小巧玲珑
美国模拟器件公司(ADI) 日前新研制成功世界上第一款用于无线通信手机的完全基于 (RAM)的基带芯片组。这款小小的SoftFone芯片组,体积小巧,仅像火柴盒一般大小,能够使移动电话厂商和终端用户轻松定制、选择功能。这种芯片组的功耗较小,成本也比较低,因而极具竞争优势。SoftFone芯片组完全基于RAM,GSM移动电话厂商可利用普通硬件平台装入不同版本的软件,以支持从高端到低端的全系列手机。ADI的这款SoftFone芯片组将于今年8月初大批面市。
为了进一步缩小通信芯片的体积,科学家们正在研制一系列的采用非硅材料制造的芯片,例如砷化镓(GaAs)芯片、锗(Ge)芯片以及硅锗(SiGe)芯片等。 这些非硅通信芯片的体积更小巧,能够用来制造轻、薄、短、小的通信设备。
为了使通信终端设备做得越来越小,在数字蜂窝电话中,芯核RISC处理器构成一个高集成度子系统的一部分。基带部分,即RF 部分在通常的情况下集成一个RISC微控制器、一个低成本DSP、键盘、存储器、屏控制器和连接逻辑。ARM公司的ARM7 TDM1十分适合于这种应用,其每兆赫仅消耗1.85mW,相对低的 13MHz 速率与GSM900系统中的微控制器同步。RISC芯核在芯片上仅占4.9m2的面积,可以在较低的电压下工作,因而片上存储器的功耗往往低于片外存储器。ROM的功耗也小于SRAM。在可能的情况下,采用空载模式更能节省功率。在一般情况下,片上必需包括一个锁相环为DSP提供时钟信号。
高集成度在DSP芯片中也应用得很广泛。 为用低功耗的小型器件进行高水准的调制和解调算法作业,已经开发出包含有DSP内核电路的单片算法IC。在21世纪初的几年内,随着微细化工艺技术的不断发展,在更多地采用0.25μmCMOS工艺之后,集成度将会得到进一步的提高,而电压和功耗将会进一步降低,从而能够将用于协议处理的CPU内核电路也全部集中制作在一枚小小的芯片上。 Texas Instruments(TI)公司日前新推出的TMS320C6203产品,有250MHz、300MHz两种型号,执行速度高达2900MIPS,是目前世界上速度最快的DSP产品。这款芯片集成了7Mbits内存,是目前在单机芯DSP里集成的最大内存,采用18m2的BGA封装,能够节省插件板/系统空间,适用于3G无线基站、电信系统和网络基础设施的设备。
使通信芯片实现微型化的另一种有效的途径,是在半导体通信芯片制造工艺中采用更先进的光刻技术,科学家们让光透过掩膜形成一个影像,利用透镜使这个影像缩小,并且巧妙地利用这种投影光,把芯片电路的轮廓投射到涂有一层硅的光刻胶上面,通过对透镜的改进,缩短光的波长,并且改进光阻材料,就可以把芯片电路蚀刻得更加细致入微,更加精确,从而制造出集成度更高、体积更小的通信芯片,使用这种芯片的移动通信设备将变得更加便携。
快如闪电
第三代移动通信正在崛起,3G与第一代以及第二代移动通信技术最大的不同,在于3G需要面向Internet和数据通信。因此,对新一代的手机IC芯片提出了更好的要求,要求手机IC芯片具有更强大的数据存储和数据处理能力,必需拥有更广阔的存储空间,用来存储从网上下载的各种数据信息。此外,还要求新一代手机中被处理的信息不再仅仅是语音和指令,而是更复杂的多媒体信息,因此,要求新一代手机IC芯片必需拥有更高速的数据处理能力,要求其速度快如闪电。
为了使新一代手机拥有更大的存储能力和更快的数据处理能力,将会提高手机的功耗,而要达到大数据量存储、高速处理和功耗不增加这三种要求,新一代手机应当采用嵌入式flash(快闪)存储技术、高性能的DSP和降低电池电压等各种手段。
高速接口IC,用于通信网络的中继传输和几个通信系统之间的高速传输,传输速度已经按照ITU规定的SHD实现标准化。除了与光缆接口的激光器驱动电路和光接收电路等光电变换电路之外,其它的诸如帧同步、纠错以及传输总线的多路分离等,都需要利用目前已经向着微细化发展的CMOS 技术的高集成度将其制作在一枚小小的芯片上。目前,以0.35μmCMOS技术制作的通信接口IC,能够以2.4Gbps的速度进行各种传输信息的处理。
