流出液承接于50mL烧杯中，加入1mLHNO3和0.5mLHClO4，置于电炉上冒烟蒸干后，稍冷却，再加入1mLHCl，低温蒸干，供电沉积使用。色层柱用30mL水淋洗后，用带玻璃珠的乳胶管堵住色层柱嘴。于色层柱贮液杯中加入20mL水，盖上盖，供下次使用。
(5)电沉积制备α源
a.铀α源的制备。用10mL铀电沉积液溶解分离纯化后的试样，试液倒入电沉积槽，加入0.05～0.1g(NH4)2C2O4，将电沉积槽放入水温(65±5)℃的恒温水浴箱中，接通电源，将电流调至1.2A。此时，电沉积液pH为6电沉积时间视pH变化而定，一般为40min左右，pH由6上升到8，再由8降到2这时，向电沉积槽内加入3滴氨水，3～5min后加入几滴氨水，切断电源，小心取出阴极片，水清洗后用酒精棉球擦净样片，晾干，编号待测。
b.钍α源的制备。用10mL钍电沉积液溶解分离纯化后的试样，试液倒入电沉积槽，加入0.05～0.1g(NH4)2C2O4，将电沉积槽放入水温(65±5)℃的恒温水浴箱中，接通电源，将电流调至1.2A。此时，电沉积液pH为2电沉积时间视pH变化而定，一般为40min左右，pH由2上升到8，再由8降到2这时，向电沉积槽内加入3滴氨水，3～5min后加入几滴氨水，切断电源，小心取出阴极片，用水清洗后用酒精棉球擦净样片，晾干，编号待测。
(6)测量
a.谱仪工作状态选择。
aα探测真空室的真空度一般控制在1～10Pa。真空度不宜过高，以免引起核反冲对探测器的污染。
b确定探测器的工作偏压:根据偏压-能量分辨率实验曲线，选择分辨率最好的偏压作为探测器最佳偏压值。每个探测器初次使用前必须进行偏压选择。
c改变线性放大器的放大倍数，使测量峰居于显示器合适部位。
d测量能量分辨率:将230Thα源或210Poα源放入α探测真空室内，抽真空。测量α谱仪的能量分辨率，要求仪器的能量分辨率好于1%。
b.能量刻度。用天然钍或其他已知能量的α薄源对谱仪进行能量刻度，能量非线性不得超过1%。
c.效率刻度。将已知放射性活度的铀标准源放在探测真空室内，抽真空，测量238U、234Uα能谱，求出实测计数与铀标准源活度的百分比，即为探测效率，按式(66.1)计算:
岩石矿物分析第三分册有色、稀有、分散、稀土、贵金属矿石及铀钍矿石分析
式中:Ea为谱仪的探测效率Rs为刻度源的净计数率，s-1Ra为α粒子绝对发射率，s-1(此处用238U的活度，Bq)。
谱仪的探测效率确定以后，如测量的几何条件、系统的配置等有变化时，必须重新刻度。
d.测量全流程本底。按制定的方法，制备不少于各2份空白铀、钍α源试样片，在测量装置上测量全流程本底，取平均值作为全流程本底值。当更换试剂或探测器时，应重新测量全流程本底。
e.测量试样。首先，根据所要求的相对误差ε和试样计数率N，按式(66.2)计算出测量时间t:
岩石矿物分析第三分册有色、稀有、分散、稀土、贵金属矿石及铀钍矿石分析
然后，将待测试样的铀(或钍)α源，放在α探测真空室内，抽真空，按所确定的测量时间t测量α能谱曲线，读取238U、234U、230Th、232Th的谱峰面积。
(7)分析结果的计算
岩石矿物分析第三分册有色、稀有、分散、稀土、贵金属矿石及铀钍矿石分析
式中:238U、234U、230Th、232Th为扣除仪器本底加试剂空白试样的该同位素的峰面积x为234U或230Th的峰面积y为238U或232Th的峰面积σ为相对标准偏差。
岩石矿物分析第三分册有色、稀有、分散、稀土、贵金属矿石及铀钍矿石分析
式中:δx为
(8)全流程试剂空白检验
按给出的分析流程对所用试剂进行了全流程空白检验，空白(计数/24h):238U为31.3、234U为29.4、230Th为28.8、232Th为18.0。
(9)测量下限估算
通过本流程对砂岩样分解、富集分离制出的试样(电沉积α源片)，用α能谱法测量234U/238U、230Th/232Th比值的不确定度可用合成标准偏差来表示:
