对于光刻机，相信大家都不陌生，它是芯片制造过程中必不可少的设备，没有光刻机就无法生产出任何芯片，这是整个半导体行业的普遍认知。之前，大多数人都没有听说过光刻机，但随着华为芯片事件的影响，让国内意识到了光刻机的重要性。
华为的芯片之所以会被美国规则制约，就是因为它没有制造能力，需要含有美国技术的代工厂供应。而我们国内在芯片制造领域也处于比较弱势的地位，虽然能自主生产出一些中低端芯片，但是对于7nm、5nm等先进制程的芯片就无能无力了！
正因于此，失去了代工合作伙伴之后，华为面临着芯片短缺的问题，并且放大了国产技术的不足之处。其实在芯片的设计和封测方面，国内的实力非常出色，根本不输于国外。但让人无奈的是，由于缺少光刻机的支持，导致国内始终未能完全攻克芯片制造！
为了进一步促进国产芯片的发展和帮助华为走出困境，国内下定决定要全面布局光刻机。据了解，国内 科技 水平最高的机构中科院已经在朝着这个方向前进了，未来将会集中全院的力量来攻克光刻机等容易被国外“卡脖子”的技术！
可以预料的是，在中科院的支持下，国产光刻机肯定能不断地取得进展，这项难题很快就会被解决。不仅如此，最近中科院正式官宣，2项技术取得突破，难度堪比光刻机！也就是说，除了光刻机之外，中科院又攻克了2项难度极高的技术！
第一项技术是新型OLED显示材料，中科院李亚东院士主导的量产化项目已经开工奠基了！OLED是现在各种屏幕的主要材质，拥有着非常广阔的市场，而之前大部分的市场份额都被韩国的三星拿走了，我们国内只能分到一小部分。
虽然国产屏幕厂商京东方对OLED材料也有一定的研究，但是与三星相比，差距依然存在。为了弥补这种差距，中科院出手了，李亚东院士带领的新型OLED材料研究团队正在努力攻关，或许要不了多久国产OLED屏幕就能实现对三星的代替！
OLED屏幕对于手机、电脑等电子产品而言，是不可缺少的，所以中科院的研发工作很有必要。只要国产屏幕能够得到人们的认可，就可以占据更大的市场，从而获得更好的发展空间！
中科院突破的第二项技术关于芯片，为国产半导体公司提供了一个新的发展方向。据悉，在中科院的上海微系统研究所，8英寸石墨烯晶圆登场了，并且已经可以量产！这意味着国内对碳基芯片的研究领先于世界，如果能将晶圆完美切割，那么真正的碳基芯片就会诞生！
一直以来，芯片采用的都是硅基半导体材料，虽各方面的表现都还不错，但是只要达到了极限，就无法继续进步。所以全球很多国家开始把目标放在了碳基芯片上，它的性能和稳定性更强，一旦突破，绝对会引起半导体行业的变革。
现在看来，国内在碳基芯片领域已经取得了领先的地位，8英寸石墨烯晶圆的登场代表着国产芯片或许能够实现“换道超车”！但这还不够，国产芯片要想成功崛起，必须继续向前进步，碳基芯片和硅基芯片都要抓住！
中科院宣布的两个好消息，对于国产技术而言，有着重要的意义，还能够促进国内很多企业的发展！相信以后国内一定能不断地突破各种核心技术，实现 科技 强国的目标，让我们拭目以待！
确实， 中科院在2纳米芯片工艺的承载材料上获得了突破，这个得到突破的东西叫垂直纳米环栅晶体管，是未来2纳米工艺上所有获选材料的一种。但这一突破是不是最终会成为最后2纳米工艺中的一部分，就不好说了。理由解释如下：
芯片生产是出了名的环节众多，并且是一环套一环。由于现在生产芯片的尺寸已经延展到纳米级，任何一个极其细微的差错就会导致整个生产的前功尽弃。 至此，在现代尖端芯片的生产中，就没有什么关键不关键之分，所有环节全是关键！而且这些所有的环节必须精密地配合在一起，才能生产出符合标准的芯片。
比如，以圆晶清洁系统为例，虽然有多个品牌的清洁系统都适用于某个尺寸的工艺，比如28纳米芯片。但这些情节系统却并不通用。哪怕是仅仅更换另一个品牌的清洁系统，甚至就是生产的芯片类型发生了变化，可能所有的工序都要调整。但这一调整，又可能会引起其他材料工具的工作异常，需要很长时间才能让生产恢复正常，甚至很可能调整到最后却发现根本无法将生产效率恢复正常，也就是没办法更换清洁系统了。
在未来2纳米芯片工艺上也是如此，现在获得突破的这个承载材料确实可以称得上是一次突破，但是不是将来的2纳米芯片工艺中会使用这个承载材料，却要看整个2纳米芯片工艺的环环相扣中有没有它的位置了。
