好货不怕晚 欢迎来到英特尔的10nm 3D世界

一说到2D或者3D，总是让人想到视觉领域中的效果，然而在半导体领域，3D技术带来的革命更叹为观止，早些年的FinFET和3D NAND只是个开始。从去年12月初英特尔公布新架构路线，到1月初CES 2019上拿出M.2 SSD大小的整台电脑，这样的速度，你不得不更上！

到底是什么决定着产品质的飞越，销量徘徊不前的PC到底路在何方？英特尔在此次CES上给了大家答案和思考。

"早"在2011年年中，英特尔推出了向空间要性能的Tri-Gate 3D晶体管技术，成为LSI取代电子管之后，半导体制程革命的新标志。该技术就是今天已经广为各大半导体厂商所采用的FinFET。

从2013年开始，多家主流的Flash厂商开始陆续推出3D NAND产品，最早推出该类产品的三星称之为V-NAND。与该技术普及相伴的是MLC向高堆叠TLC的技术演进，SSD进入寻常百姓家。

在这股浪潮中，英特尔/美光并不是十分积极，直到2015年才少量推出了使用相对独特的浮栅技术的3D NAND产品。真正的大招是他们同时宣布，2017年初正式推出成品的3D XPoint技术，英特尔称之为Optane（傲腾），比单纯的3D NAND只讲求容量增加，更多了一重性能（速度、延迟、寿命）的大幅提升。

可以说，半导体业界近年来每次大的技术飞越，都与3D化——从平面向空间要增长密不可分。而其中，英特尔的角色都是那么的微妙和关键。

刚刚公布就接近产品化的3D封装技术Foveros，将用多么"了不起（Foveros希腊语含义）"的成就改变半导体产业呢？

制程制程，制程是什么？无论是英特尔推演在的14nm、刚刚宣布2019年进入的，还是TSMC于去年下半年开始量产7nm，简单的描述是线宽，是晶片组成的半导体里弄中的道路宽度。路窄不是问题，关键是一方面要能保证车辆正常通行，另一方面还要防止路两侧房间不会隔路"相望"。英特尔不断的14nm制程优化过程，就是路不变窄的情况下，尽可能盖上更多的房间、住下更多的晶体管。同理，7nm的马路虽窄，但若不能很好地隔离不同"房间"间的干扰，房间的实际面积或距离，并不能随同制程改进而缩小，也就是晶体管密度没有增加，一切都等于白搭。

虽然FinFET技术已经完全普及，但是由于大多数CPU或SoC内部结构复杂、同时具有电气性能差异巨大的众多功能模块，FinFET技术只能实现单个晶体管，或者说栅极的空间布局，晶体管本身无法实现多层堆叠，即3D化。在这种情况下，CPU和SoC只能基于单片晶圆生产，同等制程情况下，对应DIE的面积反映出晶体管的数量，间接地呈现芯片性能。这也是摩尔定律已死的理论根源。

3D封装技术，在这里起到了革命性的作用，下面的故事有点像立体种植，把从面积要的产能改为向空间要。

立体种植晶体管，对不起，暂时还不能。3D封装说得很清楚，就是在空间中而不是平面化封装多个芯片。也许你会说，这有什么新鲜的，芯片堆叠技术不是老早之前就被广泛使用了么，无论是DRAM还是NAND，都已广泛采用堆叠技术，特别是NAND已经从128层甚至更多层迈进。而智能手机所使用的SiP芯片，也是将SoC与DRAM堆叠在一起的。

DRAM/NAND堆叠相对简单，由于各层半导体功能特性相同，无论是地址还是数据，信号可以纵穿功能完全相同的不同楼层，就像是巨大的公寓楼中从底到顶穿梭的电梯。存储具有Cell级别的高度相似性，同时运行频率相对不高，较常采用这种结构。

SoC和DRAM芯片的堆叠，采用了内插器或嵌入式桥接器，芯片不仅功能有别，而且连接速度高，这样的组合甚至可以完成整个系统功能，因此叫SiP（System in Package）更准确。SiP封装足够小巧紧凑，但是其中功能模块十分固定，难以根据用户需要自由组合IP模块，也就是配置d性偏低。

在去年年初，英特尔推出Kaby Lake-G令人眼前一亮，片上集成AMD Vega GPU和HBM2显存的Kaby Lake-G让EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）封装技术进入人们眼帘，而该技术还只是2D封装，也就是所有芯片在一个平面上铺开。

现在，英特尔已准备好将3D封装引入主流市场，也就是Foveros。Foveros 3D封装将多芯片封装从单独一个平面，变为立体式组合，从而大大提高集成密度，可以更灵活地组合不同芯片或者功能模块。

多IP组合灵活（异构），并且占用面积小、功耗低，是Foveros最显著的特点。特别是结合上英特尔10nm制程，摩尔定律从晶体管密度（2D）到空间布局（3D）两个维度得到延续。

