smt技术所用的元件有哪些种类？

SMT常见电子元件分类，功能及封装形式

以下数据仅供参考，如有出入以实际为主

主动组件-TR,IC,DIODE

被动组件-R,C,L

半导体-TR(双极性),IC,DIODE(二极管)

电子组件分类:

1.电阻R-

阻止电流流通,产生压降零件

2.电容C-

有储存电荷之零件

3.电感L-

电感在于控制磁场及转变磁场变化,亦可储存能量

3.晶体管TR-

由两块NP型半导体即为TR,主要用于放大及衰减(讯号,电流,电压等)

4.二极管D-

将N型及P型半导体对半相接,即为二极管,用于稳压及整流

5.集成电路IC-

为一完整电子回路之芯片,内含R.C.L.TR等组件

各组件种类,功能

1.R~

陶瓷,单芯片,热敏,光敏,VR

DIP电阻(碳素皮膜电阻,碳素混合体电阻,金属皮膜电阻)

水泥电阻(线绕,陶瓷,水泥)

2.C~

电解电容ec-铝质~滤掉低频 -钽质~泸掉中,低频

陶瓷电容cc-泸掉高频

薄膜电容~金属

云母电容~泸掉中频

3.L~

硅钢片

铁粉心

4.TR~

C(接地) pnp~使讯号持续

E(接地) npn~放大讯号

C集极

B基极

E射极

5.DIODE~

6.IC~

RC电路~反向器

单晶电路~执行function功能

单晶+RC~控制function讯号

单晶+L~混波用以放大及衰减

Power放大电路~稳压及回授讯号

单晶+RCL~放大

7.振荡器

组件启动所须之频率

8.Connector

连接两组件,回路…

封装型式

1.SOT(Shrink Outline Transistor)~ TR or DIO三脚以上,脚位分在两侧,常以塑料封装,塑料带

2.PLCC(Plastic Leaded Chip Camier)~

四边J型脚,塑料主体,脚数20-84,可为正方形or矩形,主体宽由0.35”-1.15”,主用于减小机板空间(pitch 1.27mm)

3.TSSOP(Thin Small Shrink Outline Package)~

增加热效应,增加散热150%，

脚数8-80,主体3mm,4mm,6.1Mm(宽),厚0.9MM(4.46.1) 厚0.85(3)

pitch~0.4mm~0.65mm

4.SSOP(Small Shrink Outline Package)~

脚数8-64主体209~300mils(5.3mm~10.2mm),

pitch0.65mm~1.27mm

脚宽(0.2m~0.34mm),增加散热110%

5.SOP(Shrink Outline Package)~

Pitch 1.27mm

6.SOJ~J型脚

脚宽(0.33mm~0.51mm)

7.TSOP(Thin Small Outline Package)~

比较薄,厚度1.0mm,pitch 0.5mm~1.27mm

8.CQFP(Ceramic Quad Flat Pack)~

陶瓷材质,脚数14~304,pitch 15.7mils~50,盖子接缝于400度~460度处理

9.LCC(Leadless Ceramic Crrier)~

陶瓷材质,以pad取代lead, picth 1.0mm~1.27mm 脚数16~84

10.BQFP(Bumpered Quad Flat Pack)~

在四周有缓冲槽杆,pitch 0.636mm(25mil)

11.QFP(Plastic Quad Flat Pack)~

Pitch 0.4mm~1mm 厚2mm以上

12.LQFP(Low Profile Quad Flat Pack)~

比较薄1.4mm footprint 2.0mm 脚数32~256

bodysize 5x5m~28x28mm pitch0.3mm~0.65mm

13.FC(Flip Chip)

14.FC CSP(Flip Chip CSP)~

将fc以CSP方式处理

15.CBGA(Ceramic Ball Grid Array)~

以陶瓷为基底,环气胶or金属盖,接缝封胶,锡球90Pb/10Sn

本体15mm-32.5mm, pitch 1.27mm

16.PBGA(Plastic Ball Grid Array)~

改善热效应,增大SMT可靠度, pitch 1.0mm以上,球63/37 SnPb

1.0mm<=>球径0.5mm0.63 mm1.27mm-->球径0.76mm

1.5mm-->球径0.76mm,本体13mm~45mm

17.CSP(Chip Scale Package)

球径0.3mm pitch 0.5mm

18.MLF(Micro Lead Frame)

19.µBGA

Pitch0.5-0.8 球径0.3

半导体激光器(LaserDiodLD及其阵列（LaserDiodArraiLDA 由于具有体积小、重量轻、发光效率高和易调制、容易集成等优点被认为是最有前景的激光器。

大功率半导体激光器要求激光器非单发光区结构而是由这些单发光区遵照某一规则排列成线阵（BA RCHIPS或面阵（STA CKEDARRA Y.

半导体激光器的特殊结构使得它发散角较大，而且存在着像散，给使用带来了很多不便，制约半导体激光器应用。除了极少数的应用，如DPL正面外，大多数应用，如半导体激光器泵浦的全固态激光器（DPSSL端面、光纤激光器以及要求较高的正面泵浦激光器都要求对LDA 光束进行整形，形成小芯径、小数值孔径、高亮度的光纤耦合激光输出。较早的方法是将一根光纤和LDA 每一个发光区一一对应，形成一捆光纤束。这种方法在大功率时须采用一大捆光纤束而光亮度并不大，也难于对该光束进行进一步的整形来提高光亮度，因此该方法已趋于淘汰。

dioe网络释义 国际光电博览会 ...更好地推动国内半导体照明产业的发展，促进行业间的沟通和交流，由神州科技部高新技术发展及产业化司、神州 国际光电博览会 ( DIOE )主办，神州科学技术协会、神州光学学会、神州电子商人团体、OFweek光电新闻网等协办的国家级半导体照明嘉会–2009LED照明技术及发... 在网络上查到是这样的意思

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