当然，现在说这个还太远。 不管怎么说，这个材料可以当作储备知识先存起来，即便将来2纳米芯片工艺没用上它，指不定将来在什么东西的研发中就会用上呢？科学的发现总是有用的，现在看着用处不大的东西，将来说不定就是挑大梁的东西。
是真的，中科院研发的叫做叠层垂直纳米环栅晶体管，可以用于2纳米以下工艺。不过，这只是一种晶体管结构，距离实际应用还有很长的距离。
我们知道，半导体芯片发挥作用的就是晶体管。芯片的的技术水平，一般也要看每平方毫米多少晶体管。例如，Intel的芯片，10纳米技术节点，晶体管密度达到了1亿个晶体管，基本与三星的7纳米工艺相当，比台积电的7纳米芯片还要高一点。
晶体管也是多种多样的，以适应不同的无需求。每一种结构，各有特点，对芯片性能影响很大。例如，Intel的芯片广泛使用的FinFET工艺，采用的是鳍式晶体管，这个技术已经被广泛应用，在22、16、12、7等工艺节点上应用广泛。各大厂商基本都用这个设计，我国中芯国际，在14纳米工艺上开始使用这一技术。
但是，半导体发展到5nm、3nm节点，原有的鳍式晶体管已经不能满足需求了，就需要研发新型晶体管，来代替以前的设计方案。这些设计方案中，最有希望的GAA环绕栅极晶体管。据说，三星公司就计划在3纳米技术节点使用GAA环绕栅极晶体管。而第一家使用鳍式晶体管的企业Intel在5纳米就转向GAA技术。而台积电，也要在3纳米或者2纳米节点转向GAA技术。
具体到中国，就遇到麻烦了，美国已经严令GAA环绕栅极晶体管技术不得向中国提供。那么，中国势必要研发自己的技术应对。基本来说，中国是两条腿走路，一方面，自己研发GAA 技术，我国的复旦大学就已经进行了验证，已经可以发展出自己的技术。另一方面，研发自己的新型晶体管结构，这就是中科院研发的新型垂直纳米环栅晶体管，它被视为2nm及以下工艺的主要技术候选。
技术储备有了，但是实现技术也是个难题，中国目前没有极紫外光刻机，哪怕技术有了储备，也要等制造设备到位，这是个漫长的过程。
中科院攻克2nm芯片关键技术这件事是真的。
不过不用过于高兴，因为该技术只是制造芯片众多环节中的一个关键技术，严格来说它属于芯片设计的范畴。不是说攻克了该关键技术很快就能制造出2nm芯片。相反，我国离制造出2nm芯片还很遥远，还有很多难关要攻克，比如制造2nm芯片所需的光刻机丶光刻胶丶离子注入设备等等。
中科院攻克的2nm芯片关键技术是指成功研发出了新型垂直纳米珊晶体管。这种新型晶体管被视为2nm及以下工艺的主要技术候选。该技术比之前三星宣布的3nm工艺需要采用的GAA环绕珊极晶体管性能更强，功耗更低。
该技术的诞生说明我国的芯片设计能力己处于世界前列，跟世界顶尖国家基本上属于同一个水平。
哎！看到标题很兴奋，详细了解后，难免还是有些失望！该技术就象你得到了宫庭秘传胡辣汤中那几片牛肉的做法秘诀，但是，汤中放什么料以及配比的秘方还没有，做胡辣汤的锅丶碗丶勺丶瓢丶盆也没有，只能吧哒吧哒嘴，把快流出的口水咽了。
不过，随着国家的大力支持，一个个象这样的技术被攻克，我们总是离制造出高制程的芯片更近一步。
宫庭秘制胡辣汤早晚会喝上的！
何止两纳米，我们宣称都攻克0.1纳米了。问题是你相信吗？靠吹嘘是没用的。目前国际上真正大规模制作出来的最先进芯片，只有5纳米。比如华为mate40和苹果12用的芯片。
攻克的是设计环节，而非制造环节。
生产2nm芯片关键要看光刻机的先进程度，科研芯片和生辛芯片是两回事，就目前而言，我国还没有研究生产2nm芯片的光刻机，芯片越小，对光刻机的 科技 含量越高，光刻机属于世界高 科技 设备，据悉我国目前只有生产22nm芯片的光刻机，相信我国这次以国家科研院牵头，以举国之力，聚集全国科学家攻关，相信在不远的时间，我国一定会攻克生产小nm芯片光刻机的，祖国加油！
你说的是台湾省的中科院吧？
这个2nm指的不是生产工艺，而是指晶体管。目前各大厂商使用的都是FinFET鳍式晶体管，由于传统的硅基芯片受到摩尔定律的限制即将步入物理极限，所以科学家一直在寻找一种新型的晶体管材料或结构。这次中科院微电子研究所朱慧珑研究团队，提出并实现了世界上首个具有自对准栅极的叠层垂直纳米环栅晶体管，这种晶体管可用于2nm的生产工艺。不过现在我们国家最大的短板是在芯片制造环节，主要是卡在了光刻机上。在高端光刻机领域荷兰阿斯麦一家独大，老美出于打压中国的目的，是不可能允许其出售EUV给我们的。至于说攻克光刻机技术，应该是难度很大，至少短期内恐怕是不可能。希望我国科学家再接再厉吧，争取早日攻克包括光刻机在内的一系列“卡脖子”技术。
