一个双量子位门是任何一台量子计算机的核心组成部分，新南威尔士大学团队的版本是迄今为止在硅材料中演示过的最快的，在0.8纳秒内完成一个 *** 作，比现有的基于自旋的双量子位门快200倍。
在西蒙斯小组的方法中，双量子位门是两个电子自旋之间的一种 *** 作——类似于传统电子学中经典逻辑门的作用。这是第一次，研究小组能够通过将两个原子量子位元比以往任何时候更紧密地放在一起，然后——实时地——控制地观察和测量它们的自旋状态，来构建一个双量子位元栅极。
该团队独特的量子计算方法不仅需要在硅中放置单个原子量子位元，还需要所有相关电路在纳米级初始化、控制和读出量子位元——长期以来，人们一直认为这是不可能实现的。但是有了这个重要的里程碑，团队现在已经准备好将他们的技术转化为可伸缩的处理器。
西蒙斯教授是量子计算与通信技术卓越中心(CQC2T)的主任，也是硅量子计算Pty有限公司的创始人。
她说:“原子量子位元保持着硅中量子位元最长相干时间的世界纪录，具有最高的可靠性。”“利用我们独特的制造技术，我们已经证明了在硅原子量子位元上读取和初始化单个电子自旋的能力，精确度非常高。我们还证明了我们的原子级电路是迄今为止设计用于连接半导体量子位元的所有系统中电子噪声最低的。
“利用原子精度优化设备设计的各个方面，现在让我们能够构建一个真正快速、高精度的双量子比特门，这是一个可伸缩的、基于硅的量子计算机的基本构件。
“我们已经证明，在原子尺度上控制世界是可能的，而且这种方法的好处是革命性的，包括我们的系统运行的惊人速度。”
新南威尔士大学科学系主任、教授艾玛·约翰斯顿·奥(Emma Johnston AO)说，这篇重要的论文进一步显示了西蒙斯教授的研究是多么具有开创性。
这是米歇尔团队最后的里程碑之一，展示了他们实际上可以用原子量子位元制造量子计算机。他们的下一个主要目标是建立一个10量子比特的量子集成电路，我们希望他们能在3-4年内实现这一目标。”
用量子位元来接近和接近——精确到十亿分之一米的工程
利用扫描隧道显微镜精确定位并将磷原子封装在硅中，研究小组首先必须计算出两个量子位元之间的最佳距离，以便进行关键的 *** 作。
“我们的制造技术允许我们把量子位精确地放到我们想要的地方。这使我们能够尽可能快地设计我们的双量子位门。
“自从上次突破以来，我们不仅把量子位元拉近了，而且学会了以亚纳米级的精度控制设备设计的各个方面，以保持高可靠性。”
实时观察和控制量子位相互作用
然后，研究小组能够实时测量量子位元的状态是如何演变的。最令人兴奋的是，研究人员展示了如何在纳米秒级上控制两个电子之间的相互作用强度。
“重要的是，我们能够使量子位元的电子距离更近或更远，有效地打开和关闭它们之间的相互作用，这是量子门的先决条件，”另一位主要合著者YuHe说。
“量子比特的电子受到严格限制，这是我们的方法所特有的，而且我们的系统固有的低噪声使我们能够展示出迄今为止硅材料中最快的两个量子比特门。”
“我们演示的量子门，即所谓的交换门，也非常适合在量子比特之间传输量子信息——当与单个量子比特门结合时，你可以运行任何量子算法。”
一件物理上不可能的事?现在不是了
西蒙斯教授说，这是20年工作的顶峰。
“这是一个巨大的进步:能够在最小的水平上控制自然，这样我们就能在两个原子之间创造相互作用，同时又能在不干扰对方的情况下彼此单独交谈，这令人难以置信。”很多人认为这是不可能的，”她说。
“一直以来的承诺是，如果我们能在这个尺度上控制量子位元世界，它们就会很快，而且确实如此!”