蓝色巨人IBM和北方电讯(Nortel) 公司的科学家们还联合研制出了一款制造材料既非硅、也非锗的新型芯片,这就是SiGe芯片,它是由硅(Si)和锗(Ge)两种材料的混合物制造而成的,称为SiGe混合物半导体芯片。 根据这两家公司的合作协议,Nortel公司负责为几种高速通信应用程序专门设计这种新型SiGe芯片,而IBM公司则负责专门生产这种芯片。 这种SiGe芯片是目前其他一些非硅半导体芯片诸如砷化镓芯片的有益的补充,SiGe芯片能够有力地支持研发更复杂、高速的通信新产品。与砷化镓芯片比较,SiGe芯片有着其明显的优势,SiGe芯片的集成度更高,体积更小,功耗也更少。此外,SiGe芯片还有一个突出的优点,它可以用现有的硅芯片生产设备进行加工,而不必另外添置其它的加工设备,从而能够有效地降低生产成本,与其他的非硅芯片更具有价格优势。
美国密执安大学工程学院在最近研制成功一种新型光学芯片,这种芯片可以大大增加数据高速公路的信息容量,使上网用户获益匪浅。这种芯片是目前高速光电子信号检测的世界纪录保持者,它可以接收速度高达24Mbps的以激光脉冲传输的数据,而目前绝大多数同类产品能够处理的数据传输速度,仅为11兆位/秒。这所工程学院新推出的光学芯片,在同一种半导体叠层中集成了光检测仪和放大装置,不必采用会增加混合光感接收器制造成本的连接电线。这种芯片的电路包括一个可检测输入光束的P 型光电二极管和一个放大高速信号的异结双极晶体管。这种芯片是在密执安大学固态电子实验室采用一种半导体工业最常用的单步分子束外延生长工艺研制成功的。虽然目前这种光学芯片的成本还比较高,但是,一旦这种制造技术实现了标准化,那么,光学芯片的成本和价格就会大大降低,届时,光学芯片就会在电子业界和通信业界得到广泛的应用。
功能多样
欧洲最大的半导体制造厂商Philips半导体公司日前推出新型的GSM GPRS芯片组,以便实现基于GSM移动电话系统的高速数据传输,为移动通信Internet和个人多媒体服务热潮推波助澜。这种芯片组基于Philips并购的 VLSI 技术公司的OneC基带控制器,这是目前业界最高集成度的GSM解决方案,它将成为利用 GPRS进行高速数据传输的新一代移动电话的核心。这种综合GPRS方案的射频部分是由Philips开发的新型双带RF芯片组构成的。GPRS OneC 和Philips以及第三方的RF方案相容,成为一款面向3G的新产品。Philips的下一代将会集成更多的新功能,例如GPS、MP3以及Bluetooth等,并且直接面向UMTX、WCDMA以及CDMA-2000等3G移动通信标准。
Philips公司推出的两款多功能电话通信芯片TEA1118以及 TEA1118A,可以应用于可视电话、传真电话一体机和室内无绳电话基地台等。TEA1118 芯片具有各种DECT应用方案的多种语音电路功能,TEA1118A芯片也具有各种CTO/CT1模拟室内无绳电话所需的DTMF拨号插入和噪声控制等多种功能。内置拨号和接口的低压芯片TEA110A,则属于TEA1112A的低价产品,采用DIP14/SO14两种封装,能够为不设发光二极管挂上/ 挂下指示与传声器噪声抑制功能的电话提供具有价格竞争能力的解决方案。TEA111X系列的芯片产品则采用高密度双极处理技术生产而成,可以使新型电话的设计大为简化。
AMD公司新推出两款最先进的手机用flash存储器芯片:32MB的Am29BDS323和64MB的Am29BDS643,这两款芯片都采用AMD公司创新的同步读/写结构、高性能爆发模式接口以及超低电压技术。这两款芯片可以在40MHz~54MHz的频率范围内进行运作,最适宜用于新一代的移动通信手机,能够支持多种创新的功能,例如上Internet的功能、PDA、视频数据分流传输以及MP3等功能。Am29BDS323芯片的存取时间为20ns,而Am29BDS643芯片的存取时间仅为13.5ns,比其他的竞争产品快,这种高速存取功能可以大大减少读取flash代码以及数据所需的等待状态次数,从而确保微处理器可以充分发挥其性能。Nokia公司由于采用分组无线通信服务(GPRS)、EDGE以及第三代无线通信技术的新一代手机需要支持高速的数据传输,因而需要得到先进的flash芯片的支持,而AMD公司推出的这两款flash能够满足这种需求。
