晶体三极管的三种工作状态
截至
放大
饱和导通三极管的导通条件是:发射结加正向电压,集电结加反向电压。
发射结加正向电压,就是基极和发射极之间所加电压Ube,是按箭头的指向加PN结的电压,即硅管加0.7V;锗管加0.2V。
集电结加反向电压,就是在集电结的PN结上加反压Ube才能把基区的电荷吸引过来、。此电压较高,在手机中一般为1~3.6V。
PNP三极管的导通电压是Ue>Ub>Uc;NPN三极管为Uc>Ub>Ue。
反之则截止。
三极管可以用于电流信号放大,开关等作用。二极管就是单项导通
半导体:顾名思议,它是导电能力介于导体和绝缘体之间的物体。它可以是任何形状。不存在具体外形。其作用当然就很多了,因为它本身是一个非常广泛的一个词。湿木也属于半导体。(导体: 电阻率ρ <10-4 Ω·cm 绝缘体:电阻率ρ >109 Ω·cm)二极管:是由电子密度不相同的两种半导体组成的,分为为P极和N极,在中间交汇处形成一个PN结。二极管有很多种,如发光二极管(LED),整流二极管,稳压二极管,开关二极管等等。它的形态也是多样的,你去百度图片搜索中输入二极管就会出现很多。 http://image.baidu.com/i? tn=baiduimage&ct=201326592&cl=2&lm=-1&pv=&word=%B6%FE%BC%AB%B9%DC&z=0(发光二极管相信大家都见过,一般作为指示灯用,例如电脑的硬盘灯一闪一闪的表示你的硬盘正在工作(如果不闪,则很可能是你的机器忙不过来或者是处在待机状态),还有就是一些随身听上的指示灯,以及充电器的指示灯.发光二极管相对其他二极管正向导通电压较大,一般在1.6V到1.8V间.二其他二极管一般在0.2-0.3V(鍺管),0.6-0.8V (硅管)。整流二极管,也是很常见的,利用的是二极管的单向导通特性,从而可以将负极性电信号滤掉---半波整流,也可以进行其它的整流----例如全波整流。二极管还具有稳压作用,这是因为二极管反向接通时,在二极管被击穿的情况下,其电流将瞬间增大,这样在外电压增大时,由于二极管被击穿后增加的电流会通过二极管而不会经过与二极管并联的负载上,从而可以保护与其并联的器件。常见的有保护场效应管,即在场效应管栅极反向并接一个二极管。二极管击穿电压一般在4V-7V.钳位作用:钳位作用就是利用二极管的正向导通电压在导通后维持在0.2-0.4V(鍺管),0.6-0.8V(硅管),从而使与其连接的器件两端电压维持在一个范围内,最简单就是三极管的BE结电压在导通时可保持在钳位电压,这点常用于三极管的静态分析。一般无特别说明硅管取0.7V,鍺管取0.3V。开关二极管常见型号有1N4148,1N4150,1N4448,利用的是二极管的高速转换特性。限于水平,暂不作详细介绍。)三极管:如果理解了二极管,三极管就会更加简单一点。它是由两个PN结组成的,成并不等于两个二极管,它分为基极、发射极和集电极三极。具体的知识参见模拟电路相关教科书里的三极管章节。(三极管是一种控制元件,主要用来控制电流的大小,以共发射极接法为例(信号从基极输入,从集电极输出,发射极接地),当基极电压UB有一个微小的变化时,基极电流IB也会随之有一小的变化,受基极电流IB的控制,集电极电流IC会有一个很大的变化,基极电流IB越大,集电极电流IC也越大,反之,基极电流越小,集电极电流也越小,即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多,这就是三极管的放大作用。IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β(β=ΔIC/ΔIB, Δ表示变化量。),三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。 三极管在放大信号时,首先要进入导通状态,即要先建立合适的静态工作点,也叫建立偏置,否则会放大失真。 在三极管的集电极与电源之间接一个电阻,可将电流放大转换成电压放大:当基极电压UB升高时,IB变大,IC也变大,IC 在集电极电阻RC的压降也越大,所以三极管集电极电压UC会降低,且UB越高,UC就越低,ΔUC=ΔUB。仅供参考,请参考有关书籍。记得采纳啊
半导体二极管的主要特点是具有掺杂性,热敏性,光敏性。1、掺杂性,当往纯净的半导体中掺入煤些物质时,导体的导电性会大大增强。二极管、三极管就是掺入杂质的半导体制成的。
2、热敏性,当温渡上升时,导体的导电能力会增强。利用该特性可以将某些半导体制成热敏器件。
3、光敏性,当有光线照射半导体时,半导体的导电能力也会显著增强。利用该特性可以将某些半导体制成光敏器件。
二极管是最早诞生的半导体器件之一,其应用非常广泛。特别是在各种电子电路中,利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接,构成不同功能的电路,可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能。
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