常用的电压基准芯片有哪些？

常用电压基准芯片：

LM236D-2-5：2.5V基准电压源 400uA~10mA宽工作电流

LM236DR-2-5：2.5V基准电压源 400uA~10mA宽工作电流

LM236LP-2-5：2.5V基准电压源 400uA~10mA宽工作电流

LM285D-1-2：微功耗电压基准. 10uA~20mA宽工作电流

LM285D-2-5：微功耗电压基准. 10uA~20mA宽工作电流

LM285LP-2-5：微功耗电压基准. 10uA~20mA宽工作电流

LM336BD-2-5：2.5V基准电压源. 10uA~20mA宽工作电流

LM336BLP-2-5：2.5V基准电压源

LM385BD-1-2：1.2V精密电压基准. 15uA~20mA宽工作电流

LM385BD-2-5：2.5V精密电压基准. 15uA~20mA宽工作电流

LM385BLP-1-2：1.2V精密电压基准. 15uA~20mA宽工作电流

LM385BLP-2-5：2.5V精密电压基准. 15uA~20mA宽工作电流

LM385BPW-1-2：微功耗电压基准. 15uA~20mA宽工作电流

LM385BPW-2-5：微功耗电压基准. 15uA~20mA宽工作电流

LM385D-1-2：1.2V精密电压基准. 15uA~20mA宽工作电流

LM385DR-1-2：1.2V精密电压基准. 15uA~20mA宽工作电流

LM385DR-2-5：2.5V精密电压基准. 15uA~20mA宽工作电流

LM385LP-2-5：2.5V精密电压基准. 15uA~20mA宽工作电流

LM385PW-1-2：1.2V微功率基准电压源. 15uA~20mA宽工作电流

LM385PW-2-5：2.5V微功率基准电压源. 15uA~20mA宽工作电流

REF02AP：+5V精密电压基准

REF02AU：+5V精密电压基准

REF02BP：+5V精密电压基准

REF02BU：+5V精密电压基准

REF1004I-2.5：+2.5V精密电压基准

REF102AP：10V精密电压基准

REF102AU：10V精密电压基准

REF102BP：10V精密电压基准

REF200AU：双电流基准

REF2912AIDBZT：1.2V电压基准

REF2920AIDBZT：2V电压基准

REF2925AIDBZT：2.5V电压基准

REF2930AIDBZT：3V电压基准

REF2933AIDBZT：3.3V电压基准

REF2940AIDBZT：4V电压基准

REF3012AIDBZT：1.25V,50ppm/℃,50uASOT23-3封装电压基准

REF3020AIDBZT：2.048V,50ppm/℃,50uASOT23-3封装电压基准

REF3025AIDBZT：2.5V,50ppm/℃,50uASOT23-3封装电压基准

REF3033AIDBZT：3.3V,50ppm/℃,50uASOT23-3封装电压基准

REF3040AIDBZT：4.096V,50ppm/℃,50uASOT23-3封装电压基准

REF3120AIDBZT：20ppM(最大)100uA，SOT23封装电压基准

REF3133AIDBZT：20ppm/℃, 100uA, SOT23-3封装3.3V电压基准

TL1431CD：精密可编程输出电压基准

TL1431CPW：精密可编程输出电压基准

LM336BLP-2-5：2.5V基准电压源

LM385-1.2V：1.2V精密电压基准. 15uA~20mA宽工作电流

Xicor公司电压基准

X60003CIG3-50：Xicor 公司电压基准

X60003DIG3-50：Xicor 公司电压基准

X60008BIS8-25：Xicor 公司电压基准

X60008BIS8-41：Xicor 公司电压基准

X60008BIS8-50：Xicor 公司电压基准

X60008CIS8-25：Xicor 公司电压基准

X60008CIS8-41：Xicor 公司电压基准

