深紫外发光光谱（PL）测试

1. 深紫外发光光谱技术简介

深紫外发光光谱是研究半导体材料物理性质的一种重要手段。通常所说的半导体发光是半导体中电子从高能态跃迁至低能态时，伴之以发射光子的辐射复合。我们利用深紫外激光器产生的激光或电子q发出的电子束到达样品室并入射到样品表面，样品发出的荧光信号被收集进入单色仪，该信号经单色仪分光后由探测系统探测，计算机对探测信号进行采集并形成最终的深紫外发光光谱。

2. 供测量的光谱类型及其应用范围

光致发光（PL）：使用飞秒激光激发样品，波长：（1）177nm；（2）210nm-330nm可调；（3）345nm-495nm可调；（4）690nm-990nm可调。PL光谱可以实现稳态光谱和瞬态（时间分辨）光谱的测量。稳态光谱可用于研究半导体材料的基本物理性质，如晶体结构、电子态、声子结构、杂质、缺陷、激子复合机制等。瞬态光谱采用条纹相机探测，既可以得到不同时刻的时间分辨光谱，也可以得到某一波长处的荧光衰退曲线，时间分辨率为2ps。可以用来研究半导体材料载流子动力学性质。

阴极荧光（CL）：使用电子束激发样品，最大能量30keV。可用于表征宽禁带半导体材料性质。波长扫描范围：170nm-800nm。

3、深紫外发光光谱测试设备介绍：

1. PL光谱

技术参数与能力：

波长：690nm-990nm，345nm-495nm和210nm-330nm三个波段内可调，最小激光波长可达177nm

波长扫描范围：170nm-800nm

温度范围：8K-350K

时间分辨率(瞬态光谱)：2ps

狭缝、步长及激光功率视具体情况而定

2. CL光谱

技术参数与能力：

电子束能量：最高可达30keV

波长扫描范围：170nm-800nm

温度范围：8K-350K

狭缝和步长视具体情况而定

-------------米格实验室

英语中pl是指通常情况下使用单词的复数形式，其实就是plural（ 复数）的缩写。pl还指漂亮，是其拼音的首字母缩写。pl还有容积单位、血磷脂、单端节能、波兰域名等意思。

pl是指通常情况下使用单词的复数形式，其实就是plural（ 复数）的缩写。英语中有些词语的单复数不一定是按照加s来规定，有些属于不任规则转变，例如现象这个词，phenomena (pl)是复数形式。pl还指漂亮，是其拼音的首字母缩写。PL（Photoluminescence）是多种形式的荧光（Fluorescence）中的一种，指物质吸收光子（或电磁波）后重新辐射出光子（或电磁波）的过程。

PL（Photoluminescence）是多种形式的荧光（Fluorescence）中的一种，指物质吸收光子（或电磁波）后重新辐射出光子（或电磁波）的过程。从量子力学理论上，这一过程可以描述为物质吸收光子跃迁到较高能级的激发态后返回低能态，同时放出光子的过程。可用于提供半导体材料的电学、光学特性信息的光谱技术，可以研究带隙、发光波长、结晶度和晶体结构以及缺陷信息等等。

光致发光可以提供有关材料的结构、成分及环境原子排列的信息，是一种非破坏性的、灵敏度高的分析方法。激光的应用更使这类分析方法深入到微区、选择激发及瞬态过程的领域，使它又进一步成为重要的研究手段，应用到物理学、材料科学、化学及分子生物学等领域，逐步出现新的边缘学科。同时PL也表示使用光分析仪器进行的化学分析方法。

PL光谱指的是光致发光光谱，可以通过荧光光谱仪的发射光谱或者拉曼的PL测量功能获得，对于半导体来说峰位对应着带隙宽度，此外还有强度等信号。

当电子从高能级跃迁到低能级放出的能量以光子的形式发出，也就是释放出光子，而光子分为可见光和不可见光，当从n≥2向基态跃迁时发射的是紫外线、当从n≥4向n=3跃迁时发射的是红外线是不可见的，只有从n≥3向n=2跃迁时发射的是可见光。

---