半导体光电器件产生光生电动势的条件

半导体材料的带隙，具有光伏结构。

1、入射光子的能量大于或等于半导体材料的带隙。半导体材料对一定波长的入射光有足够大的光吸收系数，使入射光子才能被半导体吸收。

2、具有光伏结构。即有一个内建电场所对应的势垒区，才能更好的产生光电动势。

1.在P型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质.在电场的作用下,空穴是可以移动的,而电离杂质（离子）是固定不动的.

2.N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子.当P型和N型半导体接触时,在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散,电子从N型半导体向P型半导体扩散.空穴和电子相遇而复合,载流子消失.

因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子,却有分布在空间的带电的固定离子,称为空间电荷区.

P 型半导体一边的空间电荷是负离子,N 型半导体一边的空间电荷是正离子.正负离子在界面附近产生电场,这就是P-N结的两边产生内建电场.

这电场阻止载流子进一步扩散,达到平衡.

希望能对您有所帮助.

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