半导体器件简介及详细资料

简介

半导体器件(semiconductor device)通常，利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极体，晶体二极体的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。三端器件一 般是有源器件，典型代表是各种电晶体(又称晶体三极体)。电晶体又可以分为双极型电晶体和场效应电晶体两 类。根据用途的不同，电晶体可分为功率电晶体微波电晶体和低噪声电晶体。除了作为放大、振荡、开关用的 一般电晶体外，还有一些特殊用途的电晶体，如光电晶体、磁敏电晶体，场效应感测器等。这些器件既能把一些 环境因素的信息转换为电信号，又有一般电晶体的放大作用得到较大的输出信号。此外，还有一些特殊器件，如单结电晶体可用于产生锯齿波，可控矽可用于各种大电流的控制电路，电荷耦合器件可用作摄橡器件或信息存 储器件等。在通信和雷达等军事装备中，主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。随着微波 通信技术的迅速发展，微波半导件低噪声器件发展很快，工作频率不断提高，而噪声系数不断下降。微波半导体 器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性，在防空反导、电子战、C(U3)I等系统中已得到广泛的套用 。

分类 晶体二极体

晶体二极体的基本结构是由一块 P型半导体和一块N型半导体结合在一起形成一个 PN结。在PN结的交界面处，由于P型半导体中的空穴和N型半导体中的电子要相互向对方扩散而形成一个具有空间电荷的偶极层。这偶极层阻止了空穴和电子的继续扩散而使PN结达到平衡状态。当PN结的P端(P型半导体那边)接电源的正极而另一端接负极时，空穴和电子都向偶极层流动而使偶极层变薄，电流很快上升。如果把电源的方向反过来接，则空穴和电子都背离偶极层流动而使偶极层变厚，同时电流被限制在一个很小的饱和值内(称反向饱和电流)。因此，PN结具有单向导电性。此外，PN结的偶极层还起一个电容的作用，这电容随着外加电压的变化而变化。在偶极层内部电场很强。当外加反向电压达到一定阈值时，偶极层内部会发生雪崩击穿而使电流突然增加几个数量级。利用PN结的这些特性在各种套用领域内制成的二极体有:整流二极体、检波二极体、变频二极体、变容二极体、开关二极体、稳压二极体(曾讷二极体)、崩越二极体(碰撞雪崩渡越二极体)和俘越二极体(俘获电浆雪崩渡越时间二极体)等。此外，还有利用PN结特殊效应的隧道二极体，以及没有PN结的肖脱基二极体和耿氏二极体等。

双极型电晶体

它是由两个PN结构成，其中一个PN结称为发射结，另一个称为集电结。两个结之间的一薄层半导体材料称为基区。接在发射结一端和集电结一端的两个电极分别称为发射极和集电极。接在基区上的电极称为基极。在套用时，发射结处于正向偏置，集电极处于反向偏置。通过发射结的电流使大量的少数载流子注入到基区里，这些少数载流子靠扩散迁移到集电结而形成集电极电流，只有极少量的少数载流子在基区内复合而形成基极电流。集电极电流与基极电流之比称为共发射极电流放大系数?。在共发射极电路中，微小的基极电流变化可以控制很大的集电极电流变化，这就是双极型电晶体的电流放大效应。双极型电晶体可分为NPN型和PNP型两类。

场效应电晶体

它依靠一块薄层半导体受横向电场影响而改变其电阻(简称场效应)，使具有放大信号的功能。这薄层半导体的两端接两个电极称为源和漏。控制横向电场的电极称为栅。

根据栅的结构,场效应电晶体可以分为三种:

①结型场效应管(用PN结构成栅极)

②MOS场效应管(用金属-氧化物-半导体构成栅极,见金属-绝缘体-半导体系统)

③MES场效应管(用金属与半导体接触构成栅极)其中MOS场效应管使用最广泛。尤其在大规模积体电路的发展中,MOS大规模积体电路具有特殊的优越性。MES场效应管一般用在GaAs微波电晶体上。

在MOS器件的基础上,又发展出一种电荷耦合器件 (CCD)，它是以半导体表面附近存储的电荷作为信息，控制表面附近的势阱使电荷在表面附近向某一方向转移。这种器件通常可以用作延迟线和存储器等配上光电二极体列阵，可用作摄像管。