为了研制出多功能的移动通信便携式终端设备,要求通信芯片具有更高的集成度,从而将多种芯片集成到一块芯片上,成为一体化芯片。Agere Systems公司(原Lucent Technologies微电子部),集中力量专攻通信设备的研究开发,成绩斐然,这家公司曾经创造了年销售通信芯片30亿美元的业绩,其中,一体化多功能芯片占58%,居该公司所有产品销售总额的12%。Agere最近还新推出了一款由11 个芯片组集成为一体的多功能移动电话。另外一家业界巨头TI ,最近几年将其研发重点进行了重新定位,加大了研发DSP及其他多功能通信芯片的力度,在研制开发新款多功能通信芯片方面表现不俗,十分引人注目。
功耗不断降低
长期以来,科学家们一直致力于研制能够显著地降低能耗的产品。最近,一种新推出的利用反向计算的方法设计的微处理器芯片可以大大降低耗电量。这种设计方法将导致功能强大的微处理器问世,这种微处理器可用于诸如掌上型计算机、移动电话和便携式计算机等电流驱动的装置中,并且可以大大延长这类装置的运行时间。美国麻省理工学院负责反向计算项目的著名科学家迈克尔. 弗兰克在最近指出:“在不使用昂贵制冷系统的情况下,我们的研究已经接近了高速微处理器所能散发热量的物理极限”。弗兰克和他的同事们认为,除非散热问题能够得到完美的解决,否则“摩尔定律”就将变得不再适用了。他们还指出,反向计算所涉及的技术,是解决微处理器散热问题的最佳方案。在反向计算中,每个运算周期后存储在微处理器中的信息并没有完全被擦掉,擦掉信息时微处理器是不会发热的,而是保留了某些信息,供下一个运算周期使用。科学家们制造的理论模型表明,制造出只消耗相当于目前微处理器1%电能的功能强大的微处理器是完全可能的。加州大学信息学学院的一个研究小组最近宣布,他们已经研制出世界上第一块利用某些反向计算技术的微处理器芯片。
Motorola公司半导体部新推出的FLEX芯片组,提供了处理FLEX 协议所需的所有器件,加速了专业人员设计的寻呼机产品投放市场的速度。FLEX 协议是开发高速寻呼机de facto标准,它向专业人员提供一组共同的规则,确保寻呼机的使用能够跨越不同寻呼台站的设备。 Motorola FLEX 芯片组包括 : 68175FLEX 字符数字芯片,68181FLEX漫游芯片,68175FCB FLEX开发和新款模拟-数字转换芯片68176, 它能够将68176模拟/ 数字芯片插在 FLEX 开发板上 ,并且将 900MHz 射频接收器连接到68175FLEX字符芯片或者68181漫游芯片上。ADC把由RF接收器检测到的4级声频信号转换为2位数字信号,以供系统其余部分使用。 Motorola提供的68176芯片具有更宽的工作电压范围、较低的电源电压和比其它ADC芯片更低的成本,深受广大用户青睐。
您好!其他学校,我不知道,我中国科学技术大学物理学系下面列出的课程你要的书,根据课程名称而得。 (本课程结构不幸的图形无法复制进来)
中学物理的新生婴儿第一次见到的世界上,然后像比宝宝的成长
这个世界上游荡的过程毕业。
第1部分:本科生上课的要求
学习课程分为四个级别,每个级别的课程,其结构如下:
1,通过修课程:( 66.5学分)
指学校通过讲授的课程。物理课理论课的专业要求,通过以下课程的专业维修要求:
电子电路基础实验(1学分),大学物理 - 现代教育技术实验(1学分),大学物理 - 研究性实验(1学分)
2,学科群基础课:(70学分)
MA02 *数学课程(11学分)
复杂的功能(A)(3学分),的数学方程(A)(3学分),计算方法(B)(2学分),概率论与数理统计乙(3学分)
