光刻机怎么制作（最好提供图文）？

第一步：制作光刻掩膜版（Mask Reticle）芯片设计师将CPU的功能、结构设计图绘制完毕之后，就可将这张包含了CPU功能模块、电路系统等物理结构的“地图”绘制在“印刷母板”上，供批量生产了。这一步骤就是制作光刻掩膜版。光刻掩膜版：（又称光罩，简称掩膜版），是微纳加工技术常用的光刻工艺所使用的图形母版。由不透明的遮光薄膜在透明基板上形成掩膜图形结构，再通过曝光过程将图形信息转移到产品基片上。（*百度百科）将设计好的半导体电路”地图“绘制在由玻璃、石英基片、铬层和光刻胶等构成的掩膜版上光刻掩膜版的立体切片示意图第二步：晶圆覆膜准备从砂子到硅碇再到晶圆的制作过程点此查阅，这里不再赘述。将准备好的晶圆（Wafer）扔进光刻机之前，一般通过高温加热方式使其表面产生氧化膜，如使用二氧化硅（覆化）作为光导纤维，便于后续的光刻流程：第三步：在晶圆上“光刻”电路流程使用阿斯麦的“大杀器”，将紫外（或极紫外）光通过蔡司的镜片，照在前面准备好的集成电路掩膜版上，将设计师绘制好的“电路图”曝光（光刻）在晶圆上。（见动图）：上述动图的工作切片层级关系如下：光刻机照射到部分的光阻会发生相应变化，一般使用显影液将曝光部分祛除而被光阻覆盖部分以外的氧化膜，则需要通过与气体反应祛除通过上述显影液、特殊气体祛除无用光阻之后，通过在晶圆表面注入离子激活晶体管使之工作，进而完成半导体元件的全部建设。做到这里可不算大功告成，这仅仅是错综复杂的集成电路大厦中，普通的一层“楼”而已。完整的集成电路系统中包含多层结构，晶体管、绝缘层、布线层等等：搭建迷宫大厦一般的复杂集成电路，需要多层结构因此，在完成一层光刻流程之后，需要把这一阶段制作好的晶圆用绝缘膜覆盖，然后重新涂上光阻，烧制下一层电路结构：多次重复上述 *** 作之后，芯片的多层结构搭建完毕（下图）：如果上图看的不太明白，可以看看Intel的CPU芯片结构堆栈图：当然，我们可以通过高倍显微镜来观察光刻机“烧制”多层晶圆的堆叠情况：第四步：切蛋糕（晶圆切割）使用光刻机烧制完毕的晶圆，包含多个芯片（Die），通过一系列检测之后，将健康的个体们切割出来：从晶圆上将一个个“小方块”（芯片）切割出来第五步：芯片封装将切割后的芯片焊

目前，光刻机主要分为EUV光刻机和DUV光刻机。DUV是深紫外线，EUV是非常深的紫外线。DUV使用的是极紫外光刻技术，EUV使用的是深紫外光刻技术。EUV为先进工艺芯片光刻的发展方向。那么duv光刻机和euv光刻机区别是是什么呢？

duv光刻机和euv光刻机区别

1.基本上duv只能做到25nm，而euv能够做到10nm以下晶圆的生产。

2. duv主要使用的是光的折射原理，而euv使用的光的反射原理，内部必须是真空 *** 作。

以上就是duv光刻机和euv光刻机区别了，现在基本都是euv光刻机。

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