命名方法

中国半导体器件型号命名方法

半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、雷射器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下:

第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极体、3-三极体

第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极体时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型矽材料、D-P型矽材料。表示三极体时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型矽材料、D-NPN型矽材料。

第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的类型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-雷射器件。

第四部分:用数字表示序号

第五部分:用汉语拼音字母表示规格号

例如:3DG18表示NPN型矽材料高频三极体

日本半导体分立器件型号命名方法

日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下:

第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电(即光敏)二极体三极体及上述器件的组合管、1-二极体、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。

第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。

第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控矽、G-N控制极可控矽、H-N基极单结电晶体、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控矽。

第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从"11"开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号数字越大，越是产品。

第五部分: 用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。

美国半导体分立器件型号命名方法

美国电晶体或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下:

第一部分:用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、(无)-非军用品。

第二部分:用数字表示pn结数目。1-二极体、2=三极体、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。

第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。

第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。

第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如:JAN2N3251A表示PNP矽高频小功率开关三极体，JAN-军级、2-三极体、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。

国际电子联合会半导体器件型号命名方法

德国、法国、义大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下:

第一部分:用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁频宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如矽、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化镓、D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料

第二部分:用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极体、B-变容二极体、C-低频小功率三极体、D-低频大功率三极体、E-隧道二极体、F-高频小功率三极体、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极体、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极体、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极体、Y-整流二极体、Z-稳压二极体。

第三部分:用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。

第四部分:用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。

除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下:

1、稳压二极体型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。

2、整流二极体后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。

3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。

如:BDX51-表示NPN矽低频大功率三极体，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极体。

积体电路

把晶体二极体、三极体以及电阻电容都制作在同一块矽晶片上，称为积体电路。一块矽晶片上集成的元件数小于 100个的称为小规模积体电路，从 100个元件到1000 个元件的称为中规模积体电路，从1000 个元件到100000 个元件的称为大规模积体电路，100000 个元件以上的称为超大规模积体电路。积体电路是当前发展计算机所必需的基础电子器件。许多工业先进国家都十分重视积体电路工业的发展。积体电路的集成度以每年增加一倍的速度在增长。每个晶片上集成256千位的MOS随机存储器已研制成功，正在向1兆位 MOS随机存储器探索。

光电器件 光电探测器

光电探测器的功能是把微弱的光信号转换成电信号，然后经过放大器将电信号放大，从而达到检测光信号的目的。光敏电阻是最早发展的一种光电探测器。它利用了半导体受光照后电阻变小的效应。此外，光电二极体、光电池都可以用作光电探测元件。十分微弱的光信号，可以用雪崩光电二极体来探测。它是把一个PN结偏置在接近雪崩的偏压下，微弱光信号所激发的少量载流子通过接近雪崩的强场区，由于碰撞电离而数量倍增，因而得到一个较大的电信号。除了光电探测器外，还有与它类似的用半导体制成的粒子探测器。

半导体发光二极体

半导体发光二极体的结构是一个PN结，它正向通电流时，注入的少数载流子靠复合而发光。它可以发出绿光、黄光、红光和红外线等。所用的材料有 GaP、GaAs、GaAs1-xPx、Ga1-xAlxAs、In1-xGaxAs1-yPy等。

半导体雷射器

如果使高效率的半导体发光管的发光区处在一个光学谐振腔内，则可以得到雷射输出。这种器件称为半导体雷射器或注入式雷射器。最早的半导体雷射器所用的PN结是同质结，以后采用双异质结结构。双异质结雷射器的优点在于它可以使注入的少数载流子被限制在很薄的一层有源区内复合发光，同时由双异质结结构组成的光导管又可以使产生的光子也被限制在这层有源区内。因此双异质结雷射器有较低的阈值电流密度，可以在室温下连续工作。

光电池

当光线投射到一个PN结上时，由光激发的电子空穴对受到PN结附近的内在电场的作用而向相反方向分离，因此在PN结两端产生一个电动势，这就成为一个光电池。把日光转换成电能的日光电池很受人们重视。最先套用的日光电池都是用矽单晶制造的，成本太高，不能大量推广使用。国际上都在寻找成本低的日光电池，用的材料有多晶矽和无定形矽等。