ES72(电子类课程)(7学分)
>电子技术(1)(2学分),电子技术基础(2)(2学分),电子技术(3)(3学分)
PH02 *(物理课程):(42-44学分)
力学(4学分),热(3学分),电磁学(4学分),理论力学(4学分)(4学分),光学,原子物理学(4学分),电动机械学(4学分),量子力学A(4学分)和量子力学乙(6学分)(任选其一),计算物理(原子能科学)(3学分)和计算物理(非科学类)(3学分)(任选其一),热力学与统计物理(4学分),固态物理,A(3学分)和固态物理B(4学分)(可选),物理讲台上(2学分)/ 3,专业课程(至少选择一个完整的15.5学分物理系)
应用物理专业凝聚态物理与微电子固体电子学两个方向,每个学生选择一个方向,至少获得15.5学分:
(1)。凝聚态物理,普通化学实验功能材料信息学,凝聚态物理,实验方法,半导体物理,低温物理导论固体光学与光谱,磁性物理学,光物理学的结构和固化(强制)(4学分)固体发光薄膜物理,固体表面分析原理,晶体学,现代凝聚态理论,纳米材料,物理,化学,等离子体物理层,数据结构和数据库,凝聚态物理实验(必修)(2学分) />(2)。微电子固体电子学方向:半导体物理(必修)(3学分),半导体器件物理,半导体模拟集成电路,数字集成电路半导体,集成电路CAD,大规模的整合电路技术,等离子体物理,数据结构和数据库的基础上,微电子系列实验(必修)
论文
应用物理专业人士的指导,学习计划表
一年级的秋季和春季的新课程型号旧课程编号课程(8学分)名称学时学分的新课程编号旧课程编号课程名称学时学分PS01001免费形势与政策研讨会1PS01003104007马克思主义基本原理40/203PS01002104006中国历史402FL01002018502的英语综合应用两个基本804PS01006104018法律30/101.5PE012 ** 103B01的基本运动401PS01007104027思想和成就30/101.5PH01701022162大学物理 - 基础的实验601.5FL01001018501英语水平804M??A01002001513多变量微积分基本运动1206PE011 ** 103A01 401MA01003001514线性代数804CS01001210505的计算机的文化基础10/201PH02003022052的电磁的学校804CS01002210502C语言编程40/302.5PH02002022119热的603MA01001001512单变量微积分力学1206 PH02001022093(流感A)804新的物理讲台上新的开放式物理的讲坛文化素质课程小计(10 +)等级≥25.5小计(8 + *)类≥26.5
二年级的秋季d簧上新课号老课号课程名称学时学分的新课程号旧课程编号课程名称时间“重要思想的学分的军事理论1 PS01005104009 80/806PE013 **的103D01体育选项(2)物理401FL01003018503英语三804MA02504017080在概率论与数理统计603Ph01702022163大学 - 综合实验601.5PH02005022054原子物理学804PE013 ** 103C01体育选项(1(1)402文化素质课程和文化素质课程)401PH02102022057大学的电动力学804PH02004022391光学804PH01703022164的物理 - 现代技术实验601.5PH02101022392,理论力学804ES71000004300电子技术基础(2)的数学方程402MA02501001506的复杂功能的603 MA02505001505 603 ES01000004200电子科技米(10 +)等级≥29.5小计(7 + *)等级≥ 15.5