Lakefield是英特尔在CES 2019上披露的全新客户端平台的代号，该平台支持超小型主板，有利于 OEM 灵活设计，打造各种创新的外形设计。该平台采用英特尔异构 3D封装技术，并具备英特尔混合CPU架构功能。借助Foveros，英特尔可以灵活搭配3D堆叠独立芯片组件和技术IP模块，如I/O和内存。混合CPU架构将之前分散独立的CPU内核结合起来，支持各自在同一款10nm产品中相互协作：高性能Sunny Cove内核与4个Atom内核有机结合，可有效降低能耗。英特尔宣布预计将于2019年下半年推出使用这种全新3D堆叠技术的产品。

这颗Foveros 3D封装技术打造的硬币大小的芯片，从下至上，依次是封装基底（Package）、底层芯片（Bottom Chip）、中介层（Active Interposer，中介层上的上层芯片可以包括各种功能，如计算、图形、内存、基带等。中介层上带有大量特殊的TSV 3D硅穿孔，负责联通上下的焊料凸起（Solder Bump），让上层芯片和模块与系统其他部分通信。

该芯片封装尺寸为12mm×12mm、厚1mm，而内部3D堆叠封装了多个模块：基底是P1222 22FFL（22nm改进工艺）工艺的I/O芯片；之上是P1274 10nm制程计算芯片，内部整合了一个Sunny Cove高性能核心、4个Atom低功耗核心；PoP整合封装的内存芯片。据称，整颗芯片的功耗最低只有2mW，最高不过7W，注意，这可是高性能的x86架构芯片，不是ARM的哟！

围绕这颗芯片制成的电脑主板尺寸缩小到一块M.2规格SSD大小，要知道此前Core m SoC平台主板的面积小1/2以上。

同时Sunny Cove 高性能核心将提供用于加速 AI 工作负载的全新集成功能、更多安全特性，并显著提高并行性，以提升 游戏 和媒体应用体验，特别是其高级媒体编码器和解码器，可在有限功耗内创建4K视频流和8K内容。另外，从Ice Lake开始，英特尔承诺的直接集成Thunderbolt 3和支持Wi-Fi 6（802.11ax）等功能也将落地，全面增强连接性能。

此后，10nm技术将逐步拓展到桌面级产品领域、Foveros 3D封装的Lakefield，而至强可扩展（Xeon Scalable）平台（Ice Lake-SP）则将在2020年进行升级。

随着东京奥运会的临近，英特尔的5G技术也在加紧部署。其中代号为Snow Ridge的首款10nm 5G无线接入和边缘计算的网络系统芯片，将把英特尔的计算架构引入无线接入基站领域，从而充分让其计算功能在网络边缘进行分发。CES 2019上，英特尔展示了基于Snow Ridge平台的一款小型无线基站，整个设备的体积非常小巧，而这颗芯片示Snow Ridge也采用了Foveros 3D封装工艺，交付时间为今年下半年。

新制程与新封装，一直是英特尔称霸半导体领域的基石。2011年的22nm+Tri-Gate，2019年的10nm+Foveros，摩尔定律的世界依然宽广。

等待了数年，英特尔新技术将再次改变世界，起点仍将是集各领域发展前沿于大乘的PC领域。在可以预见的将来，AI加持的CPU仍将是核心计算单元，经过重新构建的CPU架构，无论是从Sunny Cove开始的新一代酷睿微架构，还是Lakefield所展现的混合CPU架构，都极大地平衡了性能与功耗，将高性能、小型化与长续航推向新的高度。在最新发布的一批9代酷睿处理器上，新的"F"后缀产品已经不再集成核显，与Ice Lake走向市场前后脚，英特尔回归独显市场的首款产品Arctic Sound也将上市，随后的13代产品Jupiter Sound更是再推翻番的性能。再加上本地连通的PCI-E 4.0、扩展连接的集成Thunderbolt 3，结合了5G和Wi-Fi 6的"永远在线"，存储上的Optane Memory及Optane SSD，无所不能的PC在英特尔技术的打造下正在浮出水面，PC的世界依然相当精彩。

