哪个企业生产的氮化镓品质好？

1.三安光电（600703）

化合物半导体代工，已完成部分GaN的产线布局，是氮化镓的龙头。三安光电主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料、微波通讯集成电路与功率器件、光通讯元器件等的研发、生产与销售，产品性能指标居国际先进水平。

2.闻泰科技（600745）

其安世入股的Transphorm获得了车规级认证，车载GaN已经量产，全球最优质的氮化镓供应商之一。公司主营通讯和半导体两大业务板块，目前已经形成从芯片设计、晶圆制造、半导体封装测试到产业物联网、通讯终端、笔记本电脑、IoT、汽车电子产品研发制造于一体的庞大产业布局。通讯业务板块包括手机、平板、笔电、IoT、汽车电子等领域。

3.耐威科技（300456）

公司目前的第三代半导体业务主要是指GaN（氮化镓）材料的生长与器件的设计，公司已成功研制8英寸硅基氮化镓外延晶圆，且正在持续研发氮化镓器件。北京耐威科技股份有限公司以传感技术为核心，紧密围绕物联网、特种电子两大产业链，一方面大力发展MEMS、导航、航空电子三大核心业务，一方面积极布局无人系统、第三代半导体材料和器件等潜力业务，致力于成为具备高竞争门槛的一流民营科技企业集团。公司主要产品及业务包括MEMS芯片的工艺开发及晶圆制造、导航系统及器件、航空电子系统等，应用领域包括通信、生物医疗、工业科学、消费电子、航空航天、智能交通等。公司业务遍及全球，客户包括特种电子用户以及全球DNA/RNA测序仪巨头、新型超声设备巨头、网络通信和应用巨头以及工业和消费细分行业的领先企业。

4.南大光电（300346）

公司的高纯磷烷、砷烷研发和产业化项目已经列入国家科技重大专项。高纯磷烷和高纯砷烷都是LED、超大规模集成电路、砷化镓太阳能电池的重要原材料。MO源是MOCVD技术生长化合物半导体超薄型膜材料的支撑材料。化合物半导体主要用于制造高亮度发光管、高迁移率晶体管、半导体激光器、太阳能电池等器件，在红外探测、超高速计算机等方面的应用也有着光明的前景。

5.海陆重工（002255）

旗下江苏能华微电子科技发展有限公有专业研发、生产以氮化镓（GaN）为代表的复合半导体高性能晶圆，并用其做成功率器件。苏州海陆重工股份有限公司位于江苏省张家港市开发区，是国内一流的节能环保设备的专业设计制造企业，目前并已初步形成锅炉产品、大型压力容器、核电设备、低温产品、环保工程共同发展的业务格局。

6.海特高新（002023）

海威华芯布局氮化镓功率器件代工，技术达到国际先进水平

7.富满电子（300671）

充电器主控芯片，与oppo合作研发过GaN的充电器

8.云南锗业（002428）

子公司云南鑫耀半导体材料有限公司目前已建成砷化镓单晶及晶体产业化生产线，目前GaAs单晶片产能为80万片/年（折合4英寸），2019年上半年产量

9.有研新材（600206）

公司为国内靶材等半导体材料的龙头企业之一，也是国内水平砷化镓最大的供应商，旗下有研光电拥有如万片/年的GaAs衬底产能。

10.乾照光电（300102）

是国内最大的能够批量生产砷化镓太阳能电池外延片的企业，研发并生产世界最尖端的高性能砷化镓太阳能电池，填补了该领域的国内空白。

公司主要业务为锗矿开采、火法富集、湿法提纯、区熔精炼、精深加工及研究开发。目前公司矿山开采的矿石及粗加工产品不对外销售，仅作为公司及子公司下游加工的原料。

公司目前材料级锗产品主要为区熔锗锭、二氧化锗；深加工方面，光伏级锗产品主要为太阳能锗晶片，红外级锗产品主要为红外级锗单晶（光学元件）、锗镜片、镜头、红外热像仪，光纤级锗产品为光纤用四氯化锗，非锗半导体材料级产品主要为砷化镓晶片、磷化铟晶片（磷化铟晶片主要用于生产光通信用激光器和探测器）。

