多子---在N型半导体中,将自由电子称为多数载流子,简称多子;
少子---在N型半导体中,空穴称为少数载梳子,简称少子。
施主杂质---将五价元素称为施主杂质,它是受晶格束缚的正离子。
在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷(或锑)是施主杂质,晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代,磷原子的最外层有五个价电子,其中四个与相临的半导体原子形成共价键,必定多出一个电子,这个电子几乎不受束缚,很容易被激发而成为自由电子,这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原子给出一个电子,称为施主原子。
在N型半导体中,自由电子多,空穴少,多子是自由电子,少子是空穴。
在P型半导体中,空穴多,自由电子少,多子是空穴,少子是自由电子。
不论是N型半导体中的自由电子,还是P型半导体中的空穴,它们都参与导电,统称为“载流子”,“载流子”导电是半导体所特有的。
扩展资料
载流子所处的能量状态
从晶体能带的角度来看,半导体的能量最高的几个能带分别是导带和价带,导带与价带之间隔着一个禁带。禁带中不具有公有化运动的状态——能级,但可存在杂质、缺陷等束缚能级。
自由电子就处于导带中,一般是在导带底附近(导带底就相当于电子的势能);自由空穴就处于价带中,一般是在价带顶附近(价带顶就相当于空穴的势能)。价带中有大量的价电子,由于这些价电子是被价键束缚住的,不能自由运动,所以不把它们看成为载流子。
空穴就是由价带中的价电子跃迁到了导带之后所形成的(即留下的价键空位);这种跃迁就称为本征激发,其特点是电子与空穴成对地产生。
参考资料来源:百度百科--载流子
P_POSITIVE (正) N_NEGATIVE(负) P端正 空穴就会去N端 电子去P端 然后再PN节交接面形成内置场强.只要外加电压不够大 这个内部场强就会抵消外部电压,所以不会有电流流动这个原理可以用来做稳压管但是外部电压过大 就可能会烧坏PN节 形成雪崩效应.这样您讲的持续电流就有可能实现. 比较菜的见解 仅作参考 我的答案太肤浅 楼上正解欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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