（一）碳化硅（SiC）碳化硅的晶体结构和金刚石相近，属于原子晶体，它的熔点高（2827℃），硬度近似于金刚石，故又称为金刚砂。将石英和过量焦炭的混合物在电炉中锻烧可制得碳化硅。
纯碳化硅是无色、耐热、稳定性好的高硬度化合物。工业上因含杂质而呈绿色或黑色。
工业上碳化硅常用作磨料和制造砂轮或磨石的摩擦表面。常用的碳化硅磨料有两种不同的晶体，一种是绿碳化硅，含SiC 97%以上，主要用于磨硬质含金工具。另一种是黑碳化硅，有金属光泽，含SiC 95%以上，强度比绿碳化硅大，但硬度较低，主要用于磨铸铁和非金属材料。
（二）氮化硼（BN）
氮化硼是白色、难溶、耐高温的物质。将B2O3与NH4Cl共熔，或将单质硼在NH3中燃烧均可制得BN。通常制得的氮化硼是石墨型结构，俗称为白色石墨。另一种是金刚石型，和石墨转变为金刚石的原理类似，石墨型氮化硼在高温（1800℃）、高压（800Mpa）下可转变为金刚型氮化硼。这种氮化硼中B－N键长（156pm）与金刚石在C－C键长（154pm）相似，密度也和金刚石相近，它的硬度和金刚石不相上下，而耐热性比金刚石好，是新型耐高温的超硬材料，用于制作钻头、磨具和切割工具。
（三）硬质合金
IVB、VB、VIB族金属的碳化物、氮化物、硼化物等，由于硬度和熔点特别高，统称为硬质合金。下面以碳化物为重点来说明硬质含金的结构、特征和应用。
IVB、VB、VIB族金属与碳形成的金属型碳化物中，由于碳原子半径小，能填充于金属品格的空隙中并保留金属原有的晶格形式，形成间充固溶体。在适当条件下，这类固溶体还能继续溶解它的组成元素，直到达到饱和为止。因此，它们的组成可以在一定范围内变动（例如碳化钛的组成就在TiC0.5～TiC之间变动），化学式不符合化合价规则。当溶解的碳含量超过某个极限时（例如碳化钛中Ti:C＝1:1），晶格型式将发生变化，使原金属晶格转变成另一种形式的金属晶格，这时的间充固溶体叫做间充化合物。
金属型碳化物，尤其是IVB、VB、VIB族金属碳化物的熔点都在3273K以上，其中碳化铪、碳化钽分别为4160K和4150K，是当前所知道的物质中熔点最高的。大多数碳化物的硬度很大，它们的显微硬度大于1800kg·mm2（显微硬度是硬度表示方法之一，多用于硬质合金和硬质化合物，显微硬度1800kg·mm2相当于莫氏一金刚石一硬度9）。许多碳化物高温下不易分解，抗氧化能力比其组分金属强。碳化钛在所有碳化物中热稳定性最好，是一种非常重要的金属型碳化物。然而，在氧化气氛中，所有碳化物高温下都容易被氧化，可以说这是碳化物的一大弱点。
除碳原子外，氮原子、硼原子也能进入金属晶格的空隙中，形成间充固溶体。它们与间充型碳化物的性质相似，能导电、导热、熔点高、硬度大，同时脆性也大。
（四）金属陶瓷
随着火箭、人造卫星及原子能等尖端技术的发展，对耐高温材料提出了新的要求，希望既能在高温时有很高的硬度、强度，经得起激烈的机械震动和温度变化，又有耐氧化腐蚀、高绝缘等性能。无论高熔点金属或陶瓷都很难同时满足这些。金属具有良好的机械性能和韧性，但高温化学稳定性较差，易于氧化。陶瓷的特点是耐高温，化学稳定性好，但最大的缺点是脆性，抗机械冲击和热冲击能力低。金属陶瓷是由耐高温金属如Cr、Mo、W、Ti等和高温陶瓷如Al2O3、ZrO3、TiC等经过烧结而形成的一种新型高温材料，它兼有金属和陶瓷的优点，密度小，硬度大，耐磨，导热性好，不会由于骤冷骤热而脆裂。是具有综合性能的新型高温材料，适用于高速切削刀具、冲压冷拉模具、加热元件、轴承、耐蚀制件、无线电技术、火箭技术、原子能工业等。
二、新型陶瓷材料
传统陶瓷主要采用天然的岩石、矿物、粘土等材料做原料。而新型陶瓷则采用人工合成的高纯度无机化合物为原料，在严格控制的条件下经成型、烧结和其他处理而制成具有微细结晶组织的无机材料。它具有一系列优越的物理、化学和生物性能，其应用范围是传统陶瓷远远不能相比的，这类陶瓷又称为特种陶瓷或精细陶瓷。