X60008CIS8-50：Xicor 公司电压基准

X60008DIS8-25：Xicor 公司电压基准

X60008DIS8-41：Xicor 公司电压基准

X60008DIS8-50：Xicor 公司电压基准

X60008EIS8-50：Xicor 公司电压基准

Intersil公司电压基准

电压基准 （Intersil）

ISL60002CIB825：Intersil 公司电压基准

ISL60002CIH325：Intersil 公司电压基准

ISL60002DIB825：Intersil 公司电压基准

ISL60002DIH325：Intersil 公司电压基准

X60003CIG3-50T1：Intersil 公司电压基准

X60003DIG3-50T1：Intersil 公司电压基准

Microchip 微芯电压基准

电压基准 ：

MCP1525-I/TT：2.5V电压基准

MCP1525T-I/TT：2.5V电压基准

MCP1541-I/TT：4.096V电压基准

MCP1541T-I/TT：4.096V电压基准

ON 安森美电压基准

电压基准 ：

LM285D-1.2G：1.2V电压基准

LM285D-2.5G：2.5V电压基准

LM285D-2.5R2G：2.5V电压基准

LM285Z-2.5G：2.5V电压基准

LM385BD-1.2G：1.2V电压基准

LM385BD-2.5G：2.5V电压基准

LM385BD-2.5R2G：2.5V电压基准

LM385BZ-1.2G：1.2V电压基准

LM385BZ-2.5G：2.5V电压基准

LM385D-1.2G：1.2V电压基准

LM385D-1.2R2G：1.2V电压基准

LM385D-2.5G：1.2V电压基准

MC1403BP1G：低电压参考源

MC1403D：低电压参考源

MC1403DG：低电压参考源

MC1403P1：低电压参考源

MC1403P1G：低电压参考源

NCP100SNT1：精密电压基准

NCP100SNT1G：精密电压基准

NCV1009D：2.5V电压基准

NCV1009DG：2.5V电压基准

NCV1009DR2G：2.5V电压基准

NCV1009ZG：2.5V电压基准

TL431ACDG：可编程精密参考源

TL431ACDR2G：可编程精密参考源

TL431ACLPG：可编程精密参考源

TL431AIDG：可编程精密参考源

TL431AIDMR2G：可编程精密参考源

TL431AIDR2G：可编程精密参考源

TL431AILPG：可编程精密参考源

TL431BCDG：可编程精密参考源

TL431BCDMR2G：可编程精密参考源

TL431BCLPG：可编程精密参考源

TL431BIDG：可编程精密参考源

TL431BIDMR2G：可编程精密参考源

TL431BIDR2G：可编程精密参考源

TL431BILPG：可编程精密参考源

TL431BVDG：可编程精密参考源

TL431BVDR2G：可编程精密参考源

TL431BVLPG：可编程精密参考源

TL431CDG：可编程精密参考源

TL431CLPG：可编程精密参考源

TL431CLPRAG：可编程精密参考源

TL431CPG：可编程精密参考源

TL431IDG：可编程精密参考源

TL431ILPG：可编程精密参考源

TLV431ALPG：低电压精密可调参考源

TLV431ALPRAG：低电压精密可调参考源

TLV431ALPRPG：低电压精密可调参考源

TLV431ASN1T1G：低电压精密可调参考源

TLV431ASNT1G：低电压精密可调参考源

TLV431BLPG：低电压精密可调参考源

TLV431BLPRAG：低电压精密可调参考源

TLV431BSN1T1G：低电压精密可调参考源

TLV431BSNT1G：低电压精密可调参考源

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SPX1004AN-1.2：1.2伏/2.5伏微功耗电压基准

