什么是半导体冰箱 半导体冰箱优缺点介绍

半导体冰箱 是新概念冰箱，这种新型的冰箱还是更加偏向于个性化设计，不仅具备了良好的 环保 节能效果之外，这冰箱容量的大小可以定制的特点也是非常吸引消费者的一个方面。下面就一起来了解一下什么是 半导体冰箱 以及它的优缺点介绍吧!

什么是半导体冰箱

半导体冰箱 是一种在制冷原理上和 其他 普通冰箱不同的产品，它以一块40毫米见方、4毫米厚的半导体芯片通过高效环形双层热管散热及传导技术和自动变压变流控制技术实现制冷，被喻为世界最小的“压缩机”。由于半导体制冷器属电子物理制冷，根本不用制冷工质和机械运动部件，从而彻底解决了介质污染和机械振动等机械制冷冰箱所无法解决的应用问题，并在小容量低温冷藏箱方面具有更加显著的节能特性极具开发推广价值。

半导体冰箱优点

1.无机械传动部件，无磨损，无噪音，寿命长

2.无需制冷剂制冷(压缩式和吸收式都需要)，绝对环保

3，效率高，耗电量低(在100W以下，耗电量只有压缩式和吸收式的一半)

4.因为使用制冷片制冷，所以半导体冰箱可以做到任意大小，甚至有用usb接口供电的usb冰箱出现。

半导体冰箱缺点

1.制冷温度与环境温度有关(一般低于环境温度20度)，不能制冰 (此问题也可以通过多级制冷片串联来解决，但是串联后必须加强散热，否则容易烧毁制冷片)。

2.冰箱容积不能超过100升(高于100升，其制冷效果下降，耗电量增加)

3.因为制冷片一面散热，而且产热多，所以必须使用散热设备，这也增加了半导体冰箱的成本，如果使用风扇，还会增加耗电量，产生轻微噪音。

4.半导体冰箱在做较大的冰箱时成本较高，不利于大规模推广。

以上就是给大家带来的 半导体冰箱 的相关介绍，大家看看了之后对这产品的优缺点一定有了一些了解，虽说 半导体冰箱 在容量及制冷等方面的限制使得这一产品不可能大量的投放于市场，但从另一方面来讲，这也正是追求个性的消费者所乐于接受的，相信随着半导体冰箱知名度的增加，一定会有更多消费者选择这一环保的冰箱产品的。

半导体制冷器（TE）也叫热电制冷器，是一种热泵，它的优点是没有滑动部件，应用在一些空间受到限制，可靠性要求高，无致冷剂污染的场合。

半导体制冷器的工作运转是用直流电流，它既可致冷又可加热，通过改变直流电流的极性来决定在同一制冷器上实现致冷或加热，这个效果的产生就是通过热电的原理，它由两片陶瓷片组成，其中间有N型和P型的半导体材料（碲化铋），这个半导体元件在电路上是用串联形式连结组成。

半导体致冷法的原理以及结构：半导体致冷器是由半导体所组成的一种冷却装置，於1960左右才出现，然而其理论基础Peltier effect可追溯到19世纪。如图是由X及Y两种不同的金属导线所组成的封闭线路。通上电源之后，冷端的热量被移到热端，导致冷端温度降低，热端温度升高，这就是著名的Peltier effect。这现象最早是在1821年，由一位德国科学家Thomas Seeback首先发现，不过他当时做了错误的推论，并没有领悟到背后真正的科学原理。到了1834年，一位法国表匠，同时也是兼职研究这现象的物理学家Jean Peltier，才发现背后真正的原因，这个现象直到近代随著半导体的发展才有了实际的应用，也就是[致冷器]的发明(注意，这种叫致冷器，还不叫半导体致冷器)

它是由许多N型和P型半导体之颗粒互相排列而成，而N P之间以一般的导体相连接而成一完整线路，通常是铜、铝或其他金属导体，最后由两片陶瓷片像夹心饼乾一样夹起来，陶瓷片必须绝缘且导热良好.N型半导体，任何物质都是由原子组成，原子是由原子核和电子组成。电子以高速度绕原子核转动，受到原子核吸引，因为受到一定的限制，所以电子只能在有限的轨道上运转，不能任意离开，而各层轨道上的电子具有不同的能量(电子势能)。离原子核最远轨道上的电子，经常可以脱离原子核吸引，而在原子之间运动，叫导体。如果电子不能脱离轨道形成自由电子，故不能参加导电，叫绝缘体。半导体导电能力介于导体与绝缘体之间，叫半导体。半导体重要的特性是在一定数量的某种杂质渗入半导体之后，不但能大大加大导电能力，而且可以根据掺入杂质的种类和数量制造出不同性质、不同用途的半导体。将一种杂质掺入半导体后，会放出自由电子，这种半导体称为N型半导体。P型半导体，是靠“空穴”来导电。在外电场作用下“空穴”流动方向和电子流动方向相反，即“空穴”由正板流向负极，这是P型半导体原理。载流子现象：N型半导体中的自由电子，P型半导体中的“空穴”，他们都是参与导电，统称为“载流子”，它是半导体所特有，是由于掺入杂质的结果。

半导体制冷材料：不仅需要N型和P型半导体特性，还要根据掺入的杂质改变半导体的温差电动势率，导电率和导热率使这种特殊半导体能满足制冷的材料。目前国内常用材料是以碲化铋为基体的三元固溶体合金，其中P型是Bi2Te3—Sb2Te3，N型是Bi2Te3—Bi2Se3，采用垂直区熔法提取晶体材料。

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