在杂质半导体中，多数截流子的浓度主要取决于？

在杂质半导体中，多数截流子的浓度主要取决于掺入的施主浓度或者受主浓度；在全电离时，多数截流子浓度≈掺杂浓度，并且基本上与温度无关。

而少数截流子的浓度则与（温度）有很大关系（因为是本征激发的关系）。

详见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明。

在杂质半导体中多子的数量与掺杂浓度有关,少子的数量与温度有关。

少子浓度主要由本征激发决定，所以受温度影响较大。

在N型半导体中，自由电子多，空穴少，多子是自由电子，少子是空穴。在P型半导体中，空穴多，自由电子少，多子是空穴，少子是自由电子。不论是N型半导体中的自由电子，还是P型半导体中的空穴，它们都参与导电，统称为“载流子”，“载流子”导电是半导体所特有的 。

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