新型陶瓷控化学成分主要分为两类：一类是纯氧化物陶瓷，
如Al2O3、ZrO2、MgO、CaO、BeO、ThO2等；另一类是非氧化物系陶瓷，如碳化物、硼化物、氮化物和硅化物等。按照其性能与特征又可分为：高温陶瓷、超硬质陶瓷、高韧陶瓷、半导体陶瓷。电解质陶瓷、磁性陶瓷、导电性陶瓷等。随着成分、结构和I：艺的不断改进，新剂陶瓷层出不穷。按其应用不同又可将它们分为工程结构陶瓷和功能陶瓷两类。
在工程结构上使用的陶瓷称为工程陶瓷，它主要在高温下使用，也称高温结构陶瓷。这类陶瓷具有在高温下强度高、硬度大、抗氧化、耐腐蚀、耐磨损、耐烧蚀等优点，是空间技术、军事技术、原子能、业及化工设备等领域中的重要材料。工程陶瓷有许多种类，但目前世界上研究最多，认为最有发展前途的是氯化硅、碳化硅和增韧氧化物三类材料。
精密陶瓷氨化硅代替金属制造发动机的耐热部件，能大幅度提高工件温度，从而提高热效率，降低燃料消耗，节约能源，减少发动机的体积和重量，而且又代替了如镍、铬、钠等重要金属材料，所以，被人们认为是对发动机的一场革命。氮化硅可用多种方法制备，工业上普遍采用高纯硅与纯氮在1600K反应后获得：
3Si＋2N2 Si3N4
也可用化学气相沉积法，使SiCl4和N2在H2气氛保护下反应，产物Si3N4积在石墨基体上，形成一层致密的Si3N4层。此法得到的氮化硅纯度较高，其反应如下：
SiCl4＋2N2＋6H2→Si3N4＋12HCl
氯化硅、碳化硅等新型陶瓷还可用来制造发动机的叶片、切削刀具、机械密封件、轴承、火箭喷嘴、炉子管道等，具有非常广泛的用途。
利用陶瓷对声、光、电、磁、热等物理性能所具有的特殊功能而制造的陶瓷材料称为功能陶瓷。功能陶瓷种类繁多，用途各异。例如，根据陶瓷电学性质的差异可制成导电陶瓷、半导体陶瓷、介电陶瓷、绝缘陶瓷等电子材料，用于制作电容器、电阻器、电子工业中的高温高频器件，变压器等形形色色的电子零件。利用陶瓷的光学性能可制造固体激光材料、光导纤维、光储存材料及各种陶瓷传感器。此外，陶瓷还用作压电材料、磁性材料、基底材料等。总之，新剂陶瓷材料几乎遍及现代科技的每一个领域，应用前景十分广阔。
三、磁性材料
磁性材料是一种重要的电子材料。早期的磁性材料主要采用金属及合金系统，随着生产的发展，在电力工业、电讯工程及高频无线电技术等方面，迫切要求提供一种具有很高电阻率的高效能磁性材料。在重新研究磁铁矿及其他具有磁性的氧化物的基础上，研制出了一种新型磁性材料——铁氧体。铁氧体属于氧化物系统的磁性材料，是以氧化铁和其他铁族元素或稀土元素氧化物为主要成分的复合氧化物，可用于制造能量转换、传输和信息存储的各种功能器件。
铁氧体磁性材料按其晶体结构可分为：尖晶石型（MFe2O4）；石榴石型（R3Fe5O12）；磁铅石型（MFe12O19）；钙钛矿型（MFeO3）。其中M指离子半径与Fe2＋相近的二价金属离子，R为稀土元素。按铁氧体的用途不同，又可分为软磁、硬磁、矩磁和压磁等几类。
软磁材料是指在较弱的磁场下，易磁化也易退磁的一种铁氧体材料。有实用价值的软磁铁氧体主要是锰锌铁氧体Mn－ZnFe2O4和镍锌铁氧体Ni－ZnFeO4。软磁铁氧体的晶体结构一般都是立方晶系尖晶石型，这是目前各种铁氧体中用途较广，数量较大，品种较多，产值较高的一种材料。主要用作各种电感元件，如滤波器、变压器及天线的磁性和磁带录音、录像的磁头。
硬磁材料是指磁化后不易退磁而能长期保留磁性的一种铁氧体材料，也称为永磁材料或恒磁材料。硬磁铁氧体的晶体结构大致是六角晶系磁铅石型，其典型代表是钡铁氧体BaFe12O19。这种材料性能较好，成本较低，不仅可用作电讯器件如录音器、电话机及各种仪表的磁铁，而已在医学、生物和印刷显示等方面也得到了应用。
