前道主要是光刻、刻蚀机、清洗机、离子注入、化学机械平坦等。后道主要有打线、Bonder、FCB、BGA植球、检查、测试等。又分为湿制程和干制程。
湿制程主要是由液体参与的流程,如清洗、电镀等。干制程则与之相反,是没有液体的流程。其实半导体制程大部分是干制程。由于对Low-K材料的要求不断提高,仅仅进行单工程开发评估是不够的。为了达到总体最优化,还需要进行综合评估,以解决多步骤的问题。
扩展资料:
这部分工艺流程是为了在 Si 衬底上实现N型和P型场效应晶体管,与之相对应的是后道(back end of line,BEOL)工艺,后道实际上就是建立若干层的导电金属线,不同层金属线之间由柱状金属相连。
新的集成技术在晶圆衬底上也添加了很多新型功能材料,例如:后道(BEOL)的低介电常数(εr <2.4)绝缘材料,它是多孔的能有效降低后道金属线之间的电容。
参考资料来源:百度百科-后道工序
参考资料来源:百度百科-半导体
参考资料来源:百度百科-前道工艺
主要是对硅晶片(Si wafer)的一系列处理1、清洗 ->2、在晶片上铺一层所需要的半导体 ->3、加上掩膜 ->4、把不要的部分腐蚀掉 ->5、清洗
重复2到5就可以得到所需要的芯片了
Cleaning ->Deposition ->Mask Deposition ->Etching ->Cleaning
1、中的清洗过程中会用到硝酸,氢氟酸等酸,用于清洗有机物和无机物的污染
其中Deposition过程可能会用到多种器材,比如HELIOS等~
Mask Deposition过程中需要很多器材,包括Spinner,Hot plate,EVG等等~
根据材料不同或者需要的工艺精度不同,Etching也分很多器材,可以使用专门的液体做Wet etch,或者用离子做Plasma Etching等
最后一部的Cleaning一般是用Develpoer洗掉之前覆盖的掩模~
多数器材都是Oxford Instruments出的
具体建议你去多看看相关的英文书,这里说不清楚。。
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