SPX1004N-2.5：2.5伏微功耗电压基准

SPX1431S：精准可调分流调节器

SPX2431AM：精准可调分流调节器

SPX2431AM-L/TR：SPX2431AM-L/TR

SPX2431M-L：SPX2431M-L

SPX385AM-L-5-0：微功耗电压基准

SPX385AN-1.2：SPX385AN-1.2

SPX431AM5：精准可调分流调节器

SPX431AN-L/TR：SPX431AN-L/TR

SPX431BM1/TR：SPX431BM1/TR

SPX431BM1-L/TR：SPX431BM1-L/TR

SPX431CS：SPX431CS

SPX431LCN-L/TR：SPX431LCN-L/TR

SPX432AM/TR：1.24V精准可调分流调节器

SPX432AM-L/TR：SPX432AM-L/TR

GB 即"国标"的汉语拼音缩写，为中华人民共和国国家标准的意思．

国标编码就是中华人民共和国信息交换汉字编码标准（GB2312－80），

在此标准中制定了每一个汉字及非汉字符号的编码。规定将汉字字符分为87个区，

每个区有94个汉字（94位），因此共制定了87x94＝8178个汉字、字符。

每一个字符的编码由2个字节(Byte, 一个字节有8位--Bit, 可以有256种不同表示)构

成（分别称为高字节和低字节），其值分别为其区位码值各加上32（既16进制的

20H），方便起见把这称作国标码，则国标码所覆盖的范围为2121H－777EH，

如中国的“中”字位于54区48位，其国标码就是5650H。当想在由西方人发明的

计算机中使用汉字时，由于国标码的范围与计算机中使用的 ASCII 码（American Standard

Code for Information Interchange，美国信息交换标准码，只用了一个字节中的低7位，

范围是32-126这95个）重叠，无法分出哪个是中文哪个是西文，于是规定将国标码的高低

字节的最高位均置1（Set the MSB，相当于加上128--16进制的80H），来使之区分于

ASCII 码。这样，在计算机中使用的汉字编码实际上是真正的国标码的高位置1后的变形

码（以后称此码为 GB 码），编码范围是0A1A1H－0F7FEH，前面的“中”字

的 GB 码就是0D6D0H。

在国标中规定：

1区是标点符号及下列以外的各种符号

2区是各种各样的数字符号

3区是全角西文字符（英文字母,数字,符号等）

4区是日文平假名

5区是日文片假名

6区是希腊字母表

7区是俄文字母表

8区是中文拼音字母表

9区是制表符号

10区－15区目前空着备用，

16区－55区是按拼音字母排序的常用汉字（一级汉字）

56区－87区是按部首笔画排序的非常用汉字（二级汉字）

(区位码表)

HZ码是中国留学生为了使汉字信息能在网络上直接传送而产生的。因目前大多数

（西方）网络系统为7位，最高位被屏蔽掉，因此 GB 码无法被直接传输，HZ 码规定

一个~紧接着一个{标志着从此开始的代码是国标码，一直到遇到一个~后紧接着一个}，

或本行结束为止。既利用国标码高字节（区）中没有的~(7EH)，形成进入(Escape in)

--~{，及退出(Escape out)--~}标志，以达到在7位网络系统中直接传递汉字信息的目的。

此时真正的一个的~及后接{符号由两个连续的~~及后接{来表示。

Big5 码是在台湾和香港等地广为使用的计算机汉字编码方案，使用的是繁体字，

因最高位被置1，所以也不能直接在7位的网络系统中传输。

JIS 既 Japan Industry Standard（日本工业标准－－同 GB 意思一样），

但目前在日本的计算机中使用的编码系统较为混乱，常用的有 JIS 码（与 HZ 码类似，

采用进入－退出标志方式），Shift-JIS 码（NEC个人计算机，即NEC98系列均采用此

种编码）和 EUC 编码（与 GB 码一样，采用高低字节最高位均置1来区别于 ASCII 码）

等几种方式，日本的网络系统规定在其上传输电子邮件用 JIS 编码。

个人简介： Edward H. Sargent，加拿大多伦多大学副校长、加拿大皇家科学院院士、加拿大工程院院士，是多伦多大学电子与计算机工程系教授。他是加拿大纳米技术领域的首席科学家，是胶体量子点光探测领域的开拓者，也是量子点PN结太阳能电池的发明者和光电转换效率的世界纪录的保持者，并通过所领导团队的努力，每年都在刷新纪录。迄今为止，已在Nature和Science等国际顶级期刊发表论文多篇团队已经发表超过300篇论文，论文被引用超过20000次，H因子72。

团队合照

接下来，我列举了Edward H. Sargent教授近期发表在Nature/Science系列期刊的工作！希望借此机会向大佬学习一下！

通过将二氧化碳电化学还原为化学原料，如乙烯，可同时达到二氧化碳减排和生产可再生能源的目的，目前，Cu是CO2RR的主要电催化剂。然而，迄今为止所达到的能源效率和生产率(目前的密度)仍然低于以工业生产乙烯所需的值。