其它

利用半导体的其他特性做成的器件还有热敏电阻、霍耳器件、压敏元件、气敏电晶体和表面波器件等。

未来发展

今年是摩尔法则(Moore'slaw)问世50周年，这一法则的诞生是半导体技术发展史上的一个里程碑。

这50年里，摩尔法则成为了信息技术发展的指路明灯。计算机从神秘不可近的庞然大物变成多数人都不可或缺的工具，信息技术由实验室进入无数个普通家庭，网际网路将全世界联系起来，多媒体视听设备丰富著每个人的生活。这一法则决定了信息技术的变化在加速，产品的变化也越来越快。人们已看到，技术与产品的创新大致按照它的节奏，超前者多数成为先锋，而落后者容易被淘汰。

这一切背后的动力都是半导体晶片。如果按照旧有方式将电晶体、电阻和电容分别安装在电路板上，那么不仅个人电脑和移动通信不会出现，连基因组研究、计算机辅助设计和制造等新科技更不可能问世。有关专家指出,摩尔法则已不仅仅是针对晶片技术的法则不久的将来，它有可能扩展到无线技术、光学技术、感测器技术等领域，成为人们在未知领域探索和创新的指导思想。

毫无疑问，摩尔法则对整个世界意义深远。不过，随着电晶体电路逐渐接近性能极限，这一法则将会走到尽头。摩尔法则何时失效?专家们对此众说纷纭。早在1995年在芝加哥举行信息技术国际研讨会上，美国科学家和工程师杰克·基尔比表示，5纳米处理器的出现或将终结摩尔法则。中国科学家和未来学家周海中在此次研讨会上预言，由于纳米技术的快速发展，30年后摩尔法则很可能就会失效。2012年，日裔美籍理论物理学家加来道雄在接受智囊网站采访时称，"在10年左右的时间内，我们将看到摩尔法则崩溃。"前不久，摩尔本人认为这一法则到2020年的时候就会黯然失色。一些专家指出，即使摩尔法则寿终正寝，信息技术前进的步伐也不会变慢。

图书信息

书 名: 半导体器件

作 者:布伦南高建军刘新宇

出版社:机械工业出版社

出版时间: 2010年05月

ISBN: 9787111298366

定价: 36元

内容简介

《半导体器件:计算和电信中的套用》从半导体基础开始，介绍了电信和计算产业中半导体器件的发展现状，在器件方面为电子工程提供了坚实的基础。内容涵盖未来计算硬体和射频功率放大器的实现方法，阐述了计算和电信的发展趋势和系统要求对半导体器件的选择、设计及工作特性的影响。

《半导体器件:计算和电信中的套用》首先讨论了半导体的基本特性接着介绍了基本的场效应器件MODFET和M0SFET，以及器件尺寸不断缩小所带来的短沟道效应和面临的挑战最后讨论了光波和无线电信系统中半导体器件的结构、特性及其工作条件。

作者简介

Kevin F Brennan曾获得美国国家科学基金会的青年科学家奖。2002年被乔治亚理工大学ECE学院任命为杰出教授，同年还获得特别贡献奖，以表彰他对研究生教育所作出的贡献。2003年，他获得乔治亚理工大学教职会员最高荣誉--杰出教授奖。他还是IEEE电子器件学会杰出讲师。