镁锰铁氧体Mg－MnFe3O4，镍钢铁氧体Ni－CuFe2O4及稀土石榴型铁氧体3Me2O3·5Fe2O3（Me为三价稀土金属离子，如Y3＋、Sm3＋、Gd3＋等）是主要的旋磁铁氧体材料。磁性材料的旋磁性是指在两个互相垂直的直流磁场和电磁波磁场的作用下，电磁波在材料内部按一定方向的传播过程中，其偏振面会不断绕传播方向旋转的现象。旋磁现象实际应用在微波波段，因此，旋磁铁氧体材料也称为微波铁氧体。主要用于雷达、通讯、导航、遥测、遥控等电子设备中。
重要的矩磁材料有锰锌铁氧体和温度特性稳定的Li－Ni－Zn铁氧体、Li－Mn－Zn铁氧体。矩磁材料具有辨别物理状态的特性，如电子计算机的"1"和"0"两种状态，各种开关和控制系统的"开"和"关"两种状态及逻辑系统的"是"和"否"两种状态等。几乎所有的电子计算机都使用矩磁铁氧体组成高速存贮器。另一种新近发展的磁性材料是磁泡材料。这是因为某些石榴石型磁性材料的薄膜在磁场加到一定大小时，磁畴会形成圆柱状的泡畴，貌似浮在水面上的水泡，泡的"有"和"无"可用来表示信息的"1"和"0"两种状态。由电路和磁场来控制磁泡的产生、消失、传输、分裂以及磁泡间的相互作用，即可实现信息的存储记录和逻辑运算等功能，在电子计算机、自动控制等科学技术中有着重要的应用。
压磁材料是指磁化时能在磁场方向作机械伸长或缩短的铁氧体材料。目前应用最多的是镍锌铁氧体，镍铜铁氧体和镍镁铁氧体等。压磁材料主要用于电磁能和机械能相互转换的超声器件、磁声器件及电讯器件、电子计算机、自动控制器件等。
四、超导材料
金属材料的电阻通常随着温度的降低而减小，当温度降低到一定数值的时候，某些金属及合金的电阻会完全消失，这种现象称为超导现象。具有超导性的物质称为超导体或超导材料。超导体电阻突然消失时的温度称为临界温度（Tc）。
荷兰物理学家H·K昂尼斯（Onnes）成功地制取了液体氦，获得了4.2K的低温。1911年他发现水银的电阻在4.2K附近突然下降到零，这就是人类第一次发现了超导现象。随着进一步的研究发现周期表中有26种金属具有超导性，单个金属的超导转变温度都很低，最高的超导金属是Nb，Tc一9.2K。因此，人们逐渐转向研究金属合金及化合物的超导性。
1986年4月瑞士科学家J．G贝德诺兹等发现由钡、镧、铜、氧组成的氧化物可能是高Tc的超导材料，并获得了Tc为30K的超导体，这是对超导材料的研究取得的第一次重大突破。在这之后，各国科学家对这一类材料进行了广泛研究。1987年2月美同科学家发现钡把铜氧材料的超导转变温度高达98K，从而突破了液氦温区而进入液氮温区。中国科学院物理所、化学所、北京大学等也都分别研制成功Tc为83.7K的超导线材和超导薄膜。日本研制成功钇一钡一铜一氧陶瓷高温超导材料，其成分为0.6Ba～0.4Y～1ICu～3O，在123K开始显示超导电性，在93K时出现零电阻。目前新的氧化物系列不断出现，如Bi－Sr-Ca－CuO，Tl－Ba－Ca－CuO等，它们的超导转变温度超过了120K。这些研究成果为超导材料早日付诸实用开辟了途径。
值得注意的是，人们发现碳的第三种同素异形体——C60碱金属作用形成AxC60（A代表钾、铷、铯等），它们都是超导体，其超导转变温度列于下表。从表中可看到，大多数AxC60超导体的转变温度比金属合金超导体高。这使人们看到C60这类有机超导体的巨大潜力，同时因其加上性能优于金属氧化物（陶瓷）超导体，因此AxC60类超导体将是很有发展前途的超导材料。
AxC60的超导转变温度
K2 C60：19 Tc／K
Rb3C60：28 Tc／K
Cs3C60：30 Tc／K
Rb2CsC60：30 Tc／K
RbCs2C60：33 Tc／K
超导材料的应用范围极为广泛，用超导材料制造的超导磁体，可产生很强的磁场，且体积小，重量轻，损耗电能小，比目前使用的常规电磁铁优异得多。应用超导材料还可以制造大功率超导发电机、磁流发电机、超导储能器、超导电缆等。超导技术最引人注目的应用是超导磁悬浮列车，其车速可高达500km/h。在海洋航行中利用超导电磁推进器，即不用电动机而实现高速、高效、无噪音航行。利用超导的完全抗磁性可制造超导无摩擦轴承。无论是在能源、电子、通讯、交通，还是由防军事技术、空间技术、受控热核反应以及医学等各个领域中，超导材料将以其特有的性能发挥出神奇的作用。