鉴于此，卡内基梅隆大学的Zachary Ulissi、多伦多大学的Edward H. Sargent等人通过密度泛函理论计算结合主动机器学习来识别，描述了Cu-Al电催化剂能有效地将二氧化碳还原为乙烯，具有迄今为止所报道的最高的法拉第效率。与纯铜相比，在电流密度为400mA/cm2下Cu-Al电催化剂的法拉第效率超过了80%，以及在150mA/cm2下，在其阴极乙烯的能量转换效率则达到了~55%。理论计算表明，铜铝合金具有多个活性位点、表面定向和最佳CO结合能，有利于高效的、高选择性地还原CO2。

此外，原位X射线吸收光谱表明，铜和铝能够形成良好的铜配位环境，从而增强C-C二聚作用。这些发现说明了计算和机器学习在指导多金属系统的实验 探索 方面的价值，这些系统超越了传统的单金属电催化剂的局限性。

Accelerated discovery of CO2 electrocatalysts using active machine learning, https://doi.org/10.1038/s41586-020-2242-8

电解二氧化碳电还原反应(CO2RR)可用于绿色生产乙醇，然而，该反应的法拉第效率目前仍然不高，特别是在总电流密度超过10mA cm−2下。

鉴于此，多伦多大学的Edward H. Sargent团队报道了一类催化剂，其产乙醇的法拉第效率高达52.1%，阴极能量转化效率为31%。作者发现通过抑制中间体HOCCH*的脱氧作用，可以降低乙烯的选择性，促进乙醇生产。密度泛函理论(DFT)计算表明，由于封闭的N-C层具有很强的供电子能力，在Cu表面涂覆一层氮掺杂碳(N-C)可以促进C-C耦合，抑制HOCCH*中碳氧键的断裂，从而提高CO2RR中乙醇的选择性。

Efficient electrically powered CO2-to-ethanol via suppression of deoxygenation, https://doi.org/10.1038/s41560-020-0607-8

堆叠具有较小带隙的太阳能电池形成双结膜，为克服单结光伏电池的Shockley-Queisser极限提供了可能。随着溶液处理钙钛矿的快速发展，有望将钙钛矿的单结效率提高>20％。然而，这一工艺仍未实现与行业相关的纹理晶体硅太阳能电池进行整体集成。

来自多伦多大学的Edward H. Sargent 和阿卜杜拉国王 科技 大学的Stefaan De Wolf团队，报道了将溶液处理的微米级钙钛矿顶部电池与完全纹理化的硅异质结底部电池相结合，进行集成双叠层电池的方法。为解决微米级钙钛矿中电荷收集的难点，作者将硅锥体底部的耗尽宽度提高了三倍。此外，通过在钙钛矿表面固定一种自限型钝化剂(1-丁硫醇)，增加了扩散长度且进一步抑制了相偏析。这些多方位的结构改善，使钙钛矿—硅串联太阳能电池的整体效率达到了25.7％。在85°C下进行400小时的热稳定性测试，以及在40°C、在最大功率点下工作400小时后，发现其性能衰减可忽略不计。

Efficient tandem solar cells with solution-processed perovskite on textured crystalline silicon, https://science.sciencemag.org/content/367/6482/1135

在这里，作者首先讨论了四类分子强化策略：①分子加成修饰的多相催化剂、②有机金属络合物催化剂、③网状催化剂和④无金属聚合物催化剂。作者介绍了目前在分子策略方面的挑战，并描述了电催化CO2RR产多碳产品的前景。这些策略为电催化CO2RR提供了潜在的途径，以解决催化剂活性、选择性和稳定性的挑战，进一步发展CO2RR。

Molecular enhancement of heterogeneous CO2 reduction, https://doi/10.1038/s41563-020-0610-2

目前通过优化钙钛矿的组成经过组合优化，在最先进的钙钛矿太阳能电池中通常含有六种成分(AxByC1−x−yPbXzY3−z)。关于每个组成部分的精确作用仍然存在许多不清晰，如何正确理解和掌握钙钛矿材料中不同组分对晶体结构、性能的影响关系，对于制备新型的高性能钙钛矿材料而言具有重要的指导意义。