岩石矿物分析第三分册有色、稀有、分散、稀土、贵金属矿石及铀钍矿石分析
式中各符号的物理意义同式(66.4)和式(66.5)。
我国对固态地质试样中的234U/238U、230Th/232Th比值测定还没有制定分析误差要求，以EJ/T751—93《放射性地质矿产分析试验质量保证规范》对水中234U/238U、230Th/232Th比值分析允许偶然误差作为参考，即U(或Th)大于10μg/g以上试样的相对允许误差为5%，1～10μg/g试样的相对允许误差为10%。对234U/238U来说，要满足10%的相对标准偏差，根据公式(66.6)各核素的测量计数必须达到200个计数以上。虽然238U与232Th的半衰期不一样，同质量238U放射性比活度是232Th放射性比活度的3倍，但地壳中232Th的克拉克值刚好是238U的3倍，所以低品位试样中238U与232Th活度比1左右，同样测量230Th/232Th比值要达到10%的相对标准偏差，各核素的测量计数也必须有200个计数以上。
试样中核素达到放射性平衡时，1μg铀中238U、234U、230Th的比活度均为0.0123Bq，1μg钍中232Th比活度为4.03×10-3Bq。"20mm金硅面垒半导体探测器，安装"18mm准直孔情况下，α能谱仪的探测效率一般不会大于20%(4!)。本方法全流程回收率一般为50%～90%。对于铀、钍都是1μg/g的低品位试样:称取4g试样，α能谱仪的探测效率取20%，全流程回收率取70%，以24h为测量计时单位的条件下，可计算出α能谱仪对238U、234U、230Th的净计数为595个，232Th的净计数为195个。
根据上述条件，在要求10%的相对标准偏差下，可计算出本流程称取不同试样量的测量下限。增大称样量能显著降低测量下限或显著提高测量效率。本流程238U/234U测量下限为铀0.5μg/g、230Th/232Th测量下限定为钍1.2μg/g是可行的，能满足地质勘查研究的需要。
在P型半导体中空穴浓度较高，在N型半导体中电子浓度较高。两者结合在一起时，载流子将由高浓度区向低浓度区扩散，结果在两者附近形成一个结区，如图4-3-1所示。在结区基本上不存在自由载流子，只有施主和受主的离子，形成一个空间电荷区，N型一侧带正电，P型一侧带负电，构成一个内部电场，电场将阻止载流子继续扩散。如果在空间电荷区产生电离形成自由载流子，将立即把电子拉向N区，空穴拉向P区。不可能存在自由载流子，所以PN结区称为“耗尽层”。
当给PN外加电压，反向偏置时，即电源正端接N区，负极接P区，使空间电荷电场增强。
电子和空穴分别向正端和负端扩散，结果使“耗尽层”的宽度增大。
耗尽层即为探测器的灵敏区。在电压反向偏置下，耗尽层电阻率极高，相当于外加电压全加在耗尽层端；而P区和N区，自由载流子浓度很高，电阻率很低，相当于两个电极。
探测的射线进入灵敏区（耗尽层），产生电离，生成大量电子-空穴对。在电场作用下，电子和空穴分别迅速向正、负两极漂移、被收集，在输出电路中形成脉冲电信号。
金硅面垒半导体探测器就是以N型硅单晶作基片。将基片经酸处理后形成一氧化层，并在氧化层上镀一层金膜（约10 nm厚）。在靠金膜的氧化层具有P型硅特性，在基片背面镀镍接电源正极，金膜与铜外壳接触接电源负极，氧化层构成PN结耗尽层为金硅面垒探测器的灵敏区。目前金硅面垒探测器灵敏区厚度最大可做到2 mm。一般做成圆片状。
金硅面垒探测器，由于耗尽层厚度较薄，主要用于探测带电重粒子（如α、p等），亦可用作能谱测量，探测效率近于100%。也可用于β射线测量，对γ射线不灵敏。
几种常用金硅面垒探测器特性列于表4-3-1。
图4-3-1 PN结形成及其特性
表4-3-1 几种金硅面垒探测器主要特性
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