五、光导纤维与激光材料
（一）光导纤维
光导纤维简称光纤，是近10年来蓬勃发展起来的新型材料。光纤的中心是用高折射率的超纯石英或特种光学玻璃拉制成的晶莹细丝，称纤维芯。纤维芯的外皮是一层低折射率的玻璃或塑料制成的纤维皮。光纤具有传导光波的能力。
光纤的纤维芯是一种光密介质，外皮是一种光疏介质。当光线进入纤维芯，就只能在纤维芯内传播（全反射），经无数次全反射，呈锯齿形向前传播，最后到达纤维芯的另一端。这就是光纤传递信号的原理，如下图所示：
目前应用较多的有高纯石英光纤、组分玻璃光纤和塑料光纤。石英光纤所需的主要原料是经过精制的石英（SiO2），它由SiCl4水解而得到：
SiCl4＋2H2O＝SiO2＋4HCl
工业上通常将天然石英砂在电炉中以碳还原得到粗硅或结晶硅，其硅含量为95%～99%，然后再在结晶炉中用氯气与粗硅合成四氯化硅：
SiO2＋2C Si＋2CO↑ Si＋2Cl2 SiCl4
此法制得的SiCl4含有许多杂质，如BCl3、SiHCl3、PCl3等。需进一步精馏提纯。由于石英光纤原材料资源丰富，化学性能极其稳定，除氢氟酸外，对各种化学试剂有强的耐蚀性。因此，已实际应用在各种通讯线路上。除石英光纤外，其他类型的光纤材料也在大力开发之中。
目前光纤最大的应用是在通讯上，即光纤通讯，光纤通讯信息容量很大，如20根光纤组成的像铅笔一样大小的一支电缆每天可通话76200人次，而直径3英寸（3×2.54cm），由1800根铜线组成的电缆每天可只能通话900人次。此外，光纤通讯具有重量轻、抗干扰、耐腐蚀等优点，而且保密性好，原材料丰富，可大量节约有色金属。因此光纤是一种极为理想的通讯材料。
光纤制成的光学元器件，如传光纤维束，传像纤维束，纤维面板等，能发挥一般光学元件所不能起的特殊作用。此外，利用光导纤维与某些敏感元件组合或利用光导纤维本身的特性，可以做成各种传感器，用来测量温度、电流、压力、速度、声音等。它与现有的传感器相比，有许多独特的优点，特别适宜于在电磁干扰严重、空间狭小、易燃易爆等苛刻环境下使用。
（二）激光材料
激光是20世纪的重大发明之一，自1960年用红宝石作工作物质首次振荡出了激光之后，在激光的基础理论，激光的应用、激光材料和器件的研究等各个方面都有了迅速的发展。激光是利用受激辐射原理，在谐振腔内振荡出的一种特殊光。它同普通光相比，具有良好的单色性、相干性和高亮度的特点，在科学技术上有着广泛的用途。
用于生产激光的材料叫做激光11作物质，有固体、气体和液体二种，这里着重介绍固体激光材料。内体激光工作物质包括两个组成部分：激活离子（真正产生激光的离子）和基质材料（传播光束的介质）。形成激活离子的元素有三类：第一类是过渡元素如锰、铬、钴、镍、钒等；第二类是大多数稀土元素如钕、钬、镝、铒、铥、镱、镥、钆、铕、钐、镨等；第三类是个别的放射性元素如铀。目前应用最多的激活离子是Cr3＋和Nd3＋。基质材料有晶体和玻璃，每一种激活离子都有其对应的一种或几种基质材料。例如，Cr3＋渗入氧化铝晶体中有很好的发生激光的性能，但掺入到其他晶体或玻璃中发光性能就很差，甚至不会产生激光。目前已研制出的同体激光工作物质有上百种之多，但有实际使用价值的主要有：红宝石（Al2O3：Cr3＋），掺钕钇铝石榴石（Y3Al5O12：Nd3＋），掺钕铝酸钇（YAlO3：Nd3＋）和钕玻璃四种。
红宝石是最早振荡出激光的材料，输出激光波长为694.2nm的红色光。红宝石是以Al2O3晶体为基质材料，掺入质量分数为5×10－4的Cr2O3，激活离子是Cr3＋。制备红宝石单晶用的原料必须有很高的纯度，通常用重结晶法提纯后的铵明矾[NH4Al(SO4)2·12H2O]和重 铬酸铝[(NH4)2Cr2O7]，将它们以一定比例混合，加热到1050～1150℃，这时发生下列反应：
