最大内存芯片制造商美光科技官宣新建巨型晶圆厂的计划，对当地将有何作用?

一、据该公司称，新的 NAND 已经以有限的数量交付给客户和 Crucial 英睿达 SSD 产品，今年晚些时候将进一步增加产量。美光表示，232层NAND 技术 可以 支持资料中心和汽车应用所需的先进解决方案和即时服务，也能提供行动装置、消费性电子产品和 个人电脑所需的回应速度及沉浸式体验。最终可能有 4 座 600,000 平方英尺无尘室，达 240 万平方英尺，约相当于 40 个美式足球场。

纽约工厂将采用最先进的半导体制造工艺和工具，包括极紫外线（EUV） 光刻技术 ，以巩固公司在DRAM行业中的领先地位。

二、在2031年-2040年期间，美光将致力于推动DRAM在美产量

的增长，目标是占全球产量的40%以上。

总统拜登盛赞美光投资是美国又一次胜利，创造数以万计高薪工作。不过近期存储器市场放缓，美

光执行长 Sanjay Mehrotra 也表示个人计算机和智慧手机需求放缓，到 2023 财年资本支出下降

30% 以上，金额约 80 亿美元。

从市场预期看，2022年全球半导体市场仍将保持增长，但是增幅低于2021年。根据Gartner数据显

示，全球半导体市场在2021年达到5529亿美元，同比增长26%；预计到2022年将进一步增长9%，

达到6014亿美元。从arrow报告趋势来看，存储芯片的交期和价格趋于平稳。据相关机构调查显

示，自6月以来，DRAM现货价格开始下滑，在近两个月的时间里下滑了近20%。

美光是一家基于DRAM、NAND、3D XPoint内存、NOR等半导体技术的内存和存储产品制造商。

总部位于爱达荷州博伊西 ，在中国台湾、新加坡、日本、美国、中国大陆和马来西亚都建有工厂，并通过某些外包进行生产。

三、以美光和关键品牌的形式销售产品，包括晶圆、元件、模组、

SSD、managed NAND和MCP产品。美光的四个业务部门:

计算与联网业务(CNBU，约占收入的43%)：主要负责为云服务、企业、图形处理和互联网等市

场提供存储产品。据

移动业务 (MBU，约占收入的27%)：包括销售到智能手机和其他移动设备市场的内存产品，包

括NAND、DRAM。

存储业务（SBU，约占收入的18%)：主要是为企业和云存储市场提供固态硬盘和组件及解决方

案。

嵌入式业务 (EBU，约占收入的13%)：该部门主要负责为汽车和工业等市场提供存储产品，包括

各种DRAM、NAND 和 NOR。

美光是美国第一大、全球第三大内存芯片 公司，市场份额超过20%，不过主要生产并不在美国，

而且三星及SK海力士 两家韩国公司就占据了全球70%的内存份额。

但美光近日宣布他们的下一代 232 层 NAND 已经开始出货。这是存储的分水岭！美光的第六代

3D NAND 技术 232L 将提供更高的带宽和更大的芯片尺寸最值得注意的是，美光推出了目前

业界最密集的 1Tbit TLC NAND 芯片。

四、关于NAND，我记得长存的进展是192L。芯片法案的产物

《芯片与科学法案2022》总额2800多亿美元的科技补贴法案，其中针对半导体领域的就有520多亿

美元，开始给美国的芯片行业输血补贴。旨在重振美国国内芯片制造，提高美国竞争力。尽管美国

生产的半导体占世界供应总量约10%，但全球另外75%的半导体生产都依赖于东亚地区。

该法案也促使高通（Qualcomm）决定从格罗方德（GlobalFoundries）纽约工厂加购价值42亿美

元的芯片。美光表示大型半导体工厂将成为全球最大半导体厂区，完工后可创造约 50,000 个就业机会，第一阶段投资金额预估 200 亿美元，将在纽约州克莱镇 新建一个巨型内存工厂，2023 年开始场地准备工作，2024年开始施工，2025年实现量产，并在2026年-2030年间根据行业需求逐步增产。

