半导体的导电能力随温度升高而

半导体的导电能力随温度升高而,第1张

热敏性。热敏性拼音: [rè mǐn xìng] 基本解释: 当外界温度升高时,半导体导电能力增加,当外界温度降低时,半导体导电能力降低。半导体的这种特性叫热敏性。半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质.它的重要特性表现在以下几个方面:热敏性半导体材料的电阻率与温度有密切的关系。温度升高,半导体的电阻率会明显变小。例如纯锗(Ge),温度每升高10度,其电阻率就会减少到原来的一半。光电特性很多半导体材料对光十分敏感。无光照时,不易导电;受到光照时,就变的容易导电了。例如,常用的硫化镉半导体光敏电阻,在无光照时电阻高达几十兆欧,受到光照时电阻会减小到几十千欧。半导体受光照后电阻明显变小的现象称为“光导电”。利用光导电特性制作的光电器件还有光电二极管和光电三极管等。近年来广泛使用着一种半导体发光器件--发光二极管,它通过电流时能够发光,把电能直接转成光能。目前已制作出发黄,绿,红,蓝几色的发光二极管,以及发出不可见光红外线的发光二极管。另一种常见的光电转换器件是硅光电池,它可以把光能直接转换成电能,是一种方便的而清洁的能源。 搀杂特性纯净的半导体材料电阻率很高,但掺入极微量的“杂质”元素后,其导电能力会发生极为显著的变化。例如,纯硅的电阻率为214×1000欧姆/厘米,若掺入百万分之一的硼元素,电阻率就会减小到0.4欧姆/厘米。因此,人们可以给半导体掺入微量的某种特定的杂质元素,精确控制它的导电能力,用以制作各种各样的半导体器件。

离子晶体加热导电性是升高的,因为离子晶体的导电是通过离子通过空穴迁移而导电,将晶体加热,离子的活动范围增大,离子迁移速率增大,空穴也更大,更易迁移.

金属晶体加热,导电性降低,这是因为金属晶体靠电子定向运动而导电,加热后金属原子(金属正离子)的震动幅度增大,阻碍电子的定向运动,导电性降低.

半导体加热,导电性升高,这是因为半导体在导带上没有电子,只有受到激发后,电子由满带转移到导带,这样才能形成类似于金属键的分子键才能导电,而加热,可以使电子的激发加快,使导电性升高.

可以。由于半导体传感器是通过通电加热的方式来满足半导体材料的工作条件,从而达到需求的敏感信号,因此半导体通电可以加热。半导体(semiconductor)指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用。


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