N型半导体与金属中谁的自由电子多？

当然是金属中的自由电子多。

在纯净的硅晶体中掺入Ⅴ族元素（如磷、砷、锑等），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。这类杂质提供了带负电（Negative）的电子载流子，称他们为施主杂质或n型杂质。在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电，由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。

该半导体中，是由掺入的V族元素改变原硅晶体的原子结构，提供自由电子。

而金属中每个原子都能够提供自由电子。

不带电。n型半导体是指在本征半导体中加入五价元素，每一个五价元素原子与四个四价半导体元素原子形成四对共用电子对（每一对电子对由半导体元素原子与该五价元素原子各提供一个电子），这样五价元素原子因四对八个共用电子而达到最外层电子稳定，于是多出来的一个电子（因为形成共用电子对时五价元素原子只贡献了4个电子）就成为自由电子，这就是n型半导体的多数载流子。但是尽管如此，n型半导体还是不带电。因为加入五价元素后所有原子的质子数与所有原子的电子数仍然相等，在加入五价元素后，在载流子的形成过程中不存在系统对外电子的失去或得到。因此整个系统还是静电平衡，因此，不带电。半导体一般分为本征半导体和杂质半导体。杂质半导体根据掺入元素价态的不同又分为n型半导体（掺入五价元素）与p型半导体（掺入三价元素）。本征半导体导电性能很差，其中电子和空穴都参与导电，而电子和空穴都是热激发形成的。因此本征半导体的导电性具有温度敏感性。杂质半导体导电性能要好于本征半导体。同时杂质半导体主要是多子（多数载流子）导电。这是因为五价或三价元素掺入的过程使多子数量远多于少子数量。其中n型半导体多子为自由电子，p型半导体多子为空穴。因为杂质半导体多子数量主要和掺入杂质数量有关，因此其多子几乎不受温度影响。但其导电性对温度也比较敏感，这是因为质半导体中的少子还是受热激发产生的，因此也受温度影响。

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