在半导体光敏器件没有发明之前,就是用金属材料的光电管光电管(分为真空光电管和充气光电管两种)感应光电流的。原理相同,都是利用光子的撞击动能打击出载流子,只不过一个是在半导体内,一个是逸出到金属材料之外。
由光电效应所产生的电流称为光电流。光电流强度是在一定功率与强度的光照射下的最大光电流。1、当入射光频率不变时,光电流强度的值与入射光强度成正比。原因很简单,入射光强度与单位时间照射到金属上的光子数成正比。光子数的变化导致单位时间内吸收光子的电子数变化,故飞出的光电子数变化,导致电流的变化。
2、当入射光强度不变时,光电流强度随入射光频率的增大而增大。这个理解起来比较难。可以这么想:光强不变,单位时间内有10个光子被电子吸收,吸收后所形成的10个光电子并不是全部从金属表面飞出。靠近金属表面的电子受到金属内原子核的束缚比较弱,故很容易飞出,但内部的就不一定,所以,这10个电子可能只有6个能飞出金属形成光电流。如果在入射光强度不变的情况下增大入射光的频率,虽然还是有10个光子被10个电子吸收形成光电子,但这10个光电子的能量比较大,所以,能够脱离金属内原子核束缚的能力比较强。这样,可能就会有8个电子能飞出金属形成光电流,这样的话,很显然光电流强度会增大。
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