图书目录

译者序

前言

第1章 半导体基础

1.1 半导体的定义

1.2 平衡载流子浓度与本征材料

1.3 杂质半导体材料

思考题

第2章 载流子的运动

2.1 载流子的漂移运动与扩散运动

2.2 产生-复合

2.3 连续性方程及其解

思考题

第3章 结

3.1 处于平衡状态的pn结

3.2 不同偏压下的同质pn结

3.3 理想二极体行为的偏离

3.4 载流子的注入、拉出、电荷控制分析及电容

3.5 肖特基势垒

思考题

第4章 双极结型电晶体

4.1 BJT工作原理

4.2 BJT的二阶效应

4.2.1 基区漂移

4.2.2 基区宽度调制/Early效应

4.2.3 雪崩击穿

4.3 BJT的高频特性

思考题

第5章结型场效应电晶体和金属半导体场效应电晶体

5.1 JFE

恒烁半导体股票代码是：688416。

恒烁半导体（合肥）股份有限公司成立于2015年，恒烁半导体（合肥）股份有限公司是一家主营业务为存储芯片和MCU芯片研发、设计及销售的集成电路企业。

公司于2022年8月29日在上海证券交易所科创板上市，股票代码688416。

公司现有主营产品包括NORFlash存储芯片和基于Arm_Cortex_-M0+内核架构的通用32位MCU芯片。同时，公司还在致力于开发基于NOR闪存技术的存算一体终端推理AI芯片，并提供边缘计算的完整解决方案。

数控编程代码大全

FANUC车床G代码

FANUC铣床G代码

FANUC M指令代码

SIEMENS铣床 G代码

SIEMENS802S/CM 固定循环

SIEMENS802DM/810/840DM 固定循环

SIEMENS车床 G 代码

SIEMENS 801、802S/CT、 802SeT 固定循环

SIEMENS 802D、810D/840D 固定循环

HNC车床G代码

HNC铣床G代码

HNC M指令

KND100铣床G代码

KND100车床G代码

KND100 M指令

GSK980车床G代码

GSK980T M指令

GSK928 TC/TE　G代码

GSK928 TC/TE　M指令

GSK990M　G代码

GSK990M　M指令

GSK928MA　G代码

GSK928MA　M指令

三菱 E60 铣床G代码

DASEN 3I铣床G代码

DASEN 3I车床G代码

华兴车床G代码

华兴M指令

华兴铣床G代码

华兴M指令

仁和32T G代码

仁和32T M指令

SKY 2003N M G代码

SKY 2003N M M指令

1.FANUC车床G代码

G代码 解释

G00定位 (快速移动)

G01直线切削

数控代码大全 - 蓝色水晶 - 蓝色水晶的博客

G02顺时针切圆弧 (CW，顺时钟)

G03逆时针切圆弧 (CCW，逆时钟)

G04暂停 (Dwell)

G09停于精确的位置

G20英制输入

G21公制输入

G22内部行程限位 有效

G23内部行程限位 无效

G27检查参考点返回

G28参考点返回

G29从参考点返回

G30回到第二参考点

G32切螺纹

G40取消刀尖半径偏置

G41刀尖半径偏置 (左侧)

G42刀尖半径偏置 (右侧)

G50修改工件坐标；设置主轴最大的 RPMG52设置局部坐标系

G53选择机床坐标系

G70精加工循环

G71内外径粗切循环

G72台阶粗切循环

G73成形重复循环

G74Z 向步进钻削

G75X 向切槽

G76切螺纹循环

G80取消固定循环

G83钻孔循环

G84攻丝循环

G85正面镗孔循环

G87侧面钻孔循环

G88侧面攻丝循环

G89侧面镗孔循环

G90(内外直径)切削循环

G92切螺纹循环

G94(台阶) 切削循环

G96恒线速度控制

G97恒线速度控制取消

G98每分钟进给率

G99每转进给率

支持宏程序编程

2.FANUC铣床G代码

G代码解释

G00顶位 (快速移动)定位 (快速移动)

G01直线切削

G02顺时针切圆弧

G03逆时针切圆弧

G04暂停

G15/G16极坐标指令

G17XY 面赋值

G18XZ 面赋值

G19YZ 面赋值

G28机床返回原点

G30机床返回第2和第3原点

*G40取消刀具直径偏移

G41刀具直径左偏移

G42刀具直径右偏移

*G43刀具长度 + 方向偏移

*G44刀具长度 - 方向偏移

G49取消刀具长度偏移

*G53机床坐标系选择

G54工件坐标系1选择

G55工件坐标系2选择

G56工件坐标系3选择

G57工件坐标系4选择

G58工件坐标系5选择

G59工件坐标系6选择

G73高速深孔钻削循环

G74左螺旋切削循环

G76精镗孔循环

*G80取消固定循环

G81中心钻循环

G82反镗孔循环

G83深孔钻削循环

G84右螺旋切削循环

G85镗孔循环

G86镗孔循环

G87反向镗孔循环

G88镗孔循环

G89镗孔循环

*G90使用绝对值命令

G91使用增量值命令

G92设置工件坐标系

*G98固定循环返回起始点

*G99返回固定循环R点

G50

比例缩放G51G68

坐标系旋转G69

支持宏程序编程

3.FANUC M指令代码

M代码说明

M00程序停

M01选择停止

M02程序结束(复位)