给你提供一个列表，请你慢慢的查阅：三极管型号查询|三极管参数大全三极管的基极、集电极、发射极分别用b c e表示 为什么?发射极 EMITTER

基极 BASE

集电极 COLLECTOR对讲机用 40V 0.5A 40W 75MH B688 BCE PNP 音频功放开关 120V 8A 80W D718 B734 39B PNP 通用 60V 1A 1W D774 B649 29 PNP 视放 180V 1.5A 20W D669 D669 29 NPN 视频放大 180V 1.5A 20W 140MHZ B649 B669 28 PNP 达林顿功放 70V 4A 40W B675 28 PNP 达林顿功放 60V 7A 40W B673 28 PNP 达林顿功放 100V 7A 40W B631K 29 PNP 音频功放开关 120V 1A 8W 130MHZ D600K D600K 29 NPN 音频功放开关 120V 1A 8W 130MHZ B631K C3783 BCE NPN 高压高速开关 900V 5A 100W B1400 28B PNP 达林顿功放 120V 6A 25W D1590 B744 29 PNP 音频功放开关 70V 3A 10W B1020 28 PNP 功放开关 100V 7A 40W B1240 39B PNP 功放 开关 40V 2A 1W 100MHZ B1185 28B PNP 功放 开关 60V 3A 25W 70MHZ D1762 B1079 30 PNP 达林顿功放 100V 20A 100W D1559 B772 29 PNP 音频功放开关 40V 3A 10W D882 B774 21 PNP 通用 30V 0.1A 0.25W B817 30 PNP 音频功放形状 160V 12A 100W D1047 B834 28 PNP 功放开关 60V 3A 30W B1316 54B PNP 达林顿功放 100V 2A 10W B1317 BCE PNP 音频功放 180V 15A 150W D1975 B1494 BCE PNP 达林顿功放 120V 20A 120W D2256 B1429 BCE PNP 功放开关 180V 15A 150W C380 21 NPN 高频放大 35V 0.03A 250MHZ C458 21 NPN 通用 30V 0.1A 230MHZ C536 21 NPN 通用 40V 0.1A 180MHZ 2N6609 12 PNP 音频功放开关 160V 15A 150W ＞2MHZ 2N3773 C3795 BCE NPN 高压高速开关 900V 5A 40W C2458 21ECB NPN 通用低噪　 50V 0.15A 0.2W C3030 BCE NPN 开关管 900V 7A 80W. 达林顿 C3807 BCE NPN 低噪放大 30V 2A 1.2W 260MHZ C3858 BCE NPN 功放开关 200V 17A 200W 20MHZ A1494 D985 29 NPN 达林顿功放 150V ±1.5A 10W C2036 29 NPN 高放低噪 80V 1A 1－4W C2068 28E NPN 视频放大 300V 0.05A 1.5W 80MHZ C2073 28 NPN 功率放大 150V 1.5A 25W 4MHZ A940 C3039 28 NPN 电源开关 500V 7A 50W C3058 12 NPN 开关管 600V 30A 200W C3148 28 NPN 电源开关 900V 3A 40W C3150 28 NPN 电源开关 900V 3A 50W C3153 30 NPN 电源开关 900V 6A 100W C3182 30 NPN 功放开关 140V 10A 100W A1265 C3198 21 NPN 高频放大 60V 0.15A 0.4W 130MHZ 3DK4B 7 NPN 开关 40V 0.8A 0.8W 3DK7C 7 NPN 开关 25V 0.05A 0.3W 3D15D 12 NPN 电源开关 300V 5A 50W C2078 28 NPN 音频功放开关 80V 3A 10W 150MHZ C2120 21 NPN 通用 30V 0.8A 0.6W C2228 21 NPN 视频放大 160V 0.05A 0.75W C2230 21 NPN 视频放大 200V 0.1A 0.8W C2233 28 NPN 音频功放开关 200V 4A 40W C2236 21 NPN 通用 30V 1.5A 0.9W A966 C1733 小铁 NPN 孪生对管 30V 2GHZ C1317 21EBC NPN 通用 30V 0.5A 0.625W 200MHZ C2238 28 NPN 音频功放开关 160V 1.5A 25W 100MHZ A968 C752 21 NPN 通用 30V 0.1A 300MHZ C815 21 NPN 通用 60V 0.2A 0.25W C828 21 NPN 通用 45V 0.05A 0.25W C900 21 NPN 低噪放大 30V 0.03A 100MHZ C945 21 NPN 通用 50V 0.1A 0.5W 250MHZ C1008 21 NPN 通用 80V 0.7A 0.8W 50MHZ C1162 21 NPN 音频功放 35V 1.5A 10W C1213 39B NPN 监视器专用 30V 0.5A 0.4W C1222 21 NPN 低噪放大 60V 0.1A 100MHZ C1494 40A NPN 发射 36V 6A PQ=40W 175MHZ C1507 28 NPN 视放 300V 0.2A 15W C1674 21 NPN HF/ZF 30V 0.02A 600MHZ C1815 21 NPN 通用 60V 0.15A 0.4W 8MHZ A1015 C1855 21F NPN HF/ZF 20V 0.02A 550MHZ C1875 12 NPN 彩电行管 1500V 3.5A 50W C1906 21 NPN 高频放大 30V 0.05A 1000MHZ C1942 12 NPN 彩电行管 1500V 3A 50W C1959 21 NPN 通用 30V 0.4A 0.5W 300MHZ C1970 28 NPN 手机发射 40V 0.6A PQ=1.3W 175MHZ C1971 28A NPN 手机发射 35V 2A PQ-7.0W 175MHZ C1972 28A NPN 手机发射 35V 3.5A PQ=15W 175MHZ C2320 21 NPN 通用 50V 0.2A 0.3W 200MHZ C2012 21 NPN 高放 30V 0.03A 200MHZ C2027 12 NPN 行管 1500V 5A 50W D814 BCE NPN 低噪放大贴片 150V 0.05A 150MHZ C5142 BCE NPN 彩电行管 1500V 20A 200W D998 BCE NPN 音频功放开关 120V 10A 80W <1/3US D2253 BCE NPN 彩显行管 1700V 6A 50W D110 12 NPN 音频功放开关 130V 10A 100W 1MHZ

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