NH4Al(SO4)2·12H2O Al2(SO4)3＋2NH3↑＋SO3↑＋25H2O↑
Al2(SO4)3 Al2O3＋3SO3↑
2(NH4)2Cr2O7 4NH3↑＋2Cr2O3＋3O2↑＋2H2O↑
制得的Al2O3和Cr2O3的混合物，再用火焰法或引上法制成红宝石单晶。
掺钕钇铝石榴石和掺钕铝酸钇是分别以Y3Al5O12和YAlO3为基质材料，掺入不同浓度的Nd3＋的作为激活离子的激光工作物质。
钕玻璃的激活离子是Nd3＋，以K2O－BaO－SiO2成分的玻璃为基质材料时，产生激光的性能较好。用玻璃作同体激光工作物质的最大优点是，可以熔制出尺寸大、光学均匀性良好的材料，而且激活离子的质量分数可以提高到0.02～0.04。在核聚变的研究中，用钕玻璃激光器作为引发聚变反应的强光源取得了有效的成果。
六、纳米材料
材料绝大多数是固体物质，它的颗粒大小一般在微米数量级，一个颗粒包含着无数原子和分子，这时材料显示的是大量分子的宏观性质。当用特殊的方法把颗粒尺度加工到纳米数量级大小，则一个纳米级颗粒所含的分子数大为减小，这种由颗粒尺度为纳米数量级（1～100nm）的超细微颗粒组成的间体材料称为纳米材料。纳米材料在结构上与常规的晶态和非晶态材料有很大的差别。由于纳米材料的粒子是超细微的，粒子数多，表面积大，而且处于粒子界面上的原子比例极大，一般可占总原子数的50%左右，这就使纳米材料具有特殊的表面效应、界面效应、小尺寸效应、量子效应等，因而呈现出一系列独特的物理、化学性质，在电子、冶金、化学、生物和医学等领域展示了广泛的应用前景。
纳米材料熔点低，例如金的熔点是1064℃，而纳米金的熔点只有330℃，降低了近700℃；又如纳米级银粉的熔点由金属银的962℃降低为100℃。纳米金属熔点的降低不仅使低温烧结制备合金成为现实，还将为不互熔金属冶炼成合金创造条件。
纳米材料的表面积大，表面活性高，可制造各种高性能催化剂。例如，Ni或Cu－Zn化合物的纳米颗粒对某些有机化合物的氢化反应是极好的催化剂，可替代昂贵的铂或把催化剂；纳米铂黑催化剂可使乙烯氢化反应的温度从600℃降至室温；利用纳米镍粉作火箭固体燃料反应触媒，燃烧效率可提高100倍。此外，其催化的反应选择性还表现出特异性。如用硅载体镍催化剂对内醛的氧化反应表明，镍粒直径在5nm以下时，反应选择性发生急剧变化，醛分解反应得到有效控制，生成酒精的转化率急剧增大。
陶瓷材料由于性脆、烧结温度高等缺点，限制了其应用范围。而纳米陶瓷则具有很好的韧性和延展性能。研究表明：TiO2和CaF2纳米陶瓷材料在80～180℃范围内可产生约100%的塑性变形，韧性极好，而且烧结温度降低，能在比大晶粒样品低600℃的温度下达到类似于普通陶瓷的硬度。这些特性使纳米陶瓷材料在常温或次高温下进行冷加工成为可能。如果在次高温下将纳米陶瓷颗粒加工成型，然后作表面退火处理，就可以得一种表面保持常规陶瓷硬度，而内部仍具有纳木材料延展性的高性能陶瓷。
纳米材料还可以广泛应用于生物医药领域，如进行细胞分离、细胞染色等。由于纳米粒子比红血球（6～9um）小得多，可以在血液里自由运动，因此，注入各种对机体无害的纳米粒子到人体的各部位，可检查病变和进行治疗。研究纳米生物学可以在纳米尺度上了解生物大分子的精细结构及其与功能的关系，获取生命信息，特别是细胞内的各种信息。利用纳米传感器，可获取各种生化反应的生化信息和电化学信息。
纳米材料的出现给物理、化学、生物等许多学科带来了新的活力和挑战，纳米科学技术必将发展成为21世纪最重要的技术，人们将在纳米尺度上重新认识和改造客观世界。
rt1052 linux手册,i.MX RT1052核心板仅68元-飞凌嵌入式最新发布跨界开发平台 转载2021-05-14 03:40:13
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核心板体积小巧，仅31mm* 43mm，采用防反插板对板连接器设计，方便前期开发测试与后期批量装配并且连接器设计方式，焊接简单
