半导体电导率计算公式

如果σ是电导（单位西门子），I是电流（单位安培），E是电压（单位伏特），则：σ = I/E

电导是电阻的倒数，即 G＝L/R 式中R—电阻，单位欧姆(Ω) G—电导，单位西门子(S) 1S＝103mS＝106µS 因R＝ρL/F，代入上式，则得到： G＝IF/（ρL）对于一对固定电极来讲，二极间的距离不变，电极面积也不变，因此L与F为一个常数。

令：J＝L/F，J就称为电极常数，可得到 G＝I2/（ρJ）式中：K=1/ρ就称为电导率，单位为S/cm。1S/cm＝103mS/cm＝106µS/cm。

电导率K的意义就是截面积为lcm2，长度为lcm的 导体的电导。当电导常数J=1时，电导率就等于电导，电导率是不同电解质溶液导电能力的表现。

电导率K，电导G，电阻率ρ三者之间的关系如下： K＝JG＝I/ρ 式中J为电极常数，例如：电导率为O.1µS/cm的高纯水，其电阻率应为： ρ＝I/K＝1/0.1×106＝10MΩcm。

电导率 = （霍尔片长L*工作电流Is）/（电压U*霍尔片宽b*霍尔片高d）。

在实验仪器上，标注有霍尔片的规格，直接代入公式就行，注意单位的统一。

霍尔系数Rh＝U*d/IB，U为霍尔电压，单位mV，d为霍尔元件du厚度，单位为μm，I为工作电流，单位为mA，B为磁场强度，单位为T。

载流子浓度n＝1/|Rh|。

迁移率＝Kh*(L/l)*(I/U )。

L为霍尔元件长度，U为工作电压，I为工作电流。

Kh为霍尔元件灵敏度，Kh＝U/IB, U为霍尔电压，I为工作电流，B为磁场强度。

影响因素：

1、温度

电导率与温度具有很大相关性。金属的电导率随着温度的升高而减小。半导体的电导率随着温度的升高而增加。在一段温度值域内，电导率可以被近似为与温度成正比。

为了要比较物质在不同温度状况的电导率，必须设定一个共同的参考温度。电导率与温度的相关性，时常可以表达为，电导率对上温度线图的斜率。

2、掺杂程度

固态半导体的掺杂程度会造成电导率很大的变化。增加掺杂程度会造成电导率增高。水溶液的电导率高低相依于其内含溶质盐的浓度，或其它会分解为电解质的化学杂质。

水样本的电导率是测量水的含盐成分、含离子成分、含杂质成分等等的重要指标。水越纯净，电导率越低（电阻率越高）。水的电导率时常以电导系数来纪录；电导系数是水在25°C温度的电导率。

在公式中，电导率用希腊字母σ来表示。电导率σ的标准单位是西门子／米（简写做S／m），为电阻率ρ的倒数，即σ＝1／ρ。

R＝pL／S；

电导率＝1／p；

电导率的单位是1／（mΩ）。

扩展资料

当1安培（1A）电流通过物体的横截面并存在1伏特（1V）电压时，物体的电导就是1S。西门子实际上等效于1安培／伏特。如果σ是电导（单位西门子），I是电流（单位安培），E是电压（单位伏特），则：

σ＝I／E

电导率与温度具有很大相关性。金属的电导率随着温度的升高而减小。半导体的电导率随着温度的升高而增加。

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