中国科学院半导体研究所于1960年成立,是中国国务院直属事业单位,是集半导体物理、材料、器件及其应用于一体的半导体科学技术的综合性研究机构。[1]
研究所主要的研究方向和领域有半导体物理、材料、器件、工艺、电路及其集成应用研究等。[2]
据2016年9月研究所官网显示,研究所拥有14个科研机构,与地方政府、科研机构、大学和企业等共建了1个院士工作站、3个研发(转移)中心、9个联合实验室;拥有3个博士后流动站,3个一级学科博士培养点,包括5个二级学科博士培养点;拥有5个二级学科硕士培养点,3个专业学位硕士培养点;共有职工690余名,在学研究生近600名。[2]2019年,中国科学院半导体研究所牛智川研究员团队创新设计金属光栅侧向耦合分布反馈(LC-DFB)结构,成功实现了2μm波段高性能单模激光器,综合性能达到国际一流水平并突破国外高端激光器进口限制性能的规定条款。
北京东城区半导体器件九厂还在正常生产中。北京无线电元件九厂,成立于1988年,位于北京市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1493万人民币。北京无线电元件九厂共对外投资了2家企业。知识产权方面有商标信息1条。此外企业还拥有行政许可5个。北京三安半导体科技有限公司好。三安半导体成功入榜,排名世界第61位。作为国内LED领域的拓荒者,三安光电在21世纪初便开创了多个行业第一。2002年厦门三安第一片外延片成功问世,2003年三安光电通过全色系超高亮度LED芯片科技成果鉴定,成为国内首家实现全色系超高亮度发光二极管芯片的生产厂家。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
评论列表(0条)