光伏发电中GW是什么单位

吉瓦(GW)装机容量的单位。TW是太瓦，1太瓦等于1000GW(吉瓦），1吉瓦等于1000MW(兆瓦)，1兆瓦等于1000KW(千瓦)，1千瓦等于1000W(瓦特)，1瓦特等于1000mW（毫瓦），1毫瓦等于1000uW（微瓦）。

光子照射到金属上时，它的能量可以被金属中某个电子全部吸收，电子吸收的能量足够大，能克服金属内部引力做功，离开金属表面逃逸出来，成为光电子。硅原子有4个外层电子，如果在纯硅中掺入有5个外层电子的原子如磷原子，就成为N型半导体。

若在纯硅中掺入有3个外层电子的原子如硼原子，形成P型半导体。当P型和N型结合在一起时，接触面就会形成电势差，成为太阳能电池。当太阳光照射到P－N结后，空穴由N极区往P极区移动，电子由P极区向N极区移动，形成电流。

扩展资料：

在有光照（无论是太阳光，还是其它发光体产生的光照）情况下，电池吸收光能，电池两端出现异号电荷的积累，即产生“光生电压”，这就是“光生伏特效应”。

在光生伏特效应的作用下，太阳能电池的两端产生电动势，将光能转换成电能，是能量转换的器件。太阳能电池一般为硅电池，分为单晶硅太阳能电池，多晶硅太阳能电池和非晶硅太阳能电池三种。

薄膜光伏电池具有轻薄、质轻、柔性好等优势，应用范围非常广泛，尤其适合用在光伏建筑一体化之中。如果薄膜电池组件效率与晶硅电池相差无几，其性价比将是无可比拟的。在柔性衬底上制备的薄膜电池，具有可卷曲折叠、不怕摔碰、重量轻、弱光性能好等优势，将来的应用前景将会更加广阔。

参考资料来源：百度百科--光伏发电

参考资料来源：百度百科--gw

GW是MW的1000倍，是光伏行业形容产能或装机量的单位，光伏组件按瓦卖！

硅片，是制作集成电路的重要材料，通过对硅片进行光刻、离子注入等手段，可以制成各种半导体器件。

用硅片制成的芯片有着惊人的运算能力。科学技术的发展不断推动着半导体的发展。自动化和计算机等技术发展，使硅片（集成电路）这种高技术产品的造价已降到十分低廉的程度。

这使得硅片已广泛应用于航空航天、工业、农业和国防，甚至悄悄进入每一个家庭。

地壳中含量达25.8%的硅元素，为单晶硅的生产提供了取之不尽的源泉。由于硅元素是地壳中储量最丰富的元素之一，对太阳能电池这样注定要进入大规模市场的产品而言，储量的优势也是硅成为光伏主要材料的原因之一。

单晶硅10GW即10吉瓦，是功率单位 光伏太阳能发电经常出现的单位： W是瓦特、KW是千瓦、MW是兆瓦、GW是吉瓦、TW是太瓦。

换算公式是， KW=1000W、MW=1000KW、GW=1000MW、TW=1000GW。

2008年8月12日 – 全球领先的高能效电源半导体解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)扩充分立器件封装系列，推出新微封装的晶体管和二极管。新增加的封装拓展了公司的微封装晶体管和二极管系列，配合当今空间受限型便携应用的严峻设计需求。

安森美半导体标准产品部全球市场营销副总裁麦满权说：“对我们的便携产品客户来说，小尺寸、低高度且同时具备功率密度是相当关键的参数。安森美半导体提供用于电源管理、开关和保护应用的微封装二极管和晶体管，使便携产品能集成更多功能，而无须增加终端产品的尺寸或降低能效。”

新的微封装晶体管

安森美半导体现提供采用SOT-723、SOT-963和尺寸仅为1.0 mm x 0.6 mm x 0.37 mm 的SOT-1123封装的通用和偏置电阻晶体管(BRT)。这些更小尺寸、低高度的封装使设计工程师可在手机等应用中采用这些器件。这两种互补的微封装晶体管为无铅及无卤素器件。每8,000片批量的预算单价为0.06至0.08美元。

新的微封装二极管

低正向压降(Vf)肖特基二极管

安森美半导体扩充的SOD-923 NSR肖特基二极管系列，具有高达500毫安(mA)的更大电流能力和高达70伏(V)的更大反向阻断电压的器件。这些微封装肖特基二极管非常适用于相机闪光和模块驱动器、液晶显示器(LCD)升压转换器/或键盘背光以及空间受限型便携应用中的直流-直流(DC-DC)转换器应用。安森美半导体的肖特基二极管经过了高度优化，具有更低的正向压降和更低的泄漏电流，从而提供更高的能效和更低的损耗。这些肖特基二极管采用无铅、无卤素的SOD-923封装，每8,000片批量的预算单价为0.064美元。

新的齐纳二极管

安森美半导体领先业界的齐纳二极管产品系列中如今新增了NZ9F系列，这系列采用极小型SOD-923封装，尺寸仅为1.0 mm x 0.6 mm x 0.4 mm。NZ9F系列的固定状态功率耗散仅为 200毫瓦(mW)，提供与SOD-323封装同等的功率处理能力，而占用的电路板空间仅相当于SOD-323封装的一小部分。这系列器件具有2.4 V至24 V的完整齐纳击穿电压范围及2%和5%的容限，在稳压和成本上为设计工程师提供最大的灵活性。这些齐纳二极管的典型应……

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