如何改善半导体芯片的浪涌抗扰度耐量

等效于「IEC61000-4-5 Electromagnetic compatibility—Testing and measurement techniquess—Surge immunity test」的「GB/T 17626.5电磁兼容试验和测量技术-浪涌(冲击)抗扰度试验」规定了对由于开关和雷电瞬变过电压引起的单极性浪涌(冲击)的抗扰度要求、试验方法和推荐的试验等级，同时规定了几个与不同环境和安装状态的试验等级。此项试验就是要评价EUT(DUT)在规定的工作条件下，对于由开关或雷电作用所产生的有一定危害电平的浪涌(冲击)电压的反应和耐受能力。

关于半导体芯片抗反向浪涌试验，基多年之发展，已由开始阶段的“反向过电压冲击”逐渐进展到“反向过电流冲击”、“反向功率冲击”并发展到目前的“非重复雪崩能量”、“重复雪崩耐量(规定瞬态脉冲宽度)”。说明了半导体芯片抗浪涌耐量的提升，现已普遍在SBD、SFD、FRED等制品上得到应用。

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