第三年的秋季和春季的新课程古老的教训编号课程名称学时学分的新课程号旧课程编号课程名称小时学分PH02103022148量子力学A(选)之间1206PH02105022060热力学与统计量子力学的物理804PH02104022059 B(2选1)804PH02204002001固态物理,A(2选1)804PH02202022012计算物理A(2选1)603PH02205022118固态物理,B(2选1)603PH02203004040计算物理B(2选1) 603新的专业基础物理实验802ES72002004400电子技术基础(3)603 IN01700210509电子电路实验的基础上401PH23007002005半导体物理603MA02503001511计算方法(B)402PH23003004109血浆物理理论804PH01704022165的大学物理 - 研究实验601.5CS01005210506微机原理与接口在的60/303.5 PH23001002052结构与固化80400212501半导体模拟集成电路804和文化素质类课程的选修课程和文化素质的选修小计(6 +)级≥14.5小计(3 + *)等级≥第四类9年级春季和秋季PH2300702212701的半导体数字集成电路的804论文8CH23000019080一般的实验,在401 CS01003210503数据结构和数据库60/303.5 ME23000009004机械制图(非本地课程)603 PH02201022125等离子体物理402 PH13005004601的气体颗粒检测技术804 PH23002004120排放原则的603 PH23005004006核电子804 PH23006004031核电子学实验的方法来602 PH23009002058半导体器件物理603 PH23301002070功能材料603 PH23302002113凝聚态物理实验方法804 PH23304002050低温物理导论603 PH23305002044坚实的光学和光谱学603 PH23306002027磁性物理603 PH23307002046发光物理603 PH23308002069固体薄膜物理603 PH23309002129固体表面分析原理603 PH23310002114晶体603 PH23311002008现代凝聚态理论603 PH23312没有纳米材料的物理和化学603 PH23313004122,等离子体诊断简介603 PH23314004052实验物理信号采集实验装置处理804 PH23315004125等离子,简介的603 PH23316004124等离子的应用程序603 PH23317004119电子系统设计603 PH23318004030接口总线804 PH23320004603快速电子一个603 PH23321004028计算机的应用程序在核的物理603 PH23323002816半导体材料603 PH23325002010集成电路CAD603 PH23326002053 LSI 603 PH23702002047凝聚态物理实验的基础上, 802 PH23703004036等离子体物理实验802 PH23704004063物理电子学信号的采集和处理实验802 PH23705002115微电子一系列的实验802 PH23324半导体数字集成电路603新开放的软件技术基础,804的选修
第2部分。研究生课程
凝聚态物理(专业代码:070 205)
一个训练目标
道德,智,体的全面发展,凝聚态物理的纪律训练有坚实而系统的理论基础和专业知识,掌握现代物理分析技术,了解最前沿的发展,凝聚态物理和动态,能够适应时代的发展需要国家的经济,科学技术,教育,独立的前沿本学科领域的科研和教学,使高层次人才的创造性成就。
研究方向
1。强关联系统和低温物理。纳米材料与物理3。凝聚态理论,4。功能性薄膜和器件物理,5。光学材料,光谱
学制和学分
根据研究生院的有关规定。
四个课程
英语,政治及其他公共课程和必修环节研究生院的统一要求。下面列出了
学科基础课程和专业课程。
基本过程如下:
的PH05101高级量子力学★(4)PH05102近代物理进展(4)