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★丰富实用的通讯接口 支持8路UART，最高5Mbps；10/100M自适应以太网，支持lwip协议包；支持2路CAN，2.0B协议；支持20路ADC，12位精度；支持32路PWM，互补输出、正交解码、电机故障检测；
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★开发板评估套件接口展示
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NXP i.MXRT1052系列FET1052-C核心板：http://www.forlinx.com/99.htm
NXP iMXRT1052系列OK1052-C开发板：http://www.forlinx.com/imxrt1052.htm返回搜狐，查看更多
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IMX6Q 核心板的原理图和PCB.zip
内含 iMX6Q 开发原理图和 PCB 文件，分享给各位一起学习参考。
rtp包抖动计算公式_RTP 协议详解
概述：实时传送协议(Real-time Transport Protocol或简写RTP，也可以写成RTTP)是一个网络传输协议，它是由IETF的多媒体传输工作小组1996年在RFC 1889中公布的。RTP协议详细说明了在互联网上传递音频和视频的标准数据包格式。它一开始被设计为一个多播协议，但后来被用在很多单播应用中。RTP协议常用于流媒体系统(配合RTCP协议或者RTSP协议)。因为RTP自身...
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如何选择一款合适的核心板进行开发
很多工程师在选择嵌入式核心板的时候往往会陷入选择困难症，选择ARM9还是A8平台?选择Linux还是Android、选择创客平台还是主流核心板?选择芯片方案还是核心板方案?本文将为大家提供一些参考意见。 选择硬件平台是一个项目的开始，选择是否正确有时候往往关乎到一个项目的成败。但是当下是一个信息爆炸的年代，放到我们眼前的方案多种多样。作为一名合格的工程师不仅要关注产品性能是否够用，还要把握项目的
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linux内核开机进度条,ARM核心板如何在Linux启动时显示开机进度条？
ARM核心板如何在Linux启动时显示开机进度条？本文基于ZLG ARM9开发套件，主要介绍了如何实现在Linux *** 作系统启动时显示开机进度条，其方法适用于其他产品。开发主机环境：Ubuntu 12.04(64位)、arm-none-linux-gnueabi-gcc系列交叉工具链硬件清单：EasyARM-i.MX257开发套件或EasyARM-i.MX283A/287A开发套件或EPC-28xC...
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rt1052 linux手册,开箱折腾处女贴--在Linux下配合MCUXpresso开发RT1052
本帖最后由 msr06rr 于 2018-5-2 18:05 编辑熬夜盖楼，有幸获得iMX-X1开发板，我就不多晒板子的图了，避免拉来仇恨板子靓照gg.jpg (311.59 KB, 下载次数: 1)2018-5-2 18:04 上传安富莱给的教程一般都是针对Keil的，我花了大半天尝试了在Linux下做开发，当然IDE选择官方的MCUXpresso咯，同样都是基于Eclipse，比起英飞凌的DA...