鉴于此，多伦多大学的Edward H. Sargent与麻省理工学院的William A. Tisdale等人利用瞬态光致发光显微镜(TPLM)，并结合理论计算，探究了钙钛矿材料中组分—结构—性能之间的关系。研究表明，单晶钙钛矿材料内部载流子的扩散率与结构组成无关；而对于多晶钙钛矿，不同的成分对载体扩散起着至关重要的作用。与CsMAFA型钙钛矿相比，不含MA的CsFA型钙钛矿载流子扩散率要低一个数量级。

元素组成研究表明，CsFA颗粒呈级配组成。在垂直载流子输运和表面电位研究中可以看到，CsFA型钙钛矿由于其非均匀结晶，从而引起晶粒的元素分布不一致，形成了不利于载流子扩散的“壳核结构”。而掺入MA可以有效改善颗粒成分的均匀性，在CsMAFA薄膜中产生了高的扩散系数。

Multi-cation perovskites prevent carrier reflection from grain surfaces, https://doi /10.1038/s41563-019-0602-2

电解二氧化碳还原(CO2RR)转化为有价值的燃料和原料，为这类温室气体的利用提供了一条有吸引力的途径。然而，在这类电解装置内，往往是由有限的气体通过液体电解质扩散到催化剂的表面，电解效率仍然不高。

鉴于此，多伦多大学的David Sinton和Edward H. Sargent等人提出了一种催化剂：离聚物本体异质结结构(CIBH)，可用于分离气体、以及离子和电子的传输。CIBH由金属和具有疏水和亲水功能的超细离子层组成，可将气体和离子的输运范围从数十纳米扩展到微米级。采用这种设计策略，作者实现了在7 M KOH电解液中，以铜为催化剂进行电还原CO2，在阴极法拉第效率为45%下，产乙烯的偏电流密度高达1.3A cm-2。

CO2 electrolysis to multicarbon products at activities greater than 1 A cm−2, https://science.sciencemag.org/content/367/6478/661

手性材料在推动生物标记、手性分析和检测、对映异构体选择性分离、偏振相关光子学和光电子学应用等领域的发展具有重要意义。一维半导体的区域选择性磁化可以实现室温下的各向异性磁性，以及自旋极化——这是自旋电子学和量子计算技术所必需的特性。

鉴于此，中国科学技术大学俞书宏院士团队与国家纳米科学中心唐智勇研究员课题组、多伦多大学Edward Sargent教授团队等人利用局域磁场调控电偶极矩与磁偶极矩之间的相互作用，成功合成了一类新型手性无机纳米材料。

利用这一策略，作者将具有不同晶格、化学成分和磁性能的材料，即一个磁性成分(Fe3O4)和一系列半导体纳米棒结合在一起，在特定的位置吸收紫外线和可见光谱。由此产生的异质纳米棒表现出由特定位置磁场诱导的光学活性。本文提出的区域选择性磁化策略为设计手性和自旋电子学的光学活性纳米材料提供了一条途径。

Regioselective magnetization in semiconducting nanorods, https://doi.org/10.1038/s41565-019-0606-8

电催化CO2还原反应(CO2RR)为温室气体的利用、化学燃料的生产提供了一种可持续的、碳中性的方法。然而，从CO2RR高选择性地生产C2产品(例如乙烯)仍然是一个挑战。

鉴于此，多伦多大学Edward H. Sargent教授、加州理工学院Theodor Agapie教授、Jonas C. Peters教授等人提出了一种分子调控策略，用有机分子使电催化剂表面功能化，用于稳定反应中间产物，使CO2RR高选择性地产乙烯。

通过电化学、 *** 作/原位光谱和计算研究，研究了通过芳基吡啶的电二聚作用衍生的分子库对Cu的影响。结果发现，粘附分子提高了CO中间体的稳定性，有利于进一步还原成乙烯。在中性介质的液流电池中，在偏电流密度为230 mA cm-2下，电催化CO2RR产乙烯的法拉第效率高达72%。

Molecular tuning of CO2-to-ethylene conversion, https://doi/10.1038/s41586-019-1782-2

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