M03主轴正转 (CW)

M04主轴反转 (CCW)

M05主轴停

M06换刀

M08切削液开

M09切削液关

M30程序结束(复位) 并回到开头

M48主轴过载取消 不起作用

M49主轴过载取消 起作用

M94镜象取消

M95X坐标镜象

M96Y坐标镜象

M98子程序调用

M99子程序结束

4.SIEMENS铣床 G代码

地址含义

D刀具刀补号

F进给率(与G4 一起可以编程停留时间)

GG功能(准备功能字)

G0快速移动

G1直线插补

G2顺时针圆弧插补

G3逆时针圆弧插补

CIP中间点圆弧插补

G33恒螺距的螺纹切削

G331不带补偿夹具切削内螺纹

G332不带补偿夹具切削内螺纹. 退刀

CT带切线的过渡圆弧插补

G4快速移动

G63快速移动

G74回参考点

G75回固定点

G25主轴转速下限

G26主轴转速上限

G110极点尺寸，相对于上次编程的设定位置

G110极点尺寸，相对于当前工件坐标系的零点

G120极点尺寸，相对于上次有效的极点

G17*X/Y平面

G18Z/X平面

G19Y/Z平面

G40刀尖半径补偿方式的取消

G41调用刀尖半径补偿, 刀具在轮廓左侧移动

G42调用刀尖半径补偿, 刀具在轮廓右侧移动

G500取消可设定零点偏置

G54第一可设定零点偏置

G55第二可设定零点偏置

G56第三可设定零点偏置

G57第四可设定零点偏置

G58第五可设定零点偏置

G59第六可设定零点偏置

G53按程序段方式取消可设定零点偏置

G60*准确定位

G70英制尺寸

G71*公制尺寸

G700英制尺寸，也用于进给率FG710公制尺寸，也用于进给率FG90*绝对尺寸

G91增量尺寸

G94*进给率F，单位毫米/分

G95主轴进给率F，单位毫米/转

G901在圆弧段进给补偿“开”

G900进给补偿“关”

G450圆弧过渡

G451等距线的交点

I插补参数

J插补参数

K插补参数

I1圆弧插补的中间点

J1圆弧插补的中间点

K1圆弧插补的中间点

L子程序名及子程序调用

M辅助功能

M0程序停止

M1程序有条件停止

M2程序结束

M3主轴顺时针旋转

M4主轴逆时针旋转

M5主轴停

M6更换刀具

N副程序段

:主程序段

P子程序调用次数

RET子程序结束

S主轴转速,在G4 中表示暂停时间

T刀具号

X坐标轴

Y坐标轴

Z坐标轴

CALL循环调用

CHF倒角，一般使用

CHR倒角轮廓连线

CR圆弧插补半径

GOTOB向后跳转指令

GOTOF向前跳转指令

RND圆角

支持参数编程

5.SIEMENS802S/CM 固定循环

循环说明

LCYC82钻削，沉孔加工

LCYC83深孔钻削

LCYC840带补偿夹具的螺纹切削

LCYC84不带补偿夹具的螺纹切削

LCYC85镗孔

LCYC60线性孔排列

LCYC61圆弧孔排列

LCYC75矩形槽，键槽，圆形凹槽铣削

SIEMENS802DM/810/840DM 固定循环

循环说明

CYCLE82中心钻孔

CYCLE83深孔钻削

CYCLE84性攻丝

CYCLE85铰孔

CYCLE86镗孔

CYCLE88带停止镗孔

CYCLE71端面铣削

LONGHOLE一个圆弧上的长方形孔

POCKET4环形凹槽铣削

POCKET3矩形凹槽铣削

SLOT1一个圆弧上的键槽

SLOT2环行槽

6.SIEMENS车床 G 代码

地址含义

D刀具刀补号

FF进给率(与G4 一起可以编程停留时间)

