微电子学计算题 急！！！

首先这个半导体中的载流子由两部分构成：本征激发和杂质电离，属于N型半导体。其中施主杂质浓度为Nd=1016 cm-3,多数载流子电子的浓度 n0=Nd+p0 ,又n0*p0=ni*ni,由上面两式可以算出多子电子和少子空穴的浓度！具体算我就不算了，呵呵～

其次就是 n0=ni*exp[-(Ei-EF)/KT],其中Ei是本征费米能级，也是中间能级，这样就能算出Ei-EF，也就知道费米能级离中间能级的距离，然后跟据禁带宽度（Eg=Ec-Ev),就可以知道中间能级分别与导带和价带之间的距离了，如此就可以画出能带图。

浅见，仅供参考！

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