杂质在元素半导体 Si和Ge中的作用

1)

本征半导体是一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体。绝对零度时价带被价电子填满，导带是空的。

2)

随着温度的升高，本征载流子浓度迅速地增加，在本征时器件不能稳定工作。而对于掺杂半导体，室温附近载流子主要来源于杂质电离，在杂质全部电离的情况下，载流子浓度一定，器件就能稳定工作。所以，制造半导体器件一般都会用含有何当杂志的半导体材料，而且每一种半导体材料制成的器件都有一定的极限工作温度，超过这一温度后，器件就会失效。

3)

杂质在元素半导体

Si和Ge中的作用:是半导体Si\Ge的导电性能发生显著的改变。

希望能够帮到你，满意请采纳，谢谢o(∩_∩)o

还有疑问可以百度hi我!

你这个问题提得很好.

因为高度补偿半导体的有效载流子浓度很低,类似于本征半导体,所以采用常规的三探针技术、四探针技术等测量电阻的方法是无效的,就是采用电容-电压技术等也都不能很好检测出来.因此,只有采用光吸收等光学技术才有可能检测出杂质.

就是硅基半导体,Si是化学元素硅,

硅基半导体是以硅材料为基础发展起来的新型材料。包括绝缘层上的硅材料、锗硅材料、多孔硅、微晶硅以及以硅为基底异质外延其他化合物半导体材料等。

---