作为全球领先无晶圆半导体公司，高通宣布计划在未来5年将其在美国的半导体产量增加

50%。

同样，英特尔在一月份曾宣布计划投资1千亿美元用于在俄亥俄州建造新的芯片厂区，启动资金高达

200亿美元。该项目的全面建成也离不开此芯片法案 的资助。

五、该公司总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，在《芯片和科学法案》预计带来的补贴和支持

下，这项投资案将在美国制造最先进的存储器，并将美国国内内存产量从不足全球市场的2%推升至

10%。低端制造业的战略无法执行，中端的汽车呢？好像也不乐观。

高端的航空航天和芯片，至少波音这

边翻车连连，但好在私营部门的空x进展顺利；半导体这边英特尔的服务器至强芯片出了12版还没

能量产，也并不是那么顺利。

所以镁光这个扩产计划，理论可行，实际上美国也能干预全球芯片市场（只有中美日韩四个国家做

存储，都受美国约束）。

但实际执行成什么样，还不确定。

包括英特尔的ucie，fab2.0，都是非常漂亮，理论上万事俱备的概念，但说实话我确实想不明白，富

士康为啥都搞不起来。

所以，无论是英特尔镁光的扩产，还是台积电三星在美国建厂，都还需要看后续。都是很漂亮的计划，但按照经验来看执行是有难度的。

二极管普遍存在于电子设备产品中。根据半导体材料，二极管可分为锗二极管和硅二极管。按管芯结构可分为点接触二极管、面接触二极管和面接触二极管。按用途可分为TVS瞬态抑制二极管、ESD二极管、稳压二极管、整流二极管、肖特基二极管、快恢复二极管、超快恢复二极管等。瞬态电压抑制器瞬态抑制二极管1)SOD-123封装:SMF3.3A-SMF35A，TPSMF13A-TPSMF58A，smf4l5.0a-smf4l85a；2)SMA/DO-214AC封装:SMAJ5.0A(CA)-SMAJ440A(CA)、P4SMA6.8A(CA)-P4SMA600A(CA)、TPSMAJ10A(CA)-TPSMAJ85A(CA)、SMA6J5.0A-SMA6J58A(CA)3)DO-41封装:p4ke6.8a(CA)-p4ke600a(CA)；4)DO-15封装:SA5.0A(CA)-SA190A(CA)，p6ke6.8a(CA)-p6ke600a(CA)；5)SMB/DO-214AA封装:SMBJ5.0A(CA)-SMBJ440A(CA)、P6SMB6.8A(CA)-P6SMB600A(CA)、tpmbj11a(CA)-tpmbj170a(CA)、SMB10J5.0A(CA6)DO-201封装:1.5ke6.8a(CA)-1.5ke600a(CA)；7)SMC/DO-214AB封装:1.5SMC6.8A(CA)-1.5SMC600A(CA)、SMCJ5.0A(CA)-SMCJ440A(CA)、TPSMCJ10A(CA)-TPSMCJ78A(CA)、SMDJ5.0a(CA)-TPSmdj43a(CA)、5.0SMDJ11A(CA)-5.0SMDJ440A(CA)、TP5.0smdj10a(CA)-TP5.0smdj58a(CA)；8)DO-218AB封装:SM5S10A-SM5S43A，SM6S10A-SM6S43A，SM8S10A(CA)-SM8S48A(CA)，sm8t16a(CA)-sm843a(CA)；9)R-6/P600封装:3KP5.0A(CA)-3KP440A(CA)，5KP5.0A(CA)-5KP440A(CA)，LDP10A(CA)-LDP60A(CA)，15kP17A(CA)-15kP280a10)NA包:k1076-KD076；；ESD二极管ESD二极管静电防护专用器件ESD二极管，不同厂家供应的ESD保护管型号名称不同，但封装形式是统一的。ESD二极管常用的封装形式有SOT-23、SOT-23-6L、SOD-323、SOD-323F、SOD-523、SOD-723、SOD-923、SOT-143、SOT-353、SOT-363和SOT-523。DFN-6L，DFN-16L，DFN-18L，DFN-3L，DFN0603-2L，DFN0603-D，DFN1006-2L，DFN1610-2L，DFN1610-6L，DFN2010-8L，DFN1W-5W大功率齐纳二极管1)DO-41封装:1N4728A-Z1330A，1n5919b-1n5956b；2)SMA/DO-214AC封装:SMA4728A-SZ1330A，SMA5919b-SMA5956b；3)DO-15套餐:2EZ5.6D5-2EZ330D5，3ez5.6D5-3ez200d5；4)SMB/DO-214AA封装:SMB2EZ5.6D5-SMB2EZ330D5，SMB3ez5.6D5-SMB3ez200d5；5)DO-201封装:1n5333b-1n5388b；6)SMC/DO-214AB封装:SMC5333b-SMC5388b；整流二极管1)SMA包:S1A-S1M，M1-M7，GS1A-GS1M，GF1A-GF1M；2)SMAF套餐:S1AF-S1MF、M1F-M7F、S2AF-S2MF、S3AF-S3MF、GS1AF-GS1MF；3)SMB套餐:S2A-S2M，GF2A-GF2M，GS2A-GS2M；；4)SMBF套餐:S2ABF-S2MBF，S3ABF-S3MBF，S4ABF-S4MBF，S5ABF-S5MBF，GS2abf-GS2MBF；；5)SMC封装:S3A-S3M，GF3A-GF3M，GS3A-GS3K；；6)SOD-123FL包装:S07A-S07M，A1/SOD4001-A7/SOD4007，GS1001fl-GS1008fl；；肖特基二极管1)SMA封装:SS/SK12-SS/SK110、SS/SK22-SS/SK210、SS/SK32-SS/SK320、SS/SK52-SS/SK520、BX32-BX320、10MQ040-10MQ100和10bq00。2)SMAF套餐:SS/SK12F-SS/SK110F，SS/SK22F-SS/SK210F，SS/SK32F-SS/SK320F，SS/SK52F-SS/sk520f；3)SMB套餐:SS/SK22-SS/SK210，SS/SK32-SS/SK320，SS/SK52-SS/SK520，MBRS120-MBRS100，MBRS220-MBRS2100，20bq040-20bq100；4)SMBF套餐:SS22BF-SS210BF、SS32BF-SS320BF、SS52BF-SS520BF、SS345BF、SS545BF；5)SMC包:SS/SK32-SS/SK320、SS/SK52-SS/SK520、30BQ404-30BQ100、BR32-BR320、MBRS320-MBRS3100、MBRS520-MBRS540、B320-b3100；；6)SOD-123FL封装:SDB10A20-SDB10A40，SS1040FL-SS10100FL，SS2040FL-SS20100FL，DSS/DSK12-DSS/DSK110，DSS/DSK22-DSS/。7)TO-277封装:SB1045L、SB1015L、SB1545L、SB1550L、SB1060L、PS1045L、PS1015L、PS1545L、PS1550L、PS1560L、PS1060L快速恢复二极管1)SMA封装:RS1A-RS1M、FR1A-FR1M、BYG10D-BYG10M、BYG20D-BYG20M、BYG30D-BYG30M；2)SMAF套餐:RS1AF-RS1MF、RS2AF-RS2MF、RS3AF-RS3MF；3)SMB封装:RS2A-RS2M，FR2A-FR2M；4)SMBF套餐:RS2ABF-RS2MBF、RS3ABF-RS3MBF、RS4ABF-RS4MBF、RS5abf-RS5MBF；5)SMC封装:RS3A-RS3K，FR3A-FR3M；6)SOD-123FL套餐:F1-F7，RS1001FL-RS1008FL，RS07A-RS07M；快速恢复二极管1)SMA包:MURA110-MURA1100，MURA210-MURA2100，US1A-US1M，ES1A-ES1M，ER1A-ER1M，UF1A-UF1M，HS1A-HS1M；2)SAMF套餐:US1AF-US1MF、ES1AF-ES1MF、ER1AF-ER1MF、UF1AF-UF1MF、ES2AF-ES2MF、ER2AF-ER2MF、US3AF-US3MF、US2AF-US2MF；；3)SMB包:MURS105-MURS1100，MURS205-MURS2100，US2A-US2M，ER2A-ER2M，ES2A-ES2M，HS2A-HS2M；；4)SMBF套餐:ES1ABF-ES1JBF，ES2ABF-ES2JBF，es3abf-es3jbf；；5)SMC包:MURS320-MURS360，MURS420-MURS480，US3A-US3M，ES3A-ES3M，ER3A-ER3M，UF3A-UF3M，HS3A-HS3M；https://pics7.baidu.com/feed/e61190ef76c6a7ef378af30e0a7a8158f2de66f0.jpeg?token=ead27e9996c3ad25cf000c2a4e32632e

三极管sp101000可以用sbl2040ct代换。sp101000应是SB10100肖特基二极管，10A 100V ，而SBL2040CT是20A 40v。

三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

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