PH05104较高的电动力学(Ⅱ)★2(4)PH55201更高的固态物理学★3(5)
PH55202坚实的理论★4(4)的PH55203固体物理实验方法(I)(4)
PH55204组理论及其应用(I)(2)PH55205量??子统计理论(上)(3)
PH55206量子统计理论(下)(3)PH55207凝聚态物理前沿学术讲座和讨论(讨论会)(2)
的PH55208固体物理实验方法(Ⅱ) (4)
专业课程:
PH54202固体表面分析原理(3)PH14202量子场论(Ⅰ)(4)
PH55210重整化群理论( 3)PH55211超导多体物理(4)
PH55212低温固态物理(3)PH55213更高的半导体物理学(4)
PH55214超导电子学(3)光PH55215固体(3)过渡
PH55216量子理论(4)PH55217分的理论及其应用(3)
PH55218薄膜生长(2.5)PH55219透射电子显微镜科学(2.5)
PH55220 X-射线衍射(3)光谱分析的PH55221物质成分(2.5)
PH55222物质结构光谱谱分析(3)PH55223非常低的温度物理(3)
PH55224透视基础(3)PH55225半导体光电(4)
PH55226晶体(4)PH55227固体的光学和光谱(3)
PH05103较高的电动力学(4)
PH56201更高凝聚态物理(4)
PH56203光电子非线性动态学习(4)PH56204,凝聚态物理的PH56202低温物理实验原理和方法(3)(2)
PH56205固体功能材料(3)PH56206材料物理实验方法(4)
(3)(4)PH16207专题
的PH16208复杂系统理论专题(4)
注:PH56207固体表面与界面★ 1★研究生老师要求选择其中之一,★★4两,的研究生老师要求选择其中之一即可。
5个研究能力的要求
按照研究生院的有关规定。
论文要求
按照研究生院的有关规定。
微电子学与固体电子学专业(学科代码:080903)
一个训练目标
全面发展本学科培养德,智,体,具有坚实的理论基础和技能领域的半导体器件,超大规模集成电路设计,微电子过程,了解的纪律性和动态发展的最前沿,具有独立行为能力的高级在跨学科研究的专业知识。学位获得者应是能够承担的高等院校,科研院所和高新技术企业,教学,科研,技术开发和管理工作。
研究方向
1。半导体器件,器件物理和器件模型。超大规模集成电路的设计和应用,3。 ASIC设计与应用,4。系统集成SOC芯片设计和应用,5。的研究与应用,光电器件,6。
电力电子器件和应用程序,学制和学分
按照研究生院的有关规定。
四个课程
英语,政治及其他公共课程和必修环节研究生院的统一要求。下面列出了
学科基础课程和专业课程。
基础课:
的PH05101高级量子力学(B)(4)PH05102近代物理进展(4)
的ES34201 VLSI技术(3)ES35201原则的半导体器件( / a>
专业课程)
ES35202模拟集成电路原理与设计(3)PH55201更高的固态物理学(5)
PH55213更高的半导体物理学(4)
超大规模集成电路系统ES35210(3)数字集成电路设计(2)
ES35212 VLSI CAD(3)ES35213 ASIC ASIC设计与应用(2)
ES35214 ES35211原则(2)的ES35701电子设备和微电子技术实验(4)(2)
ES36201微电子尖端技术(3)ES36202现代CMOS工艺(2)
ES36203 SOC设计技术的可编程逻辑设计和应用( 2)ES36204现代的半导体器件物理(3)
测试项目及对应产品介绍
CIE S025 E/2015B 标准中提到了LED 电特性的测量,LED 生产制造商需根据不同客户不同产品的要求制定电特性测量参数要求,以保证LED 的电特性符合要求。
LED灯具综合安规及功率测量仪器
光学参数测试
LED灯具能耗测试
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