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rt1052 linux手册,【正点原子号令者RT1052使用】8.RT1052之USMART调试组件
本帖最后由 煮饺子水洗脚 于 2018-7-22 16:09 编辑USMART 是由 ALIENTEK 开发的一个灵巧的串口调试互交组件，通过它你可以通过串口助手调用程序里面的任何函数，并执行。因此，你可以随意更改函数的输入参数(支持数字 ( 10/16进制， 支持负数)、字符串、函数入口地址等作为参数)，单个函数最多支持 10 个输入参数，并支持函数返回值显示。USMART 的功能类似 linu...
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最新发布 NXP i.MX RT1052介绍
1-NXP i.MX RT1052 连载之 MCU 简介【1】_KiFF的博客-CSDN博客 2-NXP i.MX RT1052 连载之 Boot 简介【2】_KiFF的博客-CSDN博客（重要） 3-i.MXRT单片机-Cortex-M7 i.MX RT1052 跨界核心板 - ARM核心板 - 保定飞凌嵌入式技术有限公司 这两个插座型号是什么？ 在核心板上安装的这两个插座，是3710F插座（公头）。 那么与之对应的是3710F插座（母座），如下图所示。 正点原子官网...
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rt1052 linux手册,i.mx rt1052 ucLinux烧写
使用的开发平台是飞凌嵌入式的开发板，按照厂家提供的烧写教程遇到问题，特此记录，提供给其他网友作为参考。按照手册《OK1052-C_Linux-用户手册》附录中的烧写步骤，使用createSdcard.sh创建SD卡启动盘后发现SD卡的文件系统被损坏了，然后查看了脚本代码，发现写入启动盘的内容如下：dd if=/dev/zero of=${DRIVE} bs=1k seek=384 conv=fsy...
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RT1052-初次相识
1.RT1052性能介绍 i.MX RT1050 是业界首款跨界处理器，兼具应用处理器的高性能与高度集成，以及微控制器的易用性和实时功能。i.MX RT1050基于Arm® Cortex®-M7内核，运行频率为600 MHz。 高性能Arm Cortex-M7 芯片采用六级流水线，集成双精度浮点计算单元DPFPU和DSP指令 3020 CoreMark/1284 DMIPS @ 600 ...
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AWTK G2D 硬件加速移植案例
目录一、简介二、AWTK 默认自带的 STM32 的移植分析三、NXP 的 PXP 的硬件加速移植教程 一、简介 AWTK是 ZLG 开发的开源 GUI 引擎，官网地址：https://www.zlg.cn/index/pub/awtk.html。 G2D 硬件加速是指将计算量较大的图像处理工作分配给专门的硬件外设来处理，减轻 CPU 的计算量，以此提高图像绘制的性能。 不同硬件平台的硬件加速外设不一样，其实现方法也有区别，在 AWTK 中，用户需要实现 awtk/src/base/g2d.h 文件中的相
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NXP i.MX RT1052 连载之 MCU 简介【1】
i.MX RT 系列芯片，是由 NXP 半导体公司推出的跨界处理理器芯片，该系列下又包括 i.MX RT1010、 i.MX RT1015、 i.MX RT1020、 、 i.MX RT1024、 i.MX RT1050、 i.MX RT1060、 i.MX RT1064、 i.MX RT1160、 i.MX RT1170、 i.MX RT500 以及 i.MX RT600 等子系列芯片。所谓 “跨界”，是指它自身的定位既非传统的应用处理器也非传统的微控制器。
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rt1052 usb速率_如何才能赋予RT1052超级视频编解码能力?
本文导读Cortex-M7处理器的核心本质为微控制器，却拥有高达600MHz的主频，高密度的512KB TCM SRAM和16MB的高速SDRAM，超快的实时响应，超强处理性能赋予了RT1052视频编解码的能力。对于视屏应用来说，当处理器内部不具备GPU单元时，编解码库对视频文件的解码需要由CPU提供快速的运算能力以及大量的内存作为缓冲，这是传统单片机无法胜任的主要因素，所以视频应用多采用M6Y2...
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linux开发板最好芯片,既然是中国十大最有影响力的芯片之一 一定要有个好开发板...
原标题：既然是中国十大最有影响力的芯片之一 一定要有个好开发板要评选中国影响力十大芯片，ESP8266必在其中。虽然开发文档有些混乱，各种生态纷杂，但它的低价，给了开发者更低门槛，也让更多人都参与到WiFi的开发体验中来。 从这种意义上来说，ESP8266是一款伟大的SoC!可能生态太繁茂了，所以官方开发板显得并不重要，曝光度也不高。但是我们还是想要尝试一下它的开发体验。下面正文开始ESP8266...
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