GG功能(准备功能字)

G0快速移动

G1直线插补

G2顺时针圆弧插补

G3逆时针园弧插补

G33恒螺距的螺纹切削

G4快速移动

G63快速移动

G74回参考点

G75回固定点

G17(在加工中心孔时要求)

G18*Z/X平面

G40刀尖半径补偿方式的取消

G41调用刀尖半径补偿, 刀具在轮廓左侧移动

G42调用刀尖半径补偿, 刀具在轮廓右侧移动

G500取消可设定零点偏置

G54第一可设定零点偏置

G55第二可设定零点偏置

G56第三可设定零点偏置

G57第四可设定零点偏置

G58第五可设定零点偏置

G59第六可设定零点偏置

G53按程序段方式取消可设定零点偏置

G70英制尺寸

G71*公制尺寸

G90*绝对尺寸

G91增量尺寸

G94*进给率F，单位毫米/分

G95主轴进给率F，单位毫米/转

I插补参数

I1圆弧插补的中间点

K1圆弧插补的中间点

L子程序名及子程序调用

M辅助功能

M0程序停止

M1程序有条件停止

M2程序结束

M30M17M3主轴顺时针旋转

M4主轴逆时针旋转

M5主轴停

M6更换刀具

N副程序段

:主程序段

P子程序调用次数

RET子程序结束

S主轴转速,在G4 中表示暂停时间

T刀具号

X坐标轴

Y坐标轴

Z坐标轴

AR圆弧插补张角

CALL循环调用

CHF倒角，一般使用

CHR倒角轮廓连线

CR圆弧插补半径

GOTOB向后跳转指令

GOTOF向前跳转指令

RND圆角

支持参数编程

7.SIEMENS 801、802S/CT、 802SeT 固定循环

循环说明

LCYC82钻削，沉孔加工

LCYC83深孔钻削

LCYC840带补偿夹具的螺纹切削

LCYC84不带补偿夹具的螺纹切削

LCYC85镗孔

LCYC93切槽循环

LCYC95毛坯切削循环

LCYC97螺纹切削

SIEMENS 802D、810D/840D 固定循环

循环说明

CYCLE71平面铣削

CYCLE82中心钻孔

YCLE83深孔钻削

CYCLE84刚性攻丝

CYCLE85铰孔

CYCLE86镗孔

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CYCLE88带停止镗孔

CYCLE93切槽

CYCLE94退刀槽形状E..FCYCLE95毛坯切削

CYCLE97螺纹切削

8.HNC车床G代码

G代码解释

G00定位 (快速移动)

G01直线切削

G02顺时针切圆弧 (CW，顺时钟)

G03逆时针切圆弧 (CCW，逆时钟)

G04暂停 (Dwell)

G09停于精确的位置

G20英制输入

G21公制输入

G22内部行程限位 有效

G23内部行程限位 无效

G27检查参考点返回

G28参考点返回

G29从参考点返回

G30回到第二参考点

G32切螺纹

G36直径编程

G37半径编程

G40取消刀尖半径偏置

G41刀尖半径偏置 (左侧)

G42刀尖半径偏置 (右侧)

G53直接机床坐标系编程

G54—G59坐标系选择

G71内外径粗切循环

G72台阶粗切循环

G73闭环车削复合循环

G76切螺纹循环

G80内外径切削循环

G81端面车削固定循环

G82螺纹切削固定循环

G90绝对值编程

G91增量值编程

G92工件坐标系设定

G96恒线速度控制

G97恒线速度控制取消

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G94每分钟进给率

G95每转进给率

支持参数与宏编程

9.HNC铣床G代码

G代码组别解释

*G001

定位 (快速移动)