公司产品主要运用包括红外光学、太阳能电池、光纤通讯、发光二极管、垂直腔面发射激光器（VCSEL）、大功率激光器、光通信用激光器和探测器等领域。

公司材料级产品区熔锗锭产能为：47.60吨/年，太阳能锗晶片产能为30万片/年（4英寸），光纤用四氯化锗产能为60吨/年，红外光学锗镜头产能为3.55万套/年，砷化镓晶片产能为80万片/年（2-4英寸），磷化铟晶片产能为10万片/年（2-4英寸）。

2021公司及子公司主要生产计划如下：生产区材料级锗产品26吨（不含内部代加工），生产红外级锗产品3吨（金属量）、红外镜头3000具，生产光伏级锗产品20.50万片（4-6英寸），生产光纤级锗产品27吨，生产砷化镓晶片（低位错、半绝缘）17.67万片（1-6英寸），生产磷化铟晶片5.25万片（2-4英寸）。

所需原料主要由自有矿山供应及外购原料补充，辅助材料则由外部供应。全资子公司云南东昌金属加工有限公司的原辅料、控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司则由外部采购；

下游深加工产品方面，公司分别设立子公司负责不同系列的锗产品生产。

昆明云锗高新技术有限公司负责红外系列锗产品生产，

云南中科鑫圆晶体材料有限公司负责光伏级锗产品生产，

武汉云晶飞光纤材料有限公司负责光纤级锗产品生产，

云南鑫耀半导体材料有限公司负责化合物半导体材料生产，

云南东润进出口有限公司主要业务为国内贸易，进出口业务。

公司是一家拥有完整产业链的锗行业上市公司，拥有丰富、优质的锗矿资源，锗产品销量全国第一，是目前国内最大的锗系列产品生产商和供应商。

公司矿山截至2009年12月31日，已经探明的锗金属保有储最合计达689.55吨。后公司通过收购采矿权和股权的方式陆续整合五个含锗矿山，锗金属保有储量增加约250吨，2010年至今，公司矿山累计消耗资源产出金属量约250.21吨。

