我国半导体行业背后正在面临着哪些问题呢？

面临着一些制造上的突破。

前一段时间闹得很火的事情，美国以及公司为了抑制华为公司的发展，暂停向华为提供芯片的代工服务，这让华为一下失去了芯片的来源。我国的工业发展到今天已经算是很快了。

我国在半导体的设计方面已经实现了突破，有些设计和研发几乎已经达到了先进的水平，而我国在一些半导体芯片的制造上却存在一些不足，我国自己的芯片制造厂商依靠自己的技术实现的芯片制造比世界上最先进的水平相比还差好几个档次。

美国正是看到了我国的这一不足，采取禁止向我国华为公司提供芯片代工的技术，所以遏制了华为的发展。从这一个事件就可以看出，我们的不足不在于设计，不在于研发。我们在基础的制造上有很大的不足。

所以这个就是我们目前面临的很大的问题，在半导体芯片的制造上没有自己的设备，所以这个是我们目前需要亟待解决的问题。

国家看到这个问题之后也是很快出台了自己的措施，扶持半导体行业的发展，可能我们在一些研发上实现了一些突破，但是整体还是需要再次提高，针对我们国家半导体的发展，我们不要急于求成，技术是靠一点点积累起来的，所以我们要静下心来，脚踏实地，专注于我们的研发。

当我们遇到问题也是一件好事，这也让我们看到了我们存在的不足，这个时候我们明白了我们应该做什么，有一个实现的目标，这就是很好的。对未来我国半导体的发展我们始终持积极的态度，任何苦难始终是难不倒自强不息的中国人民的，相信很快，在各种政策的扶持下，我们的半导体行业会很快发展起来。

1.其实你的问题是因为概念的混淆。

当电子移动时，留下的空状态可以被看成假想的粒子，这些空状态被叫做空穴。由以上空穴的定义可以看到，空穴其实是假想的与电子相对应的一种粒子。而磷原子在N型半导体中形成正离子的原因是其5个价电子只有4个与Si或Ge成键，剩余的一个则以电子的形式放出，所以该磷并不是假想的，而是实际存在的。所以我们说它形成了正离子而不是空穴。

2.对。

但是在这里我有个疑问：你为什么没有问“实质是不是就是N区的电子向P区移动，P区的空穴向N区移动”呢？

当弄清楚第一个问题后，答案很简单，空穴是假想的，是电子移动的结果。

3.空间电荷区实际上是一个载流子不断复合的动态平衡的区域。也就是载流子复合一直存在于其中，但是多子的扩散与少子的漂移动态平衡，宏观上看来，是一个稳定的区域。明白了这个，你的疑问也许就会消除了。

以上个人看法，希望指点！

半导体产业界著名的摩尔定律“芯片的集成度每18个月至2年提高一倍,即加工线宽缩小一半”,人们普遍认为,在这一定律描述下的时代还能延续10a.

提出该定律的摩尔本人也曾公开表示,10a之后,摩尔定律将很难继续有效,因为硅材料的加工极限一般认为是10nm线宽,受物理原理的制约,小于10nm后不太可能生产出性能稳定、集成度更高的产品.可能的替代方案是使用电子迁移率更高、尺寸更小的碳纳米管及石墨烯.二者具有相似的性质,都可以用于制作性能优良的微电子器件,以延续微电子技术的发展。

现在芯片的尺寸做的非常小，集成度非常高。需要新的材料才能满足芯片的要求。

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