非晶形半导体, 无定形半导体
binary semiconductor
二元(化合物)半导体
compensated semiconductor
补偿半导体
complementary symmetry metal oxide semiconductor
互补对称金属氧化物半导体
compound semiconductor
化合物半导体
covalent semiconductor
共价半导体
defective semiconductor
不良半导体, 有缺陷半导体
degeneracy semiconductor
简并半导体
degenerate semiconductor
简并半导体
deplete semiconductor
耗尽型半导体, 贫乏型 半导体
depleting-layer semiconductor
耗尽层半导体
direct band-gap semiconductor
直接跃迁半导体
direct-gap semiconductor
直接带隙半导体
element semiconductor
单质半导体, 元素半导体
excess semiconductor
过剩半导体
fused semiconductor
熔凝半导体
gallium arsenide semiconductor
呻化镓半导体
gas sensory semiconductor
气敏半导体
indirect gap semiconductor
间接能隙半导体
inhomoge-neoussemiconductor
不均匀半导体
integratedsemiconductor
集成半导体
intermetallic semiconductor
金属间半导体
intrinsic semiconductor
本征半导体, 纯半导体, 无杂质半导体
liquid semiconductor
易变半导体
magnetic semiconductor
磁性半导体
many-valley semiconductor
(有多谷形能带的)多谷型半导体
metal-oxide semiconductor
金属氧化物半导体
mixed semiconductor
混合半导体
monoatomic semiconductor
单质半导体
non-polar semiconductor
非极性半导体
oxidation type semiconductor
氧化型半导体
oxide semiconductor
氧化物半导体
photosensitive semiconductor
光敏半导体
piezoelectric semiconductor
压电半导体
plastic semiconductor
半导体塑料
polar semiconductor
极性半导体
polymer semiconductor
聚合半导体
power semiconductor
功率半导体器件
proper semiconductor
固有半导体, 本征半导体
pure semiconductor
纯半导体, 本征半导体
reduction type semiconductor
还原型半导体
ternary semiconductor
三元化合物半导体
提高导电高分子的电导率,改善其溶解性及可加工性的方法。由于导电高分子材料具有易成型、质量轻、柔软、耐腐蚀、低密度、高d性,具有优良的加工性能,可选择的电导率范围宽,结构易变和半导体特性,且价格便宜等特点,探讨导电高分子在电子器件、电池、电磁屏蔽材料、导电橡胶、透明导电膜等方面的实际应用和将来的研究方。在元素周期表中金属和非金属的分界处,可以找到半导体材料,如硅、锗、镓等另外还有半导体的特性:
半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质.它的重要特性表现在以下几个方面:
(1)热敏性 半导体材料的电阻率与温度有密切的关系.温度升高,半导体的电阻率会明显变小.例如纯锗(Ge),温度每升高10度,其电阻率就会减少到原来的一半.
(2)光电特性 很多半导体材料对光十分敏感,无光照时,不易导电;受到光照时,就变的容易导电了.例如,常用的硫化镉半导体光敏电阻,在无光照时电阻高达几十兆欧,受到光照时电阻会减小到几十千欧.半导体受光照后电阻明显变小的现象称为“光导电”.利用光导电特性制作的光电器件还有光电二极管和光电三极管等.
近年来广泛使用着一种半导体发光器件--发光二极管,它通过电流时能够发光,把电能直接转成光能.目前已制作出发黄,绿,红,蓝几色的发光二极管,以及发出不可见光红外线的发光二极管.
另一种常见的光电转换器件是硅光电池,它可以把光能直接转换成电能,是一种方便的而清洁的能源.
(3)搀杂特性 纯净的半导体材料电阻率很高,但掺入极微量的“杂质”元素后,其导电能力会发生极为显著的变化.例如,纯硅的电阻率为214×1000欧姆/厘米,若掺入百万分之一的硼元素,电阻率就会减小到0.4欧姆/厘米.因此,人们可以给半导体掺入微量的某种特定的杂质元素,精确控制它的导电能力,用以制作各种各样的半导体器件.
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