行业概况

锗是一种稀散稀有金属，在半导体、航空航天测控、核物理探测、光纤通讯、红外光学、太阳能电池、化学催化剂、生物医学等领域都有广泛而重要的应用，是一种重要的战略资源。

目前，国外资源供给不足，需要从我国进口锗产品的情况短期内难以改变，但国内出口产品将由二氧化锗、金属锗向后端深加工产品转移的趋势也在逐步加强。

调研

锗锭，目前价格在低位，7000元/公斤。锗片，按片卖，折合成公斤，几万/公斤。公司从材料 =>深加工

公司发展从卖锗矿到卖锗片，以前锗片是进口，现在国产了，公司在国内排名第二。

全球锗储量8000吨，原生矿120吨，回收40吨

全国锗储量3000吨，原生矿100吨，回收20吨

公司锗储量600吨，用量20吨，有6个矿山，其中只开了2个

云南基地产品应用：红外，光伏

武汉基地产品应用：光纤（做预制棒）

高端光伏用锗基，三代电池，在空间站用。

转换效率是硅基的2倍。国内几家所都在使用所都有用。

光纤产品，国产替代，以前都是比利时进口

红外产品，镜片 =>镜头 =>系统集成

1992年，海湾战争，美军用红外镜头，夜视镜头，锗的红外用途才公开昆明云锗（二级保密资质）

原料出口，有机锗，可以用作食品

硅锗合金，还在理论期

自动驾驶需要红外。

鑫耀半导体：激光雷达唯一的上市公司（云南锗业子公司）

华为哈勃投资

半导体：

磷化铟：产量5万片，规划产能15万片（车载激光雷达用磷化铟衬底）

美股已上市激光雷达企业Luminar激光雷达产品采用的1550nm光源即为磷化铟材料。

砷化镓：产量30万片，规划产能80万片（军用微光；扫地机器人，砷化镓同时用作发射器和探测器）

供给海思在做认证。华为是大客户，但不是唯一客户。

三安光电也是客户之一，做外延片

华为哈勃在激光雷达产业链上下游主要投资了5家公司：

上游材料布局一一鑫耀半导体（目前哈勃投资持股23.91%）主要产品包括砷化镓单晶片、磷化铟单晶片等III-V族半导体衬底片，是垂直腔面发射激光器（VCSEL）、光通信用激光器和探测器的必备原材料。

汽车 以太网布局——裕太微电子（目前哈勃投资持股9.29%），是国内为数不多拥有自主知识产权的以太网PHY芯片供应商。现有产品方向包括，以太网物理层芯片、以太网交换芯片和以太网网卡芯片等。 汽车 以太网是新型 汽车 电子电器架构的主干网络，以太网PHY不止用在激光雷达中传输点云数据，在毫米波雷达、智能座舱、自动驾驶域控制器上均有应用。

单光子dToF布局——南京芯视界（目前哈勃投资持股7.66%），公司的单光子 dToF芯片产品可广泛应用于 汽车 辅助以及自动驾驶激光雷达、机器人定位导航、手机三维成像等领域。单光子dToF技术是未来实现激光雷达小型化、低成本、可量产的一项关键技术。

VCSEL技术布局——纵慧芯光（目前哈勃投资持股4.66%），为 汽车 雷达提供V CSEL光源解决方案。纵慧芯光已成功进入华为旗舰手机VCSEL供应链。

激光发射模组布局——炬光 科技 （目前哈勃投资持股2.96%，公司已申报科创板），基于半导体激光器和激光光学技术，可以为激光雷达提供激光发射模组以及光学模组。其用于激光雷达面光源的光束扩散器及高峰值功率固态激光雷达光源模块已于2020年进入量产阶段

作者：沸点时报

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氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pumped solid-state laser）的条件下，产生紫光（405nm）激光。

新型电子器件

GaN材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前，随着 MBE技术在GaN材料应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破，成功地生长出了GaN多种异质结构。用GaN材料制备出了金属场效应晶体管（MESFET）、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效应晶体管（MODFET）等新型器件。调制掺杂的AlGaN/GaN结构具有高的电子迁移率(2000cm2/v·s)、高的饱和速度(1×107cm/s)、较低的介电常数，是制作微波器件的优先材料；GaN较宽的禁带宽度(3.4eV) 及蓝宝石等材料作衬底，散热性能好，有利于器件在大功率条件下工作。

光电器件

GaN材料系列是一种理想的短波长发光器件材料，GaN及其合金的带隙覆盖了从红色到紫外的光谱范围。自从1991年日本研制出同质结GaN蓝色 LED之后，InGaN/AlGaN双异质结超亮度蓝色LED、InGaN单量子阱GaNLED相继问世。目前，Zcd和6cd单量子阱GaN蓝色和绿色 LED已进入大批量生产阶段，从而填补了市场上蓝色LED多年的空白。以发光效率为标志的LED发展历程见图3。蓝色发光器件在高密度光盘的信息存取、全光显示、激光打印机等领域有着巨大的应用市场。随着对Ⅲ族氮化物材料和器件研究与开发工作的不断深入，GaInN超高度蓝光、绿光LED技术已经实现商品化，现在世界各大公司和研究机构都纷纷投入巨资加入到开发蓝光LED的竞争行列。

氮化镓龙头上市公司主要有海特高新、台基股份、亚光科技、三安光电、闻泰科技、士兰微、耐威科技、海陆重工、富满电子、云南锗业、有研新材、乾照光电等。股民可以通过券商、证券交易软件等渠道投资以上相关公司股票。

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