G01直线切削

G02顺时针切圆弧

G03逆时针切圆弧

G040暂停

G0716虚轴指定

G090准停校验

*G172XY 面赋值

G18XZ 面赋值

G19YZ 面赋值

G208

英寸输入

*G21毫米输入

G22脉冲当量

G243

镜像开

*G25镜像关

G280

返回到参考点

G29由参考点返回

*G407

取消刀具直径偏移

G41刀具直径左偏移

G42刀具直径右偏移

G438

刀具长度 + 方向偏移

G44刀具长度 - 方向偏移

*G49取消刀具长度偏移

*G504

缩放关

G51缩放开

G520

局部坐标系设定

G53直接机床坐标系编程

*G5414

工件坐标系1选择

G55工件坐标系2选择

G56工件坐标系3选择

G57工件坐标系4选择

G58工件坐标系5选择

G59工件坐标系6选择

G600单方向定位

*G6112

精确停止校验方式

G64连续方式

G685

旋转变换

*G69旋转取消

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G739

高速深孔钻削循环

G74左螺旋切削循环

G76精镗孔循环

*G80取消固定循环

G81中心钻循环

G82反镗孔循环

G83深孔钻削循环

G84右螺旋切削循环

G85镗孔循环

G86镗孔循环

G87反向镗孔循环

G88镗孔循环

G89镗孔循环

*G903

使用绝对值命令

G91使用增量值命令

G920设置工件坐标系

*G9414

每分钟进给

G95每转进给

*G9810

固定循环返回起始点

G99返回固定循环R点

支持参数与宏编程

10.HNC M指令

M代码说明

M00程序停

M01选择停止

M02程序结束(复位)

M03主轴正转 (CW)

M04主轴反转 (CCW)

M05主轴停

M06换刀

M07切削液开

M09切削液关

M98子程序调用

M99子程序结束

11.KND100铣床G代码

G代码组别解释

G001

定位 (快速移动)

G01直线切削

G02顺时针切圆弧

G03逆时针切圆弧

G040暂停

G172XY 面赋值

G18XZ 面赋值

G19YZ 面赋值

G280

机床返回原点

G29从参考点返回

*G407

取消刀具直径偏移

G41刀具直径左偏移

G42刀具直径右偏移

*G438

刀具长度 + 方向偏移

*G44刀具长度 - 方向偏移

G49取消刀具长度偏移

*G5314

机床坐标系选择

G54工件坐标系1选择

G55工件坐标系2选择

G56工件坐标系3选择

G57工件坐标系4选择

G58工件坐标系5选择

G59工件坐标系6选择

G739

高速深孔钻削循环

G74左螺旋切削循环

G76精镗孔循环

*G80取消固定循环

G81钻孔循环（点钻）

G82钻孔循环（镗阶梯孔）

G83深孔钻削循环

G84攻丝循环

G85镗孔循环

G86钻孔循环

G87反向镗孔循环

G88镗孔循环

G89镗孔循环

*G903

使用绝对值命令

G91使用增量值命令

G920设置工件坐标系

*G9810

固定循环返回起始点

*G99返回固定循环R点

12.KND100车床G代码

G代码组别解释

G001

定位 (快速移动)

G01直线切削

G02顺时针切圆弧 (CW，顺时钟)

G03逆时针切圆弧 (CCW，逆时钟)

G040

暂停 (Dwell)

G10偏移值设定

G206

英制输入

G21公制输入

G270

检查参考点返回

G28参考点返回

G29从参考点返回

G31跳跃机能

G321切螺纹

G36X轴自动刀偏设定

G37Z轴自动刀偏设定

G407

取消刀尖半径偏置

G41刀尖半径偏置 (左侧)

G42刀尖半径偏置 (右侧)

G500

坐标系设定

G54工件坐标系

G55---G59工件坐标系

G700

精加工循环

G71内外径粗切循环

G72台阶粗切循环

G73成形重复循环

G74端面深孔加工循环

G75外圆、内圆切削循环

G76切螺纹循环

G901(内外直径)切削循环

G92切螺纹循环

G94(台阶) 切削循环

G9612

恒线速度控制

G97恒线速度控制取消

G985

每分钟进给率

G99每转进给率

13.KND100 M指令

M代码说明

M00程序停

M01选择停止

M02程序结束(复位)

M03主轴正转 (CW)

M04主轴反转 (CCW)

M05主轴停

M06换刀

M08切削液开

M09切削液关

写不下了

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