我的国目前还没这水平啊，7n这个样子，最瓶颈的就是光刻机机设备，还有很长的路哦！………[酷拽][酷拽][酷拽]
攻克2nm芯片关键技术，并非能流片或产出2nm芯片。2nm芯片的关键技术也并非只有光刻机，或许它就是光刻机中的某个技术。总之，路是一步步走出来的，只有将所有关键技术逐一攻克后，我们才能在芯片制造上迈出一大步，这就是集腋成裘。
芯片是很重要的，虽然它的大部分原材料都是沙子，但是需求量可以跟石油相当，为什么？因为现在是信息 社会 ，信息 社会 的血液就是半导体，工业 社会 的血液就是石油。可想而知，芯片是多么地重要。没有芯片真的是寸步难行，我们的日常生活中都离不开芯片。因此制作芯片就成了一个大学问，谁能够又快又好地生产芯片，谁就成为老大，很明显，老美就是老大，现在的芯片制造技术就是源于老美，老美的技术强又强，国内哪里是它的对手，人家都发展了至少50年的时间。
芯片制造过程中，最重要的就是光刻机，没有光刻机去画出电路图，芯片就做不出来，这个光刻机是很考验控制和激光技术的，老美的激光技术是很强的，真的是不是开玩笑，看过星球大战的人都应该知道这一点。
没有光刻机，就制造不出芯片，这一点是肯定的，根本不需要怀疑，但是也有例外，比如找到一种新的办法制作芯片，这种新的办法能够降低对光刻机的要求，这是完全有可能的。在很久之前的，芯片根本就不是现在这个样子，不是单纯地用硅。
如果能够找到新的技术、新的材料，那么老美的地位是可以挑战的，那这个是有可能的吗？真的有可能，中科院就找到了一种新的技术，可以不用高端光刻，就可以造出跟5nm工艺相同性能的芯片，真的是太厉害了，让我们看看这究竟是什么东西吧！
中科院是国内有名的科研机构，它的待遇非常好，一个硕博连读，读了近30年书的博士工资一个月都有2万多元人民币的机构，待遇是相当地好，中科院每年都有很多的经费，一定要把经费用完，这样国内的科研才可以发展，才会有更多的经费。
而且中科院还经常向 社会 输送人才，国外很多机构不愿意人才去市场上竞争，但是中科院很了不起，合肥中科院核能研究所一次性向 社会 输送了90个人才，院长很淡定，表示这是正常的人员流动，可想而知，这是很有 社会 责任的机构。
最近中科院，就研究出了一种新的晶体管，这种新的晶体管是用石墨烯制作而成的，而且性能很优越，超越了现在的硅基芯片。很多人觉得这样就可以不使用高端光刻机了，这有可能吗？真的有可能。
所以中科院的这项技术是真的了不起，对未来国内的半导体的发展真的是功不可没，但是目前只停留在实验室阶段，不知道什么时候可以工业量产，而且据说这种新型晶体管是用锗金属和石墨烯制成的。
如果真的是锗金属，那中科院就是真的太厉害，因为这种锗芯片都是老美玩剩下的了，谁都知道锗的含量在地球上是很少，而芯片的需求量又很大，原来中科院是能够生出大量的锗金属，这就太厉害了，这一点绝对超过了美国。
石墨烯这个东西，目前做电池是比较火的，其实它是一种导体，可是在微观层面是具有电子通道，可以让电子流动，只要控制好，这样就可以形成“开关”，有了“开关”就可以做逻辑电路了，这样芯片就没有问题。
可是有一个问题，这个石墨烯是碳元素构成的，地球上很常见，但是石墨烯是碳的二维平面，这种新型材料只停留在了实验室制取的阶段，目前还没有工业化的量产方法，什么时候，中科院能够在应用材料上做出突破呢？
中科院真的是厉害，虽然经常向 社会 输送人才，但是他们水平是真的一流，硅-石墨烯-锗晶体管，锗芯片都已经是老古董了，在硅芯片之前就是锗芯片，这都被注意到了，锗金属那么稀缺，竟然可以用做芯片，中科院可以做一批VIP版的芯片出来给那些VIP使用。
现在中科院不仅实现了新技术的突破，还完成了考古，然后说不定可以重回上个世纪，用人工的方式做芯片，那就不用高端光刻机了。对此，你有什么看法，欢迎下方留言。
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