如果半导体中电子浓度大时,电子就是多数载流电子,空穴就是少数载流电子。相反,如果该半导体中空穴浓度大时,空穴就是多数载流电子,电子就是少数载流电子。
P型半导体:在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,形成P型半导体,N型半导体:在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体。
扩展资料:
P型半导体中多数载流子为空穴,空穴是带正电荷载流子。N型半导体中多数是自由电子,自由电子是带负电荷载流子。
是以带正电的空穴导电为主的半导体。在纯硅中掺入微量3价元素铟或铝,由于铟或铝原子周围有3个价电子,与周围4价硅原子组成共价结合时缺少一个电子,形成一个空穴。空穴相当于带正电的粒子,在这类半导体的导电中起主要作用。
参考资料来源:百度百科-空穴型半导体
1:P型半导体:在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,形成P型半导体,N型半导体:在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体.2:N型半导体中 自由电子的浓度大于空穴的浓度,称为多数载流子,空穴称为少数载流子
P型半导体中 多数载流子为空穴,少数载流子为电子
3:P型半导体中多数载流子为空穴,空穴是带正电荷载流子.N型半导体中多数是自由电子,自由电子是带负电荷载流子.
金属是导电的,但是在没有外加电场的情况下是电中性的,这是因为载流子能够导体和半导体中自由移动,而没有外加电场是不会移动的,因此无外加电场的情况下半导体是电中性的。p型半导体由于硼与Si之间少一个成键电子,Si会有个悬挂键,这就像一个电子空位,电子会填充这个空位,而电子填充的作用可以等效为空位在半导体中的移动。当外电路提供电子时,半导体p型掺杂越大,半导体内空位越多,电子填充作用越明显,等效为空穴电流就越大。关于空穴导电的问题我在另一个回答中也有说明,你可以看看。http://zhidao.baidu.com/question/